画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SS14LHRVG | - | ![]() | 6828 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | SS14 | ショットキー | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 40 v | 550 mV @ 1 a | 400 µA @ 40 V | -55°C〜125°C | 1a | - | |||||||||||
SK34AHR3G | - | ![]() | 6061 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SK34 | ショットキー | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 高速回復= <500ns | 40 v | 550 mV @ 3 a | 500 µA @ 40 V | -55°C〜150°C | 3a | - | |||||||||||
![]() | MBRS1635HMNG | - | ![]() | 2790 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | MBRS1635 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 35 v | 630 mv @ 16 a | 500 µA @ 35 V | -55°C〜150°C | 16a | - | ||||||||||
![]() | SFAF2006G | - | ![]() | 8582 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2フルパック | 標準 | ITO-220AC | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-SFAF2006G | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.3 V @ 20 a | 35 ns | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 20a | 150pf @ 4V、1MHz | |||||||||
s1glsh | 0.4000 | ![]() | 6756 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123H | S1G | 標準 | SOD-123HE | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.3 V @ 1.2 a | 5 µA @ 400 V | -55°C〜175°C | 1.2a | - | |||||||||||
![]() | BZX84C5V1 | 0.0511 | ![]() | 3551 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5.88% | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84 | 300 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZX84C5V1TR | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 900 mV @ 10 Ma | 2 µA @ 2 V | 5.1 v | 60オーム | |||||||||||
S1BL | 0.4500 | ![]() | 17 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | S1B | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 標準回復> 500ns | 100 V | 1.1 V @ 1 a | 1.8 µs | 5 µA @ 100 V | -55°C〜175°C | 1a | 9pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | SFF2001G C0G | - | ![]() | 8245 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | SFF2001 | 標準 | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 50 v | 975 mV @ 10 a | 35 ns | 10 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 20a | 90pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | SR103 | - | ![]() | 6645 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | ショットキー | do-204al(do-41) | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-SR103TR | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 30 V | 550 mV @ 1 a | 500 µA @ 30 V | -55°C〜125°C | 1a | - | ||||||||||
rs1dlhm2g | - | ![]() | 4434 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | RS1D | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.3 V @ 800 Ma | 150 ns | 5 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 800mA | 10pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
BZD27C6V8PHMHG | - | ![]() | 2297 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5.88% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 3 V | 6.8 v | 3オーム | ||||||||||||
BZD27C27PHMTG | - | ![]() | 7860 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±7.03% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 20 V | 27 v | 15オーム | ||||||||||||
ES1FLHR3G | - | ![]() | 1623 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | ES1F | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 高速回復= <500ns | 300 V | 1.3 V @ 1 a | 35 ns | 5 µA @ 300 V | -55°C〜150°C | 1a | 8pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
SS29L R3G | - | ![]() | 7646 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | SS29 | ショットキー | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 高速回復= <500ns | 90 v | 850 mV @ 2 a | 100 µA @ 90 V | -55°C〜150°C | 2a | - | |||||||||||
![]() | BZT52B3V9S RRG | - | ![]() | 6905 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | BZT52B | 200 MW | SOD-323F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 10 mA | 2.7 µA @ 1 V | 3.9 v | 90オーム | |||||||||||
![]() | BZT55B6V2 L0G | 0.0385 | ![]() | 3306 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZT55 | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 10 mA | 100 Na @ 2 V | 6.2 v | 10オーム | |||||||||||
![]() | SR102 B0G | - | ![]() | 4562 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | SR102 | ショットキー | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 20 v | 550 mV @ 1 a | 500 µA @ 20 V | -55°C〜125°C | 1a | - | ||||||||||
![]() | TSF10H200C | 1.9000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | TSF10 | ショットキー | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 5a | 910 mv @ 5 a | 100 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | ||||||||||
BZD27C12PHMTG | - | ![]() | 8250 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5.39% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 mA | 3 µA @ 9.1 v | 12.05 v | 7オーム | ||||||||||||
![]() | MBRF1645H | - | ![]() | 7926 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2フルパック | ショットキー | ITO-220AC | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-MBRF1645H | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 45 v | 630 mv @ 16 a | 500 µA @ 45 V | -55°C〜150°C | 16a | - | ||||||||||
BZD27C18PHRUG | - | ![]() | 6918 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6.4% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,800 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 13 V | 17.95 v | 15オーム | ||||||||||||
BZD27C7V5PHRQG | 0.0962 | ![]() | 8212 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | ±6.04% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 V @ 200 mA | 50 µA @ 3 V | 7.45 v | 2オーム | ||||||||||||
![]() | BZT55B12 | 0.0544 | ![]() | 2993 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | SOD-80バリアント | 500 MW | Qmmelf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZT55B12TR | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1 V @ 10 mA | 100 Na @ 9.1 v | 12 v | 20オーム | ||||||||||||
![]() | BZX85C12 | 0.0645 | ![]() | 8547 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | BZX85 | 1.3 w | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZX85C12TR | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 V @ 10 mA | 500 NA @ 9.1 v | 12 v | 9オーム | |||||||||||
![]() | HS5A R7 | - | ![]() | 7032 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | 標準 | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-HS5AR7TR | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 高速回復= <500ns | 50 v | 1 V @ 5 a | 50 ns | 10 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 5a | 80pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | BZS55B5V6 RXG | - | ![]() | 1738 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | 1206 (3216 メトリック) | BZS55 | 500 MW | 1206 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 10 Ma | 100 Na @ 1 V | 5.6 v | 30オーム | |||||||||||
![]() | SF18GHA0G | - | ![]() | 1738 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | SF18 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.7 V @ 1 a | 35 ns | 5 µA @ 600 v | -55°C〜150°C | 1a | 10pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | HER603G A0G | - | ![]() | 2871 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | R-6 、軸 | HER603 | 標準 | R-6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 700 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1 V @ 6 a | 50 ns | 10 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | 6a | 80pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | 1N5399GHA0G | - | ![]() | 1890 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | 1N5399 | 標準 | DO-204AC (DO-15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 1 V @ 1.5 a | 5 µA @ 1000 v | -55°C〜150°C | 1.5a | 15pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | 1N4004GHR1G | - | ![]() | 9593 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4004 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1 V @ 1 a | 5 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 1a | 10pf @ 4V、1MHz |
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