画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ABS10 | 0.4800 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 4-SMD 、カモメの翼 | ABS10 | 標準 | 腹筋 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 950 mV @ 400 Ma | 10 µA @ 1000 v | 1 a | 単相 | 1 kV | |||||||||||||
![]() | SR004 R1G | - | ![]() | 3946 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | SR004 | ショットキー | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 40 v | 550 mV @ 500 Ma | 500 µA @ 40 V | -55°C〜125°C | 500mA | 110pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | UR4KB80-B | 1.3200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-esip | UR4KB80 | 標準 | D3K | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 1 V @ 2 a | 10 µA @ 800 V | 4 a | 単相 | 800 V | |||||||||||||
![]() | F1T7G | 0.0742 | ![]() | 7966 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | T-18 、軸 | F1T7 | 標準 | TS-1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 1000 V | 1.3 V @ 1 a | 500 ns | 5 µA @ 1000 v | -55°C〜150°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | BZT52B4V3S | 0.0343 | ![]() | 8877 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | BZT52B | 200 MW | SOD-323F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZT52B4V3STR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 10 mA | 2.7 µA @ 1 V | 4.3 v | 90オーム | |||||||||||||
BZD17C11P MTG | - | ![]() | 8720 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5.45% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 mA | 4 µA @ 8.2 v | 11 v | 7オーム | ||||||||||||||
![]() | BZV55C11 L0G | 0.0333 | ![]() | 1276 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZV55C | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 10 mA | 100 Na @ 8.2 v | 11 v | 20オーム | |||||||||||||
![]() | S10KC R7G | 0.5400 | ![]() | 56 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | S10K | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 高速回復= <500ns | 800 V | 1.1 V @ 10 a | 1 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 10a | 60pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | BZT55C62 L1G | - | ![]() | 1269 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZT55 | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1 V @ 10 mA | 100 Na @ 47 v | 62 v | 150オーム | |||||||||||||
rsfkl rhg | - | ![]() | 3586 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | rsfkl | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 800 V | 1.3 V @ 500 Ma | 500 ns | 5 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 500mA | 4PF @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | SFS1002GHMNG | - | ![]() | 3064 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | SFS1002 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 100 V | 975 mV @ 5 a | 35 ns | 1 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 10a | 70pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | HS1KAL | 0.3900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-221AC、SMAフラットリード | HS1K | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 高速回復= <500ns | 800 V | 1.7 V @ 1 a | 75 ns | 1 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 1a | 8pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | BZV55C2V7 L0G | 0.0333 | ![]() | 9010 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZV55C | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 10 mA | 10 µA @ 1 V | 2.7 v | 85オーム | |||||||||||||
![]() | B0530WF RHG | 0.0786 | ![]() | 8858 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123F | B0530 | ショットキー | SOD-123F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 30 V | 500 mV @ 500 Ma | 130 µA @ 30 V | -65°C〜125°C | 500mA | - | ||||||||||||
![]() | SR204HA0G | - | ![]() | 7624 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | SR204 | ショットキー | DO-204AC (DO-15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 40 v | 550 mv @ 2 a | 500 µA @ 40 V | -55°C〜125°C | 2a | - | ||||||||||||
![]() | BZT55B5V6 L0G | 0.0385 | ![]() | 3556 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZT55 | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 10 mA | 100 Na @ 1 V | 5.6 v | 25オーム | |||||||||||||
![]() | SFAF1608G | - | ![]() | 3468 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2フルパック | 標準 | ITO-220AC | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-SFAF1608G | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.7 V @ 16 a | 35 ns | 10 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 16a | 100pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | mtzj6v2sb r0g | 0.0305 | ![]() | 6699 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ag | mtzj6 | 500 MW | DO-34 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 5 µA @ 3 V | 6.12 v | 60オーム | ||||||||||||||
![]() | f1t5gha0g | - | ![]() | 1212 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | T-18 、軸 | F1T5 | 標準 | TS-1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.3 V @ 1 a | 250 ns | 5 µA @ 600 v | -55°C〜150°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | BZV55C43 L0G | 0.0333 | ![]() | 3776 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZV55C | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 10 mA | 100 Na @ 32 v | 43 v | 90オーム | |||||||||||||
![]() | MBR3060CT | 0.9495 | ![]() | 6555 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | MBR3060 | ショットキー | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 60 V | 30a | 770 mV @ 15 a | 200 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||
![]() | mur4l40 a0g | - | ![]() | 2285 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | mur4l40 | 標準 | DO-201AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.28 V @ 4 a | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -55°C〜175°C | 4a | 65pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | eabs1dhreg | - | ![]() | 3243 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 4-SMD 、カモメの翼 | EABS1 | 標準 | 腹筋 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 950 mV @ 1.5 a | 1 µA @ 200 v | 1 a | 単相 | 200 v | |||||||||||||
![]() | TSZU52C5V6 RGG | 0.0669 | ![]() | 1669 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | ±5% | -55°C〜125°C(TJ) | 表面マウント | 0603 (1608 メトリック) | TSZU52 | 150 MW | 0603 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 1 V | 5.6 v | 40オーム | |||||||||||||
BZD27C36PW | 0.4400 | ![]() | 405 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | SOD-123W | BZD27 | 1 W | SOD-123W | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 200 mA | 1 µA @ 27 V | 36 v | 40オーム | ||||||||||||||
![]() | SFA806G C0G | - | ![]() | 6768 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | sicで中止されました | 穴を通して | TO-220-2 | SFA806 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.3 V @ 8 a | 35 ns | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 8a | 60pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | MBS10 | 0.5200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 4ベソップ(0.173 "、幅4.40mm) | MBS10 | 標準 | MBS | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 1 V @ 1.5 a | 5 µA @ 1000 v | 800 Ma | 単相 | 1 kV | |||||||||||||
![]() | BZV55B39 L1G | - | ![]() | 8851 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZV55B | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1 V @ 100 MA | 100 Na @ 28 V | 39 v | 90オーム | |||||||||||||
bzd27c8v2pラグ | - | ![]() | 9122 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±6.09% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,800 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 3 V | 8.2 v | 2オーム | ||||||||||||||
BZD17C24P MHG | - | ![]() | 5745 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5.83% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 18 V | 24 v | 15オーム |
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