画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZT55C75 L0G | 0.0350 | ![]() | 9394 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZT55 | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 10 mA | 100 Na @ 56 v | 75 v | 170オーム | |||||||||||||
![]() | MBR1635H | - | ![]() | 2042 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | ショットキー | TO-220AC | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-MBR1635H | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 35 v | 630 mv @ 16 a | 500 µA @ 35 V | -55°C〜150°C | 16a | - | ||||||||||||
BZD27C47P M2G | - | ![]() | 6222 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6.38% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 36 V | 47 v | 45オーム | ||||||||||||||
![]() | SR315HB0G | - | ![]() | 8922 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | バルク | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | SR315 | ショットキー | DO-201AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 高速回復= <500ns | 150 v | 850 mv @ 3 a | 100 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | 3a | - | ||||||||||||
![]() | 1N5407G A0G | 0.6700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | カットテープ(CT) | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | 1N5407 | 標準 | DO-201AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1 V @ 3 a | 5 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 3a | 25pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | 1PGSMC5361 V7G | - | ![]() | 2634 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-214ab 、mc | 1pgsmc | 5 W | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-1PGSMC5361V7GTR | ear99 | 8541.10.0050 | 850 | 500 NA @ 20.6 v | 27 v | 5オーム | |||||||||||||
![]() | rs1bh | - | ![]() | 8744 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 標準 | do-214ac | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-RS1BHTR | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1.3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 1a | 10pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
1PGSMA4752HR3G | - | ![]() | 5731 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 1PGSMA4752 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,800 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 25.1 v | 33 v | 45オーム | ||||||||||||||
![]() | SR809HR0G | - | ![]() | 4544 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 穴を通して | do-201ad、軸 | SR809 | ショットキー | DO-201AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,250 | 高速回復= <500ns | 90 v | 920 mv @ 8 a | 100 µA @ 90 V | -55°C〜150°C | 8a | - | ||||||||||||
![]() | BZX79B27 A0G | - | ![]() | 1587 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX79 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 100 MA | 18.9 MA @ 50 mV | 27 v | 80オーム | |||||||||||||
![]() | HS1MF-T | 0.1037 | ![]() | 6457 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-221AC、SMAフラットリード | 標準 | SMAF | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-HS1MF-TTR | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 1000 V | 1.7 V @ 1 a | 75 ns | 5 µA @ 1000 v | -55°C〜150°C | 1a | 8pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
BZD17C62P MTG | - | ![]() | 4193 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6.45% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 47 v | 62 v | 80オーム | ||||||||||||||
![]() | BZX584B22 | 0.0379 | ![]() | 9824 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | BZX584 | 150 MW | SOD-523F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZX584B22TR | ear99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 15.4 v | 22 v | 55オーム | |||||||||||||
![]() | 1PGSMC5360 R7G | - | ![]() | 1496 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-214ab 、mc | 1pgsmc | 5 W | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 850 | 500 NA @ 19 V | 25 v | 4オーム | ||||||||||||||
![]() | MBRS16150HMNG | - | ![]() | 8275 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | MBRS16150 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 150 v | 950 mv @ 16 a | 100 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | 16a | - | ||||||||||||
![]() | 2M180Z B0G | - | ![]() | 8166 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | バルク | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | 2M180 | 2 W | DO-204AC (DO-15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 500 NA @ 136.8 v | 180 v | 725オーム | ||||||||||||||
BZD27C51P MTG | - | ![]() | 6864 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5.88% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 39 v | 51 v | 60オーム | ||||||||||||||
![]() | KBU801G T0G | - | ![]() | 3398 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | トレイ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip 、kbu | 標準 | KBU | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | KBU801GT0G | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 8 a | 5 µA @ 50 V | 8 a | 単相 | 50 v | |||||||||||||
RSFGL M2G | - | ![]() | 2003年 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | rsfgl | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.3 V @ 500 Ma | 150 ns | 5 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 500mA | 4PF @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | BZT52C30S | 0.0357 | ![]() | 8112 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | BZT52C | 200 MW | SOD-323F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZT52C30STR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 10 mA | 45 Na @ 21 v | 30 V | 80オーム | |||||||||||||
![]() | uf1aha0g | - | ![]() | 8303 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | uf1a | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 50 v | 1 V @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 1a | 17pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | BZT52B62 RHG | 0.0453 | ![]() | 7138 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123F | BZT52B | 500 MW | SOD-123F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 10 mA | 45 Na @ 43.4 v | 62 v | 215オーム | |||||||||||||
![]() | SF46GHA0G | - | ![]() | 7384 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | SF46 | 標準 | DO-201AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.3 V @ 4 a | 35 ns | 5 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 4a | 80pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
BZD27C6V8PHRTG | - | ![]() | 6414 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5.88% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 3 V | 6.8 v | 3オーム | ||||||||||||||
![]() | TSF20H200C | 1.1388 | ![]() | 2565 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | TSF20 | ショットキー | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 10a | 930 mv @ 10 a | 100 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||
![]() | TS6P05GHC2G | - | ![]() | 9788 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | sicで中止されました | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、TS-6p | TS6P05 | 標準 | TS-6P | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 6 a | 10 µA @ 600 V | 6 a | 単相 | 600 V | |||||||||||||
![]() | BAT43 R0G | - | ![]() | 1973年年 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | ショットキー | DO-35 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | BAT43R0G | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 30 V | 1 V @ 200 mA | 5 ns | 500 NA @ 25 V | -65°C〜125°C | 200mA | 7PF @ 1V、1MHz | |||||||||||
![]() | BZT55B36 L0G | 0.0385 | ![]() | 7173 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZT55 | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 10 mA | 100 Na @ 27 V | 36 v | 80オーム | |||||||||||||
rsfgl mhg | - | ![]() | 4682 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | rsfgl | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.3 V @ 500 Ma | 150 ns | 5 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 500mA | 4PF @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | SK33BHR5G | - | ![]() | 4589 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SK33 | ショットキー | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 高速回復= <500ns | 30 V | 500 mV @ 3 a | 500 µA @ 30 V | -55°C〜125°C | 3a | - |
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