画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 抵抗 -ベース(r1) | 抵抗 -エミッターベース(r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BCX5616QTC | 0.0945 | ![]() | 1381 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-243AA | BCX5616 | 1 W | SOT-89-3 | ダウンロード | 影響を受けていない | 31-BCX5616QTCTR | ear99 | 8541.29.0075 | 4,000 | 80 v | 1 a | 100na(icbo) | npn | 500MV @ 50MA 、500MA | 100 @ 150ma 、2V | 150MHz | |||||
![]() | SMMBT5088LT1G | 0.4900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | SMMBT5088 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 30 V | 50 Ma | 50na(icbo) | npn | 500MV @ 1MA 、10ma | 300 @ 100µA 、5V | 50MHz | ||||
![]() | PDTB143EQAZ | 0.0579 | ![]() | 3181 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 3-XDFN露出パッド | PDTB143 | 325 MW | DFN1010D-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 934069266147 | ear99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 50 v | 500 Ma | 500na | pnp-前バイアス | 100MV @ 2.5MA 、50mA | 60 @ 50MA 、5V | 150 MHz | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | ||
![]() | PUMD9/ZLF | - | ![]() | 6478 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q101 | バルク | 廃止 | 表面マウント | 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 | PUMD9 | 300MW | 6-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | 50V | 100mA | 1µA | 1 npn、1 pnp- バイアス前(デュアル) | 100MV @ 250µA、5MA | 100 @ 5MA 、5V | 230MHz、180MHz | 10kohms | 47kohms | |||
![]() | CZT5401E BK | - | ![]() | 7438 | 0.00000000 | Corp | - | バルク | 廃止 | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-261-4、TO-261AA | 2 W | SOT-223 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 220 v | 600 Ma | 50NA | PNP | 500MV @ 5MA 、50mA | 60 @ 10ma 、5v | 300MHz | ||||||
BC848CW_R1_00001 | 0.1900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | BC848 | 250 MW | SOT-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3757-BC848CW_R1_00001CT | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 30 V | 100 Ma | 15NA | npn | 600MV @ 5MA 、100mA | 420 @ 2MA 、5V | 100MHz | ||||
![]() | BC857BTQ-7 | 0.0439 | ![]() | 1994年年 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOT-523 | BC857 | 150 MW | SOT-523 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45 v | 100 Ma | 15NA | PNP | 650mv @ 5ma 、100ma | 220 @ 2MA 、5V | 100MHz | ||||
![]() | RN2504 (TE85L | 0.4800 | ![]() | 247 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-74A 、SOT-753 | RN2504 | 300MW | SMV | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | 100na(icbo) | 2 pnp- バイアス(デュアル)(エミッタ結合) | 300MV @ 250µA 、5MA | 80 @ 10ma 、5v | 200MHz | 47kohms | 47kohms | ||||
![]() | MPSA42,116 | - | ![]() | 6226 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-226-3 | MPSA42 | 500 MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 300 V | 100 Ma | 100na(icbo) | npn | 500MV @ 2MA 、20MA | 40 @ 30ma 、10V | 50MHz | ||||
![]() | 2SA1020RLRAG | - | ![]() | 2852 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-226-3 | 2SA1020 | 900 MW | to-92(to-226) | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 50 v | 2 a | 1µa(icbo) | PNP | 500mv @ 50ma、1a | 70 @ 500MA 、2V | 100MHz | |||||
![]() | 2SD2661T100 | 0.2667 | ![]() | 7604 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-243AA | 2SD2661 | 2 W | MPT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 12 v | 2 a | 100na(icbo) | npn | 180mv @ 50ma、1a | 270 @ 200MA 、2V | 360MHz | ||||
![]() | jans2N5152U3 | 269.3620 | ![]() | 7017 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | mil-prf-19500/544 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 表面マウント | 3-SMD 、リードなし | 1 W | u3(md-0.5) | - | 影響を受けていない | 150-Jans2N5152U3 | 1 | 80 v | 2 a | 50µA | npn | 1.5V @ 500MA 、5a | 30 @ 2.5a 、5V | - | ||||||||
![]() | DSC9A01S0L | - | ![]() | 3841 | 0.00000000 | パナソニック電子コンポーネント | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-89 、SOT-490 | DSC9A01 | 125 MW | SSMINI3-F3-B | - | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 40 v | 50 Ma | 1µA | npn | 200mV @ 1MA 、10ma | 600 @ 2MA 、10V | 150MHz | |||||
![]() | CPH6121-TL-E | 0.1479 | ![]() | 7491 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-74、SOT-457 | CPH6121 | 1.3 w | 6 cph | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 3,000 | 12 v | 3 a | 100na(icbo) | PNP | 165MV @ 30MA 、1.5a | 200 @ 500MA 、2V | 380MHz | ||||
![]() | PUMH13/ZLX | - | ![]() | 3124 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q101 | バルク | 廃止 | 表面マウント | 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 | PUMH13 | 300MW | 6-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | 50V | 100mA | 1µA | 2 npn- バイアス(デュアル) | 100MV @ 250µA、5MA | 100 @ 10ma 、5v | 230MHz | 4.7kohms | 47kohms | |||
BC847BLD-7 | - | ![]() | 4875 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BC847 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45 v | 200 ma | 50NA | npn | 400MV @ 5MA 、100mA | 150 @ 10MA 、5V | 100MHz | |||||
![]() | tip33b | - | ![]() | 4233 | 0.00000000 | Corp | - | バルク | 廃止 | -65°C〜150°C | 穴を通して | TO-218-3 | 80 w | TO-218 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 100 | 80 v | 10 a | - | npn | - | 100 @ 3a 、4V | 3MHz | |||||
![]() | FPN530A | - | ![]() | 9054 | 0.00000000 | onsemi | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-226-3 | FPN5 | 1 W | TO-226 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 1,500 | 30 V | 3 a | 100na(icbo) | npn | 250MV @ 100MA、1A | 250 @ 100MA 、2V | 150MHz | |||||
![]() | KSA733LBU | - | ![]() | 2128 | 0.00000000 | onsemi | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | KSA733 | 250 MW | to-92-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 50 v | 150 Ma | 100na(icbo) | PNP | 300MV @ 10MA 、100mA | 350 @ 1MA 、6V | 180MHz | |||||
![]() | MUN2233T1 | - | ![]() | 6050 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | TO-236-3 | MUN2233 | 338 MW | SC-59 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | npn-バイアス化 | 250mv @ 300µa 、10ma | 80 @ 5MA 、10V | 4.7 Kohms | 47 Kohms | ||||
![]() | 2SA1668 | 1.8800 | ![]() | 5 | 0.00000000 | サンケン | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3フルパック | 25 W | TO-220F | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 2SA1668 DK | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 200 v | 2 a | 10µa(icbo) | PNP | 1V @ 70MA 、700MA | 60 @ 700MA 、10V | 20MHz | |||||
jansd2n2218a | 114.6304 | ![]() | 2041 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/251 | バルク | アクティブ | -55°C〜200°C (TJ | 穴を通して | to-205ad、to-39-3金属缶 | 800 MW | to-39 | - | 影響を受けていない | 150-jansd2n2218a | 1 | 50 v | 800 Ma | 10na | npn | 1V @ 50ma 、500ma | 40 @ 150ma 、10V | - | |||||||||
![]() | 2SA1987-O | 3.4500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-3pl | 2SA1987 | 180 W | to-3p | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | ear99 | 8541.29.0075 | 100 | 230 v | 15 a | 5µa(icbo) | PNP | 3V @ 800MA 、8a | 80 @ 1a 、5V | 30MHz | |||||
![]() | BCR169WE6327HTSA1 | - | ![]() | 6906 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | BCR169 | 250 MW | PG-SOT323 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 100na(icbo) | pnp-前バイアス | 300MV @ 500µA 、10mA | 120 @ 5MA 、5V | 200 MHz | 4.7 Kohms | |||||
![]() | RN1108MFV 、L3F | 0.1800 | ![]() | 29 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOT-723 | RN1108 | 150 MW | vesm | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | npn-バイアス化 | 300mv @ 500µa 、5ma | 80 @ 10ma 、5v | 22 Kohms | 47 Kohms | |||||
![]() | ksc2310ybu | - | ![]() | 2533 | 0.00000000 | onsemi | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | KSC2310 | 800 MW | to-92-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 500 | 150 v | 50 Ma | 100na(icbo) | npn | 500MV @ 1MA 、10ma | 120 @ 10MA 、5V | 100MHz | |||||
JANTX2N3421S | - | ![]() | 7533 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/393 | バルク | sicで中止されました | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | to-205ad、to-39-3金属缶 | 2N3421 | 1 W | to-39 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 3 a | 5µA | npn | 500MV @ 200MA 、2a | 40 @ 1a 、2V | - | |||||
![]() | tip34a | 1.6000 | ![]() | 430 | 0.00000000 | nte Electronics、Inc | - | バッグ | アクティブ | -65°C〜150°C | 穴を通して | TO-218-3 | 80 w | TO-218 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2368-TIP34A | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 V | 10 a | - | PNP | - | 100 @ 3a 、4V | 3MHz | ||||||
![]() | MJD50G | 0.8700 | ![]() | 7403 | 0.00000000 | onsemi | - | チューブ | アクティブ | -65°C〜150°C | 表面マウント | to-252-3 | MJD50 | 1.56 w | dpak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 75 | 400 V | 1 a | 200µA | npn | 1V @ 200MA、1a | 30 @ 300MA 、10V | 10MHz | ||||
![]() | PDTD113EQA147 | - | ![]() | 1306 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.21.0075 | 5,000 |
毎日の平均RFQボリューム
標準製品ユニット
世界的なメーカー
在庫倉庫