画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 抵抗 -ベース(r1) | 抵抗 -エミッターベース(r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2SB1205T-E | 0.8500 | ![]() | 945 | 0.00000000 | onsemi | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-251-3 | 2SB1205 | 1 W | TP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 500 | 20 v | 5 a | 500na(icbo) | PNP | 500mv @ 60ma、3a | 200 @ 500MA 、2V | 320MHz | ||||
![]() | GES5816 | 0.1000 | ![]() | 16 | 0.00000000 | ハリスコーポレーション | - | バルク | アクティブ | -55°C〜135°C | 穴を通して | TO-226-3 | 500 MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 40 v | 750 Ma | 100na(icbo) | npn | 750mv @ 50ma 、500ma | 100 @ 2MA 、2V | 120MHz | |||||
![]() | 2N3737ub | 17.3432 | ![]() | 3737 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 表面マウント | 3-SMD 、リードなし | 2N3737 | 500 MW | ub | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 40 v | 1.5 a | 10µa(icbo) | npn | 900mv @ 100ma、1a | 20 @ 1a 、1.5V | - | ||||
![]() | RN1405 、LXHF | 0.3400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | RN1405 | 200 MW | s-mini | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | npn-バイアス化 | 300MV @ 250µA 、5MA | 80 @ 10ma 、5v | 250 MHz | 2.2 KOHMS | 47 Kohms | |||||
![]() | fjv4103rmtf | - | ![]() | 9217 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 表面マウント | TO-236-3 | FJV410 | 200 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0075 | 4,244 | 50 v | 100 Ma | 100na(icbo) | pnp-前バイアス | 300MV @ 500µA 、10mA | 56 @ 5MA 、5V | 200 MHz | 22 Kohms | 22 Kohms | |||||
![]() | 2N5883 | 3.5000 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | to-204aa、to-3 | 200 W | to-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | 2383-2N5883 | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 60 V | 25 a | 2MA | PNP | 4V @ 6.25a 、25a | 35 @ 3a 、4V | 4MHz | ||||
![]() | 2SC1815-Y-BP | - | ![]() | 4537 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | 廃止 | -55°C〜125°C(TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | 2SC1815 | 400 MW | to-92 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 353-2SC1815-Y-BP | ear99 | 8541.21.0095 | 1,000 | 50 v | 150 Ma | 100NA | npn | 250MV @ 10MA 、100mA | 120 @ 2MA 、6V | 80MHz | ||||
![]() | jantxv2n2907ub/tr | - | ![]() | 7272 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/291 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 表面マウント | 3-SMD 、リードなし | 500 MW | ub | - | 影響を受けていない | 150-jantxv2n2907ub/tr | 189 | 60 V | 600 Ma | 50NA | PNP | 1.6V @ 50ma 、500ma | 100 @ 150ma 、10V | - | ||||||||
![]() | 2SA1405E | - | ![]() | 4555 | 0.00000000 | sanyo | * | バルク | 廃止 | - | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2156-2SA1405E-600057 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | BC80816MTF | 0.0600 | ![]() | 14 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | 310 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 25 v | 800 Ma | 100NA | PNP | 700mv @ 50ma 、500ma | 100 @ 100MA、1V | 100MHz | |||||||
![]() | KSA733GBU | 0.0200 | ![]() | 105 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | KSA733 | 250 MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 50 v | 150 Ma | 100na(icbo) | PNP | 300MV @ 10MA 、100mA | 200 @ 1MA 、6V | 180MHz | ||||
jansm2n3440 | 233.7316 | ![]() | 5578 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/368 | バルク | アクティブ | -55°C〜200°C | 穴を通して | to-205ad、to-39-3金属缶 | 800 MW | to-39 | - | 影響を受けていない | 150-JANSM2N3440 | 1 | 250 v | 1 a | 2µA | npn | 500MV @ 4MA 、50MA | 40 @ 20MA 、10V | - | |||||||||
![]() | BC807-40W/MI135 | 0.0200 | ![]() | 7245 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.21.0075 | 10,000 | |||||||||||||||||
![]() | 2SA1209S | - | ![]() | 8052 | 0.00000000 | sanyo | * | バルク | 廃止 | - | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2156-2SA1209S-600057 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | BC548C_J35Z | - | ![]() | 6027 | 0.00000000 | onsemi | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-226-3 | BC548 | 500 MW | to-92-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 30 V | 100 Ma | 15NA | npn | 600MV @ 5MA 、100mA | 420 @ 2MA 、5V | 300MHz | |||||
![]() | BC857BS_R1_00001 | 0.2400 | ![]() | 585 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 | BC857 | 150MW | SOT-363 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3757-BC857BS_R1_00001DKR | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45V | 100mA | 15NA | 2 PNP (デュアル) | 650mv @ 5ma 、100ma | 220 @ 2MA 、5V | 100MHz | |||
![]() | BC857BW-TP | 0.0355 | ![]() | 2267 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | アクティブ | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | BC857 | 150 MW | SOT-323 | ダウンロード | 353-BC857BW-TP | ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 45 v | 100 Ma | 15NA | PNP | 650mv @ 5ma 、100ma | 220 @ 2MA 、5V | 100MHz | ||||||
![]() | 2SARA41CT116R | 0.4200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | 2SARA41 | 200 MW | SST3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 120 v | 50 Ma | 500na(icbo) | PNP | 500MV @ 1MA 、10ma | 180 @ 2MA 、6V | 140MHz | ||||
![]() | PHPT60610py115 | - | ![]() | 2238 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | PBSS9110S、126 | - | ![]() | 9446 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-226-3 | PBSS9 | 830 MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 100 V | 1 a | 100NA | PNP | 320MV @ 100MA、1a | 150 @ 500MA 、5V | 100MHz | ||||
![]() | fjv4112rmtf | - | ![]() | 4917 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | TO-236-3 | FJV411 | 200 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 40 v | 100 Ma | 100na(icbo) | pnp-前バイアス | 300MV @ 1MA 、10ma | 100 @ 1MA 、5V | 200 MHz | 47 Kohms | |||||
![]() | 2N4449UB/TR | 25.7700 | ![]() | 4626 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -65°C〜200°C | 表面マウント | 4-SMD 、リードなし | 400 MW | ub | - | 100 | 15 V | 400na | npn | 450mv @ 10ma 、100ma | 40 @ 10ma、1V | - | |||||||||||
![]() | jansd2n2907aubc/tr | 306.0614 | ![]() | 4220 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/291 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 表面マウント | 3-SMD 、リードなし | 500 MW | UBC | - | 影響を受けていない | 150-jansd2n2907aubc/tr | 50 | 60 V | 600 Ma | 50NA | PNP | 1.6V @ 50ma 、500ma | 100 @ 150ma 、10V | - | ||||||||
![]() | MJD350T4G | 0.7300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -65°C〜150°C | 表面マウント | to-252-3 | MJD350 | 15 W | dpak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 300 V | 500 Ma | 100µA | PNP | - | 30 @ 50ma 、10V | - | ||||
![]() | BC849AW | 0.0361 | ![]() | 6118 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | BC849 | 200 MW | SOT-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BC849AWTR | ear99 | 8541.21.0075 | 18,000 | 30 V | 100 Ma | 15NA | npn | 600MV @ 5MA 、100mA | 110 @ 2MA 、5V | 100MHz | ||||
![]() | CA3046 | 60.3200 | ![]() | 83 | 0.00000000 | ロチェスターエレクトロニクス、LLC | * | バルク | アクティブ | CA304 | ダウンロード | 未定義のベンダー | 影響を受けた | 2156-CA3046-2156 | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | ||||||||||||||||
![]() | EC3201C-PM-TL | 0.0400 | ![]() | 20 | 0.00000000 | onsemi | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.21.0075 | 10,000 | |||||||||||||||||
NHDTC123JTVL | 0.2200 | ![]() | 7466 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | NHDTC123 | 250 MW | TO-236AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 80 v | 100 Ma | 100NA | npn-バイアス化 | 100MV @ 500µA 、10mA | 100 @ 10ma 、5v | 170 MHz | 2.2 KOHMS | 47 Kohms | ||||
![]() | PQMH9Z | 0.0300 | ![]() | 8934 | 0.00000000 | NXP半導体 | aec-q101 | バルク | アクティブ | 表面マウント | 6-XFDFN露出パッド | 230MW | DFN1010B-6 | - | 2156-PQMH9Z | 2,592 | 50V | 100mA | 1µA | 2 npn-バイアス化 | 100MV @ 250µA、5MA | 100 @ 5MA 、5V | 230MHz | 10kohms | 47kohms | ||||||||
BCV27-QR | 0.0692 | ![]() | 1795 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | 250 MW | TO-236AB | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1727-BCV27-QRTR | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 30 V | 500 Ma | 100NA | npn-ダーリントン | 1V @ 100µA 、100mA | 20000 @ 100MA 、5V | - |
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