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ダイオード（166326）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
RD16E-T1-AZ	0.0300	RFQ	948	Renesas Electronics America Inc	*	バルク	アクティブ									-	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.10.0050	1
jans1n4615-1/tr	55.5200	RFQ	5344	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jans1n4615-1/tr	ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		2.5 µA @ 1 V				2 v	1.25オーム
1N3339RB	8.5000	RFQ	50	Solid State Inc.	-	箱	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド			50 W	DO-5	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー	2383-1N3339RB	ear99	8541.10.0080	10					1.5 V @ 10 a		5 µA @ 69.2 v				91 v	15オーム
MMSZ4694-G3-18	0.0409	RFQ	5811	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ4694		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000							1 µA @ 6.2 v				8.2 v
1N4133/tr	2.6400	RFQ	2851	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AA			500 MW	DO-7	ダウンロード			影響を受けていない	150-1N4133/tr	ear99	8541.10.0050	358					1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 66.12 v				87 v	1000オーム
JANTX1N5541B-1	-	RFQ	5294	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	バルク	sicで中止されました	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 19.8 v				22 v	100オーム
jans1n4954c	359.7600	RFQ	3255	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	E 、軸			5 W	E 、軸	-			影響を受けていない	150-jans1n4954c	ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 a		150 µA @ 5.2 v				6.8 v	1オーム
NTE6230	80.8500	RFQ	58	nte Electronics、Inc	-	バッグ	アクティブ			シャーシマウント	モジュール		標準		モジュール	ダウンロード	ROHS3準拠			2368-NTE6230	ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns	1ペアシリーズ接続		90a	1.33 V @ 270 a		8 µA @ 1200 v	-40°C〜125°C
murd340t4g	-	RFQ	6544	onsemi	SwitchMode™	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	to-252-3	Murd340	標準		dpak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,500	高速回復= <500ns		400 V		1.15 V @ 3 a	50 ns	5 µA @ 400 V	-55°C〜175°C	3a	-
MR850T/r	0.1100	RFQ	1	EIC半導体Inc。	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	do-201ad、軸		標準		DO-201AD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		2439-MR850T/RTR		8541.10.0000	1,250	高速回復= <500ns		50 v		1.25 V @ 3 a	150 ns	10 µA @ 50 V	-65°C〜150°C	3a	28pf @ 4V、1MHz
VS-32CTQ030-1PBF	-	RFQ	3037	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	sicで中止されました			穴を通して	To-262-3 Long Leads	32CTQ030	ショットキー		TO-262-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	30 V	15a	490 mV @ 15 a		1.75 mA @ 30 V	-55°C〜150°C
MBR2150VRTR-G1	-	RFQ	2883	ダイオードが組み込まれています	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	DO-214AC、SMA		ショットキー		SMA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8541.10.0080	7,500	高速回復= <500ns		150 v		850 mV @ 2 a		100 µA @ 150 V	-65°C〜150°C	2a	-
V15KM45C-M3/h	0.8800	RFQ	3	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	8-powertdfn		ショットキー		フラットパック（5x6）	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	45 v	5.4a	600 mV @ 7.5 a		350 µA @ 45 V	-40°C〜175°C
2EZ13D2E3/TR8	-	RFQ	8015	Microsemi Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	2EZ13		2 W	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,500					1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 9.9 v				13 v	5オーム
jantxv1n4986dus	51.1200	RFQ	5299	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b			5 W	e-melf	-			影響を受けていない	150-jantxv1n4986dus	ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 a		2 µA @ 114 v				150 v	330オーム
CD4743a	1.8354	RFQ	6332	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	死ぬ			1 W	死ぬ	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-CD4743A	ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 mA		500 NA @ 9.9 v				13 v	10オーム
jantx1n5519bur-1	-	RFQ	8810	マコムテクノロジーソリューション	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	sicで中止されました	±5％	-	表面マウント	do-213aa （ガラス）				DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0050	1							3 µA @ 1 V				3.6 v	24オーム
jans1n6319dus	412.1550	RFQ	7747	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	トレイ	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b	1N6319		500 MW	B、sq-melf	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 a		5 µA @ 3.5 v				6.2 v	3オーム
BZX79C12	0.0300	RFQ	87	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード					ear99	8541.10.0050	11,539					1.5 V @ 100 MA		100 Na @ 8 V				12 v	25オーム
1N5264C-TR	0.0288	RFQ	3246	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5264		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	30,000					1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 46 v				60 V	170オーム
CD5338b	5.0673	RFQ	8460	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C	表面マウント	死ぬ			5 W	死ぬ	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-CD5338B	ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 a		1 µA @ 1 V				5.1 v	1.5オーム
Jan1n4370a-1	2.9100	RFQ	8124	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/127	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N4370			DO-35	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		100 µA @ 1 V				2.4 v	30オーム
1PGSMC5350 R7G	-	RFQ	5670	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	±5％	-55°C〜175°C	表面マウント	do-214ab 、mc	1pgsmc		5 W	do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	850							1 µA @ 9.9 v				13 v	3オーム
SMBG4742A/TR13	-	RFQ	2730	Microsemi Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-215AA	SMBG4742		2 W	SMBG （DO-215AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 9.1 v				12 v	9オーム
CD5711	0.9600	RFQ	7699	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			表面マウント	死ぬ		ショットキー		死ぬ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0040	1	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度		50 v		1 V @ 15 mA		200 Na @ 50 V	-55°C〜125°C	15ma	2PF @ 0V、1MHz
BZX79-C5V1,133	0.1600	RFQ	102	Nexperia USA Inc.	-	カットテープ（CT）	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	BZX79-C5V1		400 MW	ALF2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000					900 mV @ 10 Ma		2 µA @ 2 V				5.1 v	60オーム
1N5928B3P-TP	0.1102	RFQ	3976	Micro Commercial Co	-	バルク	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N5928		3 W	DO-41	ダウンロード				353-1N5928B3P-TP	ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 mA		1 µA @ 9.9 v				13 v	7オーム
BZT52C6V8Q-7-F	0.0384	RFQ	2293	ダイオードが組み込まれています	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5.88％	-65°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	BZT52		370 MW	SOD-123	ダウンロード			影響を受けていない	31-BZT52C6V8Q-7-FTR	ear99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 Ma		2 µA @ 4 V				6.8 v	15オーム
1N5253B	0.1200	RFQ	2	nte Electronics、Inc	-	バッグ	アクティブ	±0.5％	-65°C〜200°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	-	ダウンロード	ROHS非準拠			2368-1N5253B	ear99	8541.10.0050	1							100 na @ 19 v				25 v	35オーム
CMDZ5255B TR PBFREE	0.2550	RFQ	5294	Corp	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	CMDZ5255		250 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 Ma		100 Na @ 21 V				28 v	44オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（166326）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²