画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 6a10gha0g | - | ![]() | 1514 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | R-6 、軸 | 6A10 | 標準 | R-6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 700 | 標準回復> 500ns | 100 V | 1.1 V @ 6 a | 10 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 6a | 60pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | TPMR6GH | 0.2856 | ![]() | 2181 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | TPMR6 | 標準 | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-TPMR6GHTR | ear99 | 8541.10.0080 | 6,000 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.8 V @ 6 a | 60 ns | 10 µA @ 400 V | -55°C〜175°C | 6a | 60pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
HS1FL rhg | - | ![]() | 1867年 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | HS1F | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 300 V | 950 mv @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 300 V | -55°C〜150°C | 1a | 20pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | 1N4746A A0g | - | ![]() | 7810 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4746 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 5 µA @ 13.7 v | 18 v | 35オーム | ||||||||||||||
![]() | tszu52c9v1 rgg | 0.0669 | ![]() | 7114 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | ±5% | -55°C〜125°C(TJ) | 表面マウント | 0603 (1608 メトリック) | TSZU52 | 150 MW | 0603 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 7 V | 9.1 v | 10オーム | |||||||||||||
![]() | mur4l40 a0g | - | ![]() | 2285 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | mur4l40 | 標準 | DO-201AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.28 V @ 4 a | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -55°C〜175°C | 4a | 65pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
BZD17C24P MHG | - | ![]() | 5745 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5.83% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 18 V | 24 v | 15オーム | ||||||||||||||
![]() | BZV55C43 L0G | 0.0333 | ![]() | 3776 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZV55C | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 10 mA | 100 Na @ 32 v | 43 v | 90オーム | |||||||||||||
![]() | S5D R6 | - | ![]() | 3700 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | 標準 | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-S5DR6TR | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.15 V @ 5 a | 1.5 µs | 10 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | 5a | 60pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
BZD27C15Pラグ | 0.2753 | ![]() | 6530 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6.12% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,800 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 11 v | 14.7 v | 10オーム | ||||||||||||||
![]() | SF1005G | 0.5528 | ![]() | 1058 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | SF1005 | 標準 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 300 V | 1.3 V @ 5 a | 35 ns | 10 µA @ 300 V | -55°C〜150°C | 10a | 50pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | eabs1dhreg | - | ![]() | 3243 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 4-SMD 、カモメの翼 | EABS1 | 標準 | 腹筋 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 950 mV @ 1.5 a | 1 µA @ 200 v | 1 a | 単相 | 200 v | |||||||||||||
![]() | TSZU52C5V6 RGG | 0.0669 | ![]() | 1669 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | ±5% | -55°C〜125°C(TJ) | 表面マウント | 0603 (1608 メトリック) | TSZU52 | 150 MW | 0603 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 1 V | 5.6 v | 40オーム | |||||||||||||
1PGSMA4751 | 0.1086 | ![]() | 5983 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 1PGSMA4751 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 22.8 v | 30 V | 40オーム | ||||||||||||||
![]() | SF64G B0G | - | ![]() | 1853 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | SF64 | 標準 | DO-201AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 高速回復= <500ns | 200 v | 975 mV @ 6 a | 35 ns | 5 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 6a | 100pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | SSL22 | 0.2625 | ![]() | 1750 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SSL22 | ショットキー | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 20 v | 410 mv @ 2 a | 400 µA @ 20 V | -55°C〜125°C | 2a | - | ||||||||||||
![]() | SFA806G C0G | - | ![]() | 6768 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | sicで中止されました | 穴を通して | TO-220-2 | SFA806 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.3 V @ 8 a | 35 ns | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 8a | 60pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | MBS10 | 0.5200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 4ベソップ(0.173 "、幅4.40mm) | MBS10 | 標準 | MBS | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 1 V @ 1.5 a | 5 µA @ 1000 v | 800 Ma | 単相 | 1 kV | |||||||||||||
![]() | BZV55B39 L1G | - | ![]() | 8851 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZV55B | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1 V @ 100 MA | 100 Na @ 28 V | 39 v | 90オーム | |||||||||||||
![]() | MBRF10200CT-Y | 0.9400 | ![]() | 997 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | MBRF10200 | 標準 | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-MBRF10200CT-Y | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 標準回復> 500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 10a | 880 mV @ 10 a | 100 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | |||||||||||
![]() | HER3006pth | 1.8804 | ![]() | 2941 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | 標準 | to-247ad(to-3p) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-her3006pth | ear99 | 8541.10.0080 | 900 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 600 V | 30a | 1.7 V @ 15 a | 80 ns | 10 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||
![]() | 2M100ZH | 0.1667 | ![]() | 5753 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | 2M100 | 2 W | DO-204AC (DO-15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,500 | 500 NA @ 76 v | 100 V | 175オーム | ||||||||||||||
![]() | MBRS30H45CT | 0.8505 | ![]() | 5317 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | MBRS30 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-MBRS30H45CTTR | ear99 | 8541.10.0080 | 1,600 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 45 v | 30a | 900 mV @ 30 a | 200 µA @ 45 V | -55°C〜175°C | ||||||||||||
![]() | BZS55B2V4ラグ | - | ![]() | 2319 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | 1206 (3216 メトリック) | BZS55 | 500 MW | 1206 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-BZS55B2V4RAGTR | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 10 Ma | 50 µA @ 1 V | 2.4 v | 85オーム | ||||||||||||
![]() | abs15jhreg | - | ![]() | 4425 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 4-SMD 、カモメの翼 | ABS15 | 標準 | 腹筋 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 1 V @ 1.5 a | 5 µA @ 600 v | 1.5 a | 単相 | 600 V | |||||||||||||
![]() | SF42G B0G | - | ![]() | 8642 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | SF42 | 標準 | DO-201AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1 V @ 4 a | 35 ns | 5 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 4a | 100pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | S3D R7 | - | ![]() | 6423 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | 標準 | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-S3DR7TR | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.15 V @ 3 a | 1.5 µs | 10 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | 3a | 60pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | HS3G R6 | - | ![]() | 2633 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | 標準 | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-hs3gr6tr | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.3 V @ 3 a | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 3a | 80pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | SK36bh | 0.4700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SK36 | ショットキー | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 60 V | 750 mV @ 3 a | 500 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | 3a | - | ||||||||||||
hsklw | 0.0907 | ![]() | 2587 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123W | 標準 | SOD-123W | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-hsklwtr | ear99 | 8541.10.0080 | 20,000 | 高速回復= <500ns | 800 V | 1.7 V @ 800 Ma | 75 ns | 1 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 800mA | 5PF @ 4V、1MHz |
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