SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) 現在 -コレクター(IC )(最大) 現在 -コレクターカットオフ(最大) トランジスタタイプ vce 飽和(max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース(r1) 抵抗 -エミッターベース(r2) ノイズフィギュア(DBタイプ @ f)
JANSD2N3501UB Microchip Technology jansd2n3501ub 94.3500
RFQ
ECAD 1452 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ - ROHS3準拠 影響を受けていない 150-jansd2n3501ub 1
RN2104,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2104 0.3300
RFQ
ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN2104 100 MW SSM ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200 MHz 47 Kohms 47 Kohms
MJD31T4 onsemi MJD31T4 0.2100
RFQ
ECAD 32 0.00000000 onsemi - バルク 廃止 - 表面マウント to-252-3 MJD31 15 W dpak ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 2,500 40 v 3 a 50µA npn 1.2V @ 375MA、3a 10 @ 3a 、4V 3MHz
JANSF2N2906AUA Microchip Technology jansf2n2906aua 156.0008
RFQ
ECAD 7364 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/291 バルク アクティブ -65°C〜200°C 表面マウント 4-SMD 、リードなし 500 MW ua - 影響を受けていない 150-jansf2n2906aua 1 60 V 600 Ma 50NA PNP 1.6V @ 50ma 、500ma 40 @ 150ma 、10V -
2SC3808 onsemi 2SC3808 -
RFQ
ECAD 3179 0.00000000 onsemi * バルク アクティブ - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 1
MNSKC2N2222A Microchip Technology MNSKC2N2222A 8.6051
RFQ
ECAD 8187 0.00000000 マイクロチップテクノロジー * バルク アクティブ - 影響を受けていない 150-MNSKC2N2222A 1
2SC3735-T1B-A Renesas Electronics America Inc 2SC3735-T1B-A 0.1400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * バルク アクティブ ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 3,000
PZTA94 Diotec Semiconductor PZTA94 0.6089
RFQ
ECAD 2934 0.00000000 diotec半導体 - テープ&リール( tr) アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-261-4、TO-261AA 1.5 w SOT-223 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) 影響を受けていない 2796-PZTA94TR 8541.29.0000 4,000 400 V 300 Ma 20na(icbo) npn 750mv @ 5ma 、50ma 50 @ 10ma 、10V
KSC1393YTA Fairchild Semiconductor ksc1393yta 0.0200
RFQ
ECAD 50 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C (TJ) 穴を通して to-226-3 250MW to-92-3 - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-ksc1393yta ear99 8541.21.0095 1 24dB 30V 20ma npn 90 @ 2MA 、10V 700MHz 2DB @ 200MHz
JANTX2N2222AL Microchip Technology jantx2n2222al -
RFQ
ECAD 8093 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/255 バルク sicで中止されました -65°C〜200°C (TJ) 穴を通して to-206aa 500 MW TO-218 ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 1 50 v 800 Ma 50NA npn 1V @ 50ma 、500ma 100 @ 150ma 、10V -
DCP69A-13 Diodes Incorporated DCP69A-13 0.1395
RFQ
ECAD 3928 0.00000000 ダイオードが組み込まれています - テープ&リール( tr) 新しいデザインではありません -55°C〜150°C 表面マウント TO-261-4、TO-261AA DCP69A 1 W SOT-223-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 2,500 20 v 1 a 100na(icbo) PNP 500MV @ 100MA、1a 85 @ 500MA、1V 250MHz
2N3439L Microchip Technology 2N3439L -
RFQ
ECAD 6979 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク sicで中止されました -65°C〜200°C (TJ) 穴を通して to-205aa、to-5-3 800 MW to-5 ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 1 350 V 1 a 2µA npn 500MV @ 4MA 、50MA 40 @ 20MA 、10V -
JAN2N3725 Microchip Technology Jan2N3725 -
RFQ
ECAD 4751 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ 200°C (TJ) 穴を通して to-205ad、to-39-3金属缶 to-39 - ROHS非準拠 影響を受けていない 0000.00.0000 1 50 v 500 Ma - npn - - -
2N6691 Microchip Technology 2N6691 755.0400
RFQ
ECAD 1926年年 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -65°C〜200°C (TJ) スタッドマウント TO-211MA 3 W to-61 - 影響を受けていない 150-2N6691 ear99 8541.29.0095 1 300 V 15 a 100µA npn 1V @ 3a 、15a 15 @ 1a、3V -
MPSA56 Diotec Semiconductor MPSA56 0.0477
RFQ
ECAD 7102 0.00000000 diotec半導体 - テープ&リール( tr) アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 625 MW to-92 ダウンロード ROHS3準拠 適用できない 影響を受けていない 2796-MPSA56TR 8541.21.0000 4,000 80 v 500 Ma 100na(icbo) PNP 250MV @ 10MA 、100mA 100 @ 100MA、1V 50MHz
2N6500 Microchip Technology 2N6500 30.5250
RFQ
ECAD 3411 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -65°C〜200°C (TJ) 穴を通して TO-213AA、to-66-2 35 W to-66(to-213aa - 影響を受けていない 150-2N6500 ear99 8541.29.0095 1 90 v 4 a - PNP 1.5V @ 300µA、3MA - -
NSCD21LT3G onsemi NSCD21LT3G -
RFQ
ECAD 2732 0.00000000 onsemi - テープ&リール( tr) 廃止 - ROHS3準拠 影響を受けていない 488-NSCD21LT3GTR 廃止 5,000
2C6059 Microchip Technology 2C6059 33.2700
RFQ
ECAD 5155 0.00000000 マイクロチップテクノロジー * バルク アクティブ - 影響を受けていない 150-2C6059 1
JANSL2N3637 Microchip Technology jansl2N3637 129.5906
RFQ
ECAD 5830 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/357 バルク アクティブ -65°C〜200°C (TJ) 穴を通して to-205ad、to-39-3金属缶 1 W to-39 - 影響を受けていない 150-Jansl2N3637 1 175 v 1 a 10µA PNP 600mv @ 5ma 、50ma 100 @ 50ma 、10V -
ADTC114ECA-HF Comchip Technology ADTC114ECA-HF 0.0515
RFQ
ECAD 6868 0.00000000 comchipテクノロジー aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント TO-236-3 ADTC114 200 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 641-ADTC114ECA-HFTR ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス +ダイオード前 300MV @ 500µA 、10mA 30 @ 5MA 、5V 250 MHz 10 Kohms 10 Kohms
NTE16004 NTE Electronics, Inc NTE16004 1.9000
RFQ
ECAD 200 0.00000000 nte Electronics、Inc - バッグ アクティブ -65°C〜200°C (TJ) 穴を通して to-205ad、to-39-3金属缶 10 W to-39 ダウンロード ROHS3準拠 2368-NTE16004 ear99 8541.29.0095 1 75 v 2 a 100µA PNP 700mv @ 50ma 、500ma 30 @ 500MA 、4V -
NSVBCP69T1G onsemi NSVBCP69T1G 0.4400
RFQ
ECAD 31 0.00000000 onsemi - テープ&リール( tr) アクティブ -65°C〜150°C 表面マウント TO-261-4、TO-261AA NSVBCP69 1.5 w SOT-223 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 1,000 20 v 1 a 10µa(icbo) PNP 500MV @ 100MA、1a 85 @ 500MA、1V 60MHz
PBSS305NZ,135 Nexperia USA Inc. PBSS305NZ 、135 0.6500
RFQ
ECAD 31 0.00000000 Nexperia USA Inc. aec-q100 テープ&リール( tr) アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント TO-261-4、TO-261AA PBSS305 2 W SOT-223 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 4,000 80 v 5.1 a 100na(icbo) npn 270MV @ 255MA 、5.1a 180 @ 2a 、2V 110MHz
SS9013GBU Fairchild Semiconductor SS9013GBU 0.0200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C (TJ) 穴を通して TO-226-3 625 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 1,000 20 v 500 Ma 100na(icbo) npn 600mv @ 50ma 、500ma 112 @ 50ma、1V -
BC858CMTF Fairchild Semiconductor BC858CMTF 0.0200
RFQ
ECAD 34 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント TO-236-3 310 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 3,000 30 V 100 Ma 15NA PNP 650mv @ 5ma 、100ma 420 @ 2MA 、5V 150MHz
MJH11018G onsemi MJH11018G -
RFQ
ECAD 7167 0.00000000 onsemi * バルク アクティブ ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1
BC847C RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC847C RFG 0.0337
RFQ
ECAD 8417 0.00000000 台湾半導体コーポレーション - テープ&リール( tr) アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 BC847 200 MW SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 Ma 100na(icbo) npn 500MV @ 5MA 、100mA 420 @ 2MA 、5V 100MHz
NTE253MCP NTE Electronics, Inc NTE253MCP 4.5900
RFQ
ECAD 35 0.00000000 nte Electronics、Inc - バッグ アクティブ -65°C〜150°C 穴を通して TO-225AA、to-126-3 40 W TO-126 ダウンロード ROHS3準拠 2368-NTE253MCP ear99 8541.29.0095 1 80 v 4 a 100µA npn-ダーリントン 3V @ 40MA 、4a 750 @ 1.5a、3V -
JAN2N3741U4 Microchip Technology JAN2N3741U4 -
RFQ
ECAD 9344 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/441 バルク アクティブ -65°C〜200°C (TJ) 表面マウント 3-SMD 、リードなし 25 W U4 - ROHS非準拠 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 80 v 10 µA 10µA PNP 600mv @ 1.25ma、1a 30 @ 250ma、1V -
MJ802 onsemi MJ802 1.7300
RFQ
ECAD 4853 0.00000000 onsemi - トレイ 廃止 - 穴を通して to-204aa、to-3 MJ802 200 W TO-204 ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 100 90 v 30 a - npn 800mv @ 750ma 、7.5a 25 @ 7.5a 、2V 2MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

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