画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 得 | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 抵抗 -ベース(r1) | 抵抗 -エミッターベース(r2) | ノイズフィギュア(DBタイプ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | emb60t2r | 0.3900 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOT-563、SOT-666 | Emb60 | 150MW | EMT6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50V | 100mA | 500na | 2 PNP 事前にバイアス(デュアル) | 150MV @ 500µA、5MA | 80 @ 5MA 、10V | 250MHz | 2kohms | 47kohms | |||||
![]() | DTA123YCAHZGT116 | 0.2100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | DTA123 | 350 MW | SST3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 100 Ma | - | pnp-前バイアス | 300MV @ 500µA 、10mA | 33 @ 10ma 、5v | 250 MHz | 2.2 KOHMS | 10 Kohms | ||||||
![]() | MPSA43 | 0.0700 | ![]() | 19 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-226-3 | 625 MW | to-92(to-226) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 200 v | 500 Ma | 100na(icbo) | npn | 500MV @ 2MA 、20MA | 25 @ 1MA 、10V | 50MHz | |||||||||
![]() | PMBT3904ys 、115 | 0.3200 | ![]() | 26 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 | PMBT3904 | 350MW | 6-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 40V | 200mA | 500na(icbo) | 2 NPN (デュアル) | 300mv @ 5ma 、50ma | 100 @ 10MA、1V | 300MHz | ||||||
![]() | MPSL51_D75Z | - | ![]() | 5380 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-226-3 | MPSL51 | 625 MW | to-92-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 100 V | 200 ma | 1µa(icbo) | PNP | 300mv @ 5ma 、50ma | 40 @ 50ma 、5v | 60MHz | |||||||
![]() | MMBTA42 | 0.0240 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | 300 MW | SOT-23 | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-MMBTA42TR | ear99 | 3,000 | 300 V | 300 Ma | 100na(icbo) | npn | 500MV @ 2MA 、20MA | 40 @ 30ma 、10V | 50MHz | ||||||||
![]() | hn1a01f-y(te85l | - | ![]() | 3952 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | カットテープ(CT) | アクティブ | 125°C (TJ) | 表面マウント | SC-74、SOT-457 | HN1A01 | 300MW | SM6 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 150ma | 100na(icbo) | 2 PNP (デュアル) | 300MV @ 10MA 、100mA | 120 @ 2MA 、6V | 80MHz | |||||||
![]() | ksc2258astu | 0.1200 | ![]() | 33 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-225AA、to-126-3 | 4 w | TO-126-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0075 | 60 | 300 V | 100 Ma | - | npn | 1.2V @ 5MA 、50ma | 40 @ 40ma 、20V | 100MHz | |||||||||
![]() | JAN2N2218AL | 8.4322 | ![]() | 1583 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/251 | バルク | アクティブ | -55°C〜200°C (TJ | 穴を通して | to-205aa、to-5-3 | 2N2218 | 800 MW | to-5 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 v | 800 Ma | 10na | npn | 1V @ 50ma 、500ma | 40 @ 150ma 、10V | - | ||||||
SD1488 | - | ![]() | 1882年年 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | バルク | 廃止 | 200°C (TJ) | 表面マウント | M111 | SD1488 | 117W | M111 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 25 | 5.8db | 16V | 8a | npn | 20 @ 1a 、5V | - | - | |||||||
![]() | KSC2233 | - | ![]() | 7846 | 0.00000000 | onsemi | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | KSC2233 | 40 W | TO-220-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 200 | 60 V | 4 a | 10µa(icbo) | npn | 1V @ 400MA 、4a | 30 @ 1a 、5V | 10MHz | |||||||
![]() | rn2114mfv、l3f | 0.2000 | ![]() | 7888 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOT-723 | RN2114 | 150 MW | vesm | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | pnp-前バイアス | 300mv @ 500µa 、5ma | 50 @ 10ma 、5v | 1 KOHMS | 10 Kohms | |||||||
jans2n3507a | 70.3204 | ![]() | 8772 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | to-205ad、to-39-3金属缶 | 1 W | to-39 | - | 影響を受けていない | 150-Jans2N3507A | 1 | 50 v | 3 a | 1µA | npn | 1.5V @ 250MA 、2.5a | 35 @ 500MA、1V | - | |||||||||||
![]() | BC338-40-B0 A1 | - | ![]() | 4614 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-226-3 | 625 MW | to-92 | - | 影響を受けていない | 1801-BC338-40-B0A1TB | 廃止 | 1 | 25 v | 800 Ma | 100na(icbo) | npn | 700mv @ 50ma 、500ma | 250 @ 100MA 、5V | 100MHz | |||||||||
![]() | BC56-10PA 、115 | 0.0600 | ![]() | 30 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 3-powerudfn | 420 MW | 3-HUSON (2x2) | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-BC56-10PA 、115-954 | 1 | 80 v | 1 a | 100na(icbo) | npn | 500MV @ 50MA 、500MA | 63 @ 150MA 、2V | 180MHz | |||||||||
![]() | BC308C_J35Z | - | ![]() | 7710 | 0.00000000 | onsemi | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-226-3 | BC308 | 500 MW | to-92-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 25 v | 100 Ma | 15na | PNP | 500MV @ 5MA 、100mA | 380 @ 2MA 、5V | 130MHz | |||||||
![]() | DRA9113Z0L | - | ![]() | 8377 | 0.00000000 | パナソニック電子コンポーネント | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | SC-89 、SOT-490 | DRA9113 | 125 MW | SSMINI3-F3-B | - | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | pnp-前バイアス | 250mv @ 500µa 、10ma | 30 @ 5ma 、10V | 1 KOHMS | 10 Kohms | |||||||
![]() | MPSA55-BP | - | ![]() | 5062 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-226-3 | MPSA55 | 625 MW | to-92 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 353-MPSA55-BP | ear99 | 8541.21.0095 | 1,000 | 80 v | 500 Ma | 100NA | PNP | 250MV @ 10MA 、100mA | 100 @ 100MA、1V | 50MHz | ||||||
![]() | PEMH13,115 | - | ![]() | 1197 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | pemh1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 4,000 | |||||||||||||||||||
![]() | NTE54MP | 9.0500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | nte Electronics、Inc | - | バッグ | アクティブ | -65°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | 2W | TO-220 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2368-NTE54MP | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - | 150V | 8a | npn | 40 @ 2a 、2V | 30MHz | - | ||||||||
![]() | BC858BLT1 | 0.0200 | ![]() | 492 | 0.00000000 | onsemi | - | バルク | 廃止 | BC858 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | ||||||||||||||||||
![]() | 2N3498U4/TR | 135.3150 | ![]() | 4480 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 表面マウント | 3-SMD 、リードなし | 1 W | U4 | - | 影響を受けていない | 150-2N3498U4/TR | ear99 | 8541.29.0095 | 100 | 100 V | 500 Ma | 50na(icbo) | npn | 600MV @ 30MA、300MA | 40 @ 150ma 、10V | - | ||||||||
![]() | tip32c | - | ![]() | 4328 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | tip32c | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | 2 W | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.29.0095 | 476 | 100 V | 3 a | 300µA | PNP | 1.2V @ 375MA、3a | 25 @ 1a 、4V | 3MHz | |||||||
![]() | BF723,115 | 0.4100 | ![]() | 892 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-261-4、TO-261AA | BF723 | 1.2 w | SOT-223 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 250 v | 100 Ma | 10na (icbo) | PNP | 600mv @ 5ma 、30ma | 50 @ 25ma 、20V | 60MHz | ||||||
![]() | DTA143XEFRATL | 0.2800 | ![]() | 6638 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | DTA143 | 150 MW | EMT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 100 Ma | - | pnp-前バイアス | 300MV @ 500µA 、10mA | 30 @ 10ma 、5v | 250 MHz | 4.7 Kohms | 10 Kohms | ||||||
![]() | MPSA43RLRAG | - | ![]() | 9775 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-226-3 | MPSA43 | 625 MW | to-92(to-226) | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 200 v | 500 Ma | 100na(icbo) | npn | 500MV @ 2MA 、20MA | 25 @ 1MA 、10V | 50MHz | |||||||
![]() | MT4S300U (TE85L | 0.6800 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-82A 、SOT-343 | MT4S300 | 250MW | USQ | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 16.9db | 4V | 50ma | npn | 200 @ 10MA、3V | 26.5GHz | 0.55dB @ 2GHz | |||||||
![]() | ULS2801H-883 | 20.7500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Allegro Microsystems | - | バルク | アクティブ | -55°C〜125°C | 穴を通して | 18-cdip (0.300 "、7.62mm) | ULS2801 | 1W | 18カーディップ | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 0000.00.0000 | 15 | 50V | 600MA | 100µA | 8 npnダーリントン | 1.6V @ 500µA、350MA | 1000 @ 350MA 、2V | - | ||||||
![]() | IMD10AMT1G | 0.4000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-74、SOT-457 | IMD10 | 285MW | SC-74R | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 500mA | 500na | 1 npn、1 pnp- バイアス前(デュアル) | 300MV @ 1MA 、10ma | 100 @ 1ma 、5v / 68 @ 100ma 、5v | - | 13KOHMS、130OHMS | 10kohms | |||||
![]() | 2PD601AR 115 | - | ![]() | 9988 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | 2PD60 | 250 MW | SMT3; mpak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 15,000 | 50 v | 100 Ma | 10na (icbo) | npn | 250MV @ 10MA 、100mA | 210 @ 2MA 、10V | 100MHz |
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