画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | HS3M R7 | - | ![]() | 5181 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | 標準 | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-HS3MR7TR | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 高速回復= <500ns | 1000 V | 1.7 V @ 3 a | 75 ns | 10 µA @ 1000 v | -55°C〜150°C | 3a | 50pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | BZV55C36 | 0.0333 | ![]() | 1971年年 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZV55C | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZV55C36TR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 10 mA | 100 Na @ 27 V | 36 v | 80オーム | |||||||||||
![]() | BZT55C3V0 | 0.0350 | ![]() | 8161 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | SOD-80バリアント | 500 MW | Qmmelf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZT55C3V0TR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 10 mA | 4 µA @ 1 V | 3 v | 85オーム | ||||||||||||
![]() | 1M180ZHA0G | - | ![]() | 3490 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1M180 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 5 µA @ 136.8 v | 180 v | 1200オーム | ||||||||||||
![]() | MBRF10150 C0G | - | ![]() | 3063 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | sicで中止されました | 穴を通して | TO-220-2フルパック | MBRF1015 | ショットキー | ITO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 150 v | 1.05 V @ 10 a | 100 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | 10a | - | ||||||||||
![]() | S5A R6 | - | ![]() | 8672 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | 標準 | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-S5AR6TR | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 50 v | 1.15 V @ 5 a | 1.5 µs | 10 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 5a | 60pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | SSB44 | 0.1863 | ![]() | 7327 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | ショットキー | do-214aa | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 40 v | 460 mV @ 4 a | 200 µA @ 40 V | -55°C〜150°C | 4a | 235pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | HS5J V7G | 1.4800 | ![]() | 33 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | HS5J | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.7 V @ 5 a | 75 ns | 10 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 5a | 50pf @ 4V、1MHz | |||||||||
bzt52b3v6-g rhg | 0.0461 | ![]() | 4684 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | BZT52B | 410 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.6 v | 90オーム | ||||||||||||
![]() | BZX55C3V6 A0G | - | ![]() | 2117 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX55 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1 V @ 100 MA | 2 µA @ 1 V | 3.6 v | 85オーム | |||||||||||
![]() | S5J R7 | - | ![]() | 9436 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | 標準 | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-S5JR7TR | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.15 V @ 5 a | 1.5 µs | 10 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 5a | 60pf @ 4V、1MHz | |||||||||
BZD17C15P RQG | - | ![]() | 8683 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 11 v | 15 V | 10オーム | ||||||||||||
![]() | BZT52C56 RHG | 0.0453 | ![]() | 7871 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123F | BZT52C | 500 MW | SOD-123F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 10 mA | 45 Na @ 39.2 v | 56 v | 200オーム | |||||||||||
BZD27C150PHR3G | 0.3075 | ![]() | 3795 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6.12% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,800 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 110 v | 147 v | 300オーム | ||||||||||||
![]() | RS1GLH | 0.1815 | ![]() | 9920 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123 | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-RS1GLHTR | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.3 V @ 800 Ma | 150 ns | 5 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 1a | 10pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | BZS55B3V9ラグ | - | ![]() | 4535 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | 1206 (3216 メトリック) | BZS55 | 500 MW | 1206 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-BZS55B3V9RAGTR | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 10 Ma | 2 µA @ 1 V | 3.9 v | 85オーム | ||||||||||
![]() | BZV55C30 L1G | - | ![]() | 4410 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZV55C | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1 V @ 10 mA | 100 na @ 22 v | 30 V | 80オーム | |||||||||||
![]() | SFF506GHC0G | - | ![]() | 5333 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | SFF506 | 標準 | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.3 V @ 2.5 a | 35 ns | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 5a | 50pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | MTZJ15SB | 0.0305 | ![]() | 5227 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ag | MTZJ15 | 500 MW | DO-34 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-MTZJ15SBTR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 200 na @ 11 v | 14.26 v | 40オーム | ||||||||||||
![]() | S2jah | 0.0712 | ![]() | 3856 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 標準 | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-s2jahtr | ear99 | 8541.10.0080 | 15,000 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.1 V @ 1.5 a | 1.5 µs | 5 µA @ 600 v | -55°C〜150°C | 1.5a | 30pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | 1N4744G R0G | 0.0627 | ![]() | 9951 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C(タタ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4744 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 11.4 v | 15 V | 14オーム | |||||||||||
![]() | SS320 | 0.1724 | ![]() | 6152 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | SS320 | ショットキー | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 950 mv @ 3 a | 100 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 3a | - | ||||||||||
SS36LHMTG | - | ![]() | 8927 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | SS36 | ショットキー | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 60 V | 750 mV @ 3 a | 500 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | 3a | - | |||||||||||
![]() | sr3040pt | 1.6215 | ![]() | 9219 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | SR3040 | ショットキー | to-247ad(to-3p) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 40 v | 30a | 550 mV @ 15 a | 1 MA @ 40 V | -55°C〜125°C | ||||||||||
BZD27C13P RQG | - | ![]() | 3591 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6.41% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 V @ 200 mA | 2 µA @ 10 V | 13.25 v | 10オーム | ||||||||||||
BZD27C75PHRUG | - | ![]() | 6720 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6.04% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,800 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 56 v | 74.5 v | 100オーム | ||||||||||||
![]() | HS5B R6G | - | ![]() | 9536 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | 標準 | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-HS5BR6GTR | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1 V @ 5 a | 50 ns | 10 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 5a | 80pf @ 4V、1MHz | |||||||||
1PGSMA4758H | 0.1156 | ![]() | 2388 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 1PGSMA4758 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 42.6 v | 56 v | 110オーム | ||||||||||||
BZD27C6V8P RTG | - | ![]() | 6482 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5.88% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 3 V | 6.8 v | 3オーム | ||||||||||||
![]() | BZV55C56 | 0.0333 | ![]() | 5190 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZV55C | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZV55C56TR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 10 mA | 100 Na @ 42 v | 56 v | 135オーム |
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