画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BZD17C36P M2G | - | ![]() | 8738 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5.55% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 27 V | 36 v | 40オーム | ||||||||||||||
![]() | HS2MAF-T | 0.1207 | ![]() | 2136 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-221AC、SMAフラットリード | 標準 | SMAF | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-hs2maf-ttr | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 1000 V | 1.7 V @ 2 a | 75 ns | 5 µA @ 1000 v | -55°C〜150°C | 2a | 12pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | SRAF1060 | - | ![]() | 6149 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2フルパック | ショットキー | ITO-220AC | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-SRAF1060 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 60 V | 700 mV @ 10 a | 500 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | 10a | - | ||||||||||||
![]() | udzs24b | 0.0416 | ![]() | 4333 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | udzs24 | 200 MW | SOD-323F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-DZS24BTR | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 45 na @ 19 v | 24 v | 80オーム | ||||||||||||||
![]() | HDBLS106GH | 0.4257 | ![]() | 1767 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 4-SMD 、カモメの翼 | 標準 | dbls | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-HDBLS106GHTR | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 1.7 V @ 1 a | 5 µA @ 800 V | 1 a | 単相 | 800 V | ||||||||||||||
![]() | 1PGSMC5353 V7G | - | ![]() | 8162 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-214ab 、mc | 1pgsmc | 5 W | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-1PGSMC5353V7GTR | ear99 | 8541.10.0050 | 850 | 1 µA @ 12.2 v | 16 v | 3オーム | |||||||||||||
![]() | TPMR6JH | 0.2979 | ![]() | 7321 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | TPMR6 | 標準 | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-TPMR6JHTR | ear99 | 8541.10.0080 | 6,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1 V @ 6 a | 60 ns | 10 µA @ 600 V | -55°C〜175°C | 6a | 60pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | BZT55C33 | 0.0350 | ![]() | 6426 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | SOD-80バリアント | 500 MW | Qmmelf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZT55C33TR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 10 mA | 100 Na @ 24 V | 33 v | 80オーム | ||||||||||||||
![]() | tuau6mh | 0.2961 | ![]() | 3551 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | Tuau6 | 標準 | SMPC4.6U | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-tuau6mhtr | ear99 | 8541.10.0080 | 6,000 | 高速回復= <500ns | 1000 V | 1.3 V @ 6 a | 50 ns | 5 µA @ 1000 v | -55°C〜175°C | 6a | 64pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | 1PGSMB5935H | 0.1798 | ![]() | 3022 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | 自動車、AEC-Q101、1PGSMB59 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | 3 W | do-214aa | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 µA @ 20.6 v | 27 v | 23オーム | |||||||||||||||
![]() | 2M39z A0g | - | ![]() | 8793 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | 2M39 | 2 W | DO-204AC (DO-15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 500 NA @ 29.7 v | 39 v | 30オーム | ||||||||||||||
S1ML RFG | - | ![]() | 7249 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | S1ML | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 1.1 V @ 1 a | 1.8 µs | 5 µA @ 1000 v | -55°C〜175°C | 1a | 9pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | 1N4729G R0G | 0.0627 | ![]() | 1579 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C(タタ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4729 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 V @ 200 mA | 100 µA @ 1 V | 3.6 v | 10オーム | |||||||||||||
![]() | TS15P02GHD2G | - | ![]() | 6995 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | sicで中止されました | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、TS-6p | TS15P02 | 標準 | TS-6P | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 15 a | 10 µA @ 100 V | 15 a | 単相 | 100 V | |||||||||||||
ES15GLWHRVG | - | ![]() | 2813 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123W | ES15 | 標準 | SOD-123W | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.3 V @ 1.5 a | 35 ns | 1 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 1.5a | 21pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
1SMA4746HR3G | - | ![]() | 4724 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 1SMA4746 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,800 | 1 µA @ 13.7 v | 18 v | 20オーム | |||||||||||||||
![]() | F1T4G A1G | - | ![]() | 6628 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | sicで中止されました | 穴を通して | T-18 、軸 | F1T4 | 標準 | TS-1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
uf1jlw | 0.3800 | ![]() | 21 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123W | uf1j | 標準 | SOD-123W | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.5 V @ 1 a | 25 ns | 1 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | BZV55B5V1 L0G | 0.0357 | ![]() | 5591 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZV55B | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 100 MA | 100 Na @ 1 V | 5.1 v | 35オーム | |||||||||||||
![]() | MBRS10150ct | 0.5920 | ![]() | 5065 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | MBRS10150 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-MBRS10150CTTR | ear99 | 8541.10.0080 | 1,600 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 150 v | 10a | 980 mV @ 10 a | 100 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||
![]() | SF43G B0G | - | ![]() | 6487 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | SF43 | 標準 | DO-201AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 高速回復= <500ns | 150 v | 1 V @ 4 a | 35 ns | 5 µA @ 150 v | -55°C〜150°C | 4a | 100pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | mur340shr7g | - | ![]() | 1818年 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | MUR340 | 標準 | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.25 V @ 3 a | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -55°C〜175°C | 3a | - | |||||||||||
rs1dlhmhg | - | ![]() | 1558 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | RS1D | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.3 V @ 800 Ma | 150 ns | 5 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 800mA | 10pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | BZV55C39 L1G | - | ![]() | 5875 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZV55C | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1 V @ 10 mA | 100 Na @ 28 V | 39 v | 90オーム | |||||||||||||
![]() | SRS10150H | 0.7126 | ![]() | 8039 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | SRS10150 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 150 v | 10a | 1 V @ 5 a | 100 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||
S1ALHM2G | - | ![]() | 1495 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | S1A | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 標準回復> 500ns | 50 v | 1.1 V @ 1 a | 1.8 µs | 5 µA @ 50 V | -55°C〜175°C | 1a | 9pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | SF801G C0G | - | ![]() | 2838 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | SF801 | 標準 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 50 v | 975 mV @ 8 a | 35 ns | 10 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 8a | 70pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | BZT52C8V2 | 0.0412 | ![]() | 7852 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123F | BZT52C | 500 MW | SOD-123F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZT52C8V2TR | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1 V @ 10 mA | 630 NA @ 5 V | 8.2 v | 15オーム | |||||||||||||
![]() | BZX55B43 A0G | - | ![]() | 8986 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX55 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1 V @ 100 MA | 100 Na @ 32 v | 43 v | 90オーム | |||||||||||||
![]() | SRAF1040HC0G | - | ![]() | 1255 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2フルパック | SRAF1040 | ショットキー | ITO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 40 v | 550 mV @ 10 a | 500 µA @ 40 V | -55°C〜125°C | 10a | - |
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