画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N4764AHR1G | - | ![]() | 6466 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4764 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 5 µA @ 76 v | 100 V | 350オーム | ||||||||||||
![]() | HER301G R0G | - | ![]() | 6003 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 穴を通して | do-201ad、軸 | HER301 | 標準 | DO-201AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,250 | 高速回復= <500ns | 50 v | 1 V @ 3 a | 50 ns | 10 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 3a | 60pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | BZT55B24 L0G | 0.0385 | ![]() | 9432 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZT55 | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 10 mA | 100 Na @ 18 V | 24 v | 80オーム | |||||||||||
![]() | BZX55C3V0 A0G | - | ![]() | 3330 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX55 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1 V @ 100 MA | 4 µA @ 1 V | 3 v | 85オーム | |||||||||||
![]() | ARS5045 B0G | - | ![]() | 1924年年 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | ARS | ARS5045 | 標準 | ARS | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 45 v | 550 mV @ 50 a | 150 ns | 500 µA @ 45 V | -55°C〜175°C | 50a | 2700pf @ 4V、1MHz | |||||||||
rs1dlhmhg | - | ![]() | 1558 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | RS1D | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.3 V @ 800 Ma | 150 ns | 5 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 800mA | 10pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
S1ALHMTG | - | ![]() | 5277 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | S1A | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 標準回復> 500ns | 50 v | 1.1 V @ 1 a | 1.8 µs | 5 µA @ 50 V | -55°C〜175°C | 1a | 9pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | 1N4148WS-G RVG | 0.1800 | ![]() | 40 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | 1N4148 | 標準 | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 75 v | 1.25 V @ 150 MA | 4 ns | 1 µA @ 75 V | 150°C (最大) | 150ma | 2PF @ 0V、1MHz | |||||||||
![]() | 2M36ZH | 0.1667 | ![]() | 1354 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | 2M36 | 2 W | DO-204AC (DO-15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,500 | 500 NA @ 27.4 v | 36 v | 25オーム | ||||||||||||
![]() | HS3D R7 | - | ![]() | 1631 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | 標準 | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-HS3DR7TR | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1 V @ 3 a | 50 ns | 10 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | 3a | 80pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | 1N4755AHA0G | - | ![]() | 3990 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4755 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 5 µA @ 32.7 v | 43 v | 70オーム | ||||||||||||
![]() | MUR305S R6 | - | ![]() | 2429 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-MUR305SR6TR | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 50 v | 875 mV @ 3 a | 25 ns | 5 µA @ 50 V | -55°C〜175°C | 3a | - | |||||||||
ES1HL RQG | - | ![]() | 2815 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | ES1H | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 500 V | 1.7 V @ 1 a | 35 ns | 5 µA @ 500 V | -55°C〜150°C | 1a | 8PF @ 1V、1MHz | ||||||||||
![]() | SRT14H | 0.0627 | ![]() | 8353 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | T-18 、軸 | SRT14 | ショットキー | TS-1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 40 v | 550 mV @ 1 a | 500 µA @ 40 V | -55°C〜125°C | 1a | - | ||||||||||
ES1LJ R3G | - | ![]() | 4888 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | DO-214AC、SMA | ES1L | 標準 | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.7 V @ 1 a | 35 ns | 5 µA @ 600 v | -55°C〜150°C | 1a | 18pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
es1clhrug | - | ![]() | 5774 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | ES1c | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 高速回復= <500ns | 150 v | 950 mv @ 1 a | 35 ns | 5 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | 1a | 10pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
S1AHR3G | - | ![]() | 9930 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | DO-214AC、SMA | S1A | 標準 | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 標準回復> 500ns | 50 v | 1.1 V @ 1 a | 1.5 µs | 1 µA @ 50 V | -55°C〜175°C | 1a | 12pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | BZX55B6V2 A0G | - | ![]() | 4452 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX55 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1 V @ 100 MA | 100 Na @ 2 V | 6.2 v | 10オーム | |||||||||||
BZD27C13PW | 0.4900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | SOD-123W | BZD27 | 1 W | SOD-123W | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 200 mA | 2 µA @ 10 V | 13 v | 10オーム | ||||||||||||
1PGSMA4742 R3G | - | ![]() | 1599 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 1PGSMA4742 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,800 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 9.1 v | 12 v | 9オーム | ||||||||||||
HS1DLW RVG | 0.1278 | ![]() | 6942 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123W | HS1D | 標準 | SOD-123W | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1 V @ 1 a | 50 ns | 1 µA @ 200 v | -55°C〜175°C | 1a | 16pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | MBRF30100CT-Y | 0.7462 | ![]() | 1741 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | MBRF30100 | ショットキー | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-MBRF30100CT-Y | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 30a | 950 mV @ 30 a | 200 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | ||||||||||
![]() | BZX55C3V3 A0G | - | ![]() | 7118 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX55 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1 V @ 100 MA | 2 µA @ 1 V | 3.3 v | 85オーム | |||||||||||
![]() | MBR3060CT | 0.9495 | ![]() | 6555 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | MBR3060 | ショットキー | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 60 V | 30a | 770 mV @ 15 a | 200 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | ||||||||||
![]() | bzx584b8v2 rkg | - | ![]() | 6966 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | BZX584 | 150 MW | SOD-523F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 700 na @ 5 v | 8.2 v | 15オーム | |||||||||||
![]() | UGF1008GH | 0.4932 | ![]() | 3539 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | UGF1008 | 標準 | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-ugf1008gh | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 600 V | 10a | 1.7 V @ 5 a | 25 ns | 10 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | |||||||||
SS23Lラグ | - | ![]() | 9788 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | SS23 | ショットキー | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 高速回復= <500ns | 30 V | 500 mV @ 2 a | 400 µA @ 30 V | -55°C〜150°C | 2a | - | |||||||||||
BZT52C43-G | 0.0445 | ![]() | 4692 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | BZT52C | 350 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZT52C43-GTR | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 32 v | 43 v | 100オーム | ||||||||||||
![]() | MBRF1045 | - | ![]() | 1385 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2フルパック | MBRF104 | ショットキー | ITO-220AC | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-MBRF1045 | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 45 v | 700 mV @ 10 a | 100 µA @ 45 V | -55°C〜150°C | 10a | - | |||||||||
![]() | S15MC | 0.2997 | ![]() | 8011 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | 標準 | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 1.1 V @ 15 a | 1 µA @ 1000 V | -55°C〜150°C | 15a | 93pf @ 4V、1MHz |
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