画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SDURF3020CT | 1.2700 | ![]() | 22 | 0.00000000 | SMCダイオードソリューション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | SDURF3020 | 標準 | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 15a | 1.05 V @ 15 a | 35 ns | 10 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | |||||||||||
![]() | 1N3337B | 49.3800 | ![]() | 2863 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 1N3337 | 50 W | DO-5 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 a | 10 µA @ 56 v | 75 v | 9オーム | |||||||||||||
![]() | Jan1n759cur-1 | 11.3850 | ![]() | 4305 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/127 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 1N759 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 1 µA @ 9 V | 12 v | 30オーム | |||||||||||||
jantx1n4468dus | 35.2050 | ![]() | 9844 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 軍事、MIL-PRF-19500/406 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf、a | 1N4468 | 1.5 w | D-5a | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 mA | 50 Na @ 10.4 v | 13 v | 8オーム | ||||||||||||||
jantx1n6312dus | 55.6050 | ![]() | 9582 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 1N6312 | 500 MW | B、sq-melf | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 5 µA @ 1 V | 3.3 v | 27オーム | |||||||||||||||
![]() | BZT52C5V1HE3-TP | 0.2400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5.88% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | BZT52C5V1 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 2 µA @ 2 V | 5.1 v | 60オーム | |||||||||||||
![]() | 1N5265B-G | - | ![]() | 5464 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | - | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | - | 175°C (TJ) | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 641-1N5265B-GTB | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 47 v | 62 v | 185オーム | ||||||||||||||
ZMY7V5-GS08 | 0.4200 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | ZMY7V5 | 1 W | DO-213AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 500 NA @ 5 V | 7.5 v | 2オーム | |||||||||||||||
![]() | cdll5927b/tr | 3.6575 | ![]() | 8179 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | 1.25 w | DO-213AB | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-CDLL5927B/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 9.1 v | 12 v | 6.5オーム | ||||||||||||||
![]() | MB4M-E3/45 | 0.6900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-dip (0.200 "、5.08mm) | MB4 | 標準 | MBM | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 100 | 1 V @ 400 Ma | 5 µA @ 400 V | 500 Ma | 単相 | 400 V | |||||||||||||
jantx1n5524d-1/tr | 15.1088 | ![]() | 3838 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n5524d-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 2 µA @ 3.5 v | 5.6 v | 30オーム | |||||||||||||||
![]() | SR809H | - | ![]() | 4064 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | ショットキー | DO-201AD | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-SR809HTR | ear99 | 8541.10.0080 | 1,250 | 高速回復= <500ns | 90 v | 920 mv @ 8 a | 100 µA @ 90 V | -55°C〜150°C | 8a | - | ||||||||||||
![]() | APT2X100D30J | - | ![]() | 2096 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | チューブ | 廃止 | シャーシマウント | SOT-227-4、ミニブロック | APT2X100 | 標準 | ISOTOP® | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 高速回復= <500ns | 2独立 | 300 V | 100a | 1.4 V @ 100 a | 47 ns | 500 µA @ 300 V | -55°C〜175°C | ||||||||||||
![]() | BZY55B16 RYG | 0.0486 | ![]() | 9373 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | 0805 (2012 メトリック) | BZY55 | 500 MW | 0805 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 10 Ma | 100 na @ 12 v | 16 v | 40オーム | |||||||||||||
![]() | MBRL20U60CT-BP | - | ![]() | 1530 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | チューブ | 前回購入します | 穴を通して | TO-220-3 | MBRL20U60 | ショットキー | TO-220AB | - | 353-MBRL20U60CT-BP | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 60 V | 20a | 560 mV @ 10 a | 120 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||||
![]() | TSI10L200CW | 2.6200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | To-262-3 Long Leads | TSI10 | ショットキー | i2pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 5a | 900 mV @ 5 a | 50 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||
jans1n6318cus | 285.0750 | ![]() | 8410 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | トレイ | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 1N6318 | 500 MW | B、sq-melf | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 5 µA @ 2.5 v | 5.6 v | 8オーム | |||||||||||||||
![]() | SBZBZX84C10LT3 | 0.0200 | ![]() | 650 | 0.00000000 | onsemi | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | HZM3.6NB2TR-E | 0.1600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ルネサス | - | バルク | 廃止 | ±3.4% | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | 200 MW | 3-mpak | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | 2156-HZM3.6NB2TR-E | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 1 V | 3.68 v | 130オーム | |||||||||||||||
![]() | S2BHR5G | - | ![]() | 8036 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | DO-214AA、SMB | S2B | 標準 | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 標準回復> 500ns | 100 V | 1.15 V @ 2 a | 1.5 µs | 1 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 2a | 30pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | 1SMB5945HR5G | - | ![]() | 2421 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | 1SMB5945 | 3 W | do-214aa | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 850 | 1 µA @ 51.7 v | 68 v | 120オーム | ||||||||||||||
![]() | PZS5114BAS_R1_00001 | 0.2900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | PZS5114 | 500 MW | SOD-123 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3757-PZS5114BAS_R1_00001CT | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 50 Na @ 10.6 v | 14 v | ||||||||||||||
jan1n4462d | 25.4550 | ![]() | 9778 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/406 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4462 | 1.5 w | DO-41 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 mA | 1 µA @ 4.5 v | 7.5 v | 2.5オーム | ||||||||||||||
Jan1n986b-1/tr | 1.6625 | ![]() | 4606 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/117 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n986b-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.3 V @ 200 mA | 500 NA @ 84 v | 110 v | 750オーム | |||||||||||||||
![]() | 2EZ4.3D2/TR12 | - | ![]() | 4143 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±2% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 2EZ4.3 | 2 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 V @ 200 mA | 20 µA @ 1 V | 4.3 v | 4.5オーム | |||||||||||||
![]() | JANTX1N3823CUR-1 | 40.6950 | ![]() | 6642 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | 1N3823 | 1 W | do-213ab | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 25 µA @ 1 V | 3.9 v | 9オーム | |||||||||||||
![]() | ru 3amv | - | ![]() | 2783 | 0.00000000 | サンケン | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | 軸 | Ru 3 | 標準 | - | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.1 V @ 1.5 a | 400 ns | 10 µA @ 600 V | -40°C〜150°C | 1.5a | - | ||||||||||||
![]() | SRT110 | 0.0679 | ![]() | 7382 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | T-18 、軸 | SRT110 | ショットキー | TS-1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 800 mV @ 1 a | 100 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 1a | - | ||||||||||||
![]() | TZX30B-TR | 0.2300 | ![]() | 29 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 、TZX | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | TZX30 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 mA | 1 µA @ 23 V | 30 V | 100オーム | |||||||||||||
1N5529A/TR | 1.9950 | ![]() | 8532 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | 影響を受けていない | 150-1N5529A/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 477 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 7 V | 9.1 v |
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