SIC
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双極（BJT ）（ 35082）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
UMD2NFHATR Rohm Semiconductor umd2nfhatr 0.4800
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Rohm Semiconductor aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 UMD2 150MW UMT6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 846-umd2nfhatr ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 500µA 、10mA 56 @ 5MA 、5V 250MHz 22kohms 22kohms
MMBT3906LT1 onsemi MMBT3906LT1 0.0200
RFQ
 ECAD 9413 0.00000000 onsemi - バルク 廃止 - 表面マウント TO-236-3 MMBT3906 225 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 3,000 40 v 200 ma - PNP 400mv @ 5ma 、50ma 100 @ 10ma、1V 250MHz
2N4870 NTE Electronics, Inc 2N4870 3.0000
RFQ
 ECAD 52 0.00000000 nte Electronics、Inc - バッグ アクティブ -65°C〜125°C 穴を通して TO-226-3 300 MW to-92 ダウンロード ROHS3準拠 2368-2N4870 ear99 8541.21.0095 1 - PNP - - -
BC846B_R1_00001 Panjit International Inc. BC846B_R1_00001 0.1900
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Panjit International Inc. BC846 テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 BC846 330 MW SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 3757-BC846B_R1_00001TR ear99 8541.21.0075 3,000 65 v 100 Ma 15NA npn 600MV @ 5MA 、100mA 200 @ 2MA 、5V -
PDTB123YK,115 NXP USA Inc. PDTB123YK 115 -
RFQ
 ECAD 7325 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント TO-236-3 PDTB123 250 MW SMT3; mpak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 500 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 2.5MA 、50mA 70 @ 50MA 、5V 2.2 KOHMS 10 Kohms
2SC5201,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5201 -
RFQ
 ECAD 4968 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC5201 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 1 600 V 50 Ma 1µa（icbo） npn 1V @ 500MA 、20MA 100 @ 20ma 、5v -
TIP12525 Harris Corporation TIP12525 -
RFQ
 ECAD 8782 0.00000000 ハリスコーポレーション * バルク アクティブ - ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 1
JANSD2N4449 Microchip Technology jansd2n4449 129.0708
RFQ
 ECAD 7893 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/317 バルク アクティブ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して to-206ab、to-46-3金属缶 500 MW to-46 - 影響を受けていない 150-Jansd2N4449 1 15 V 400na npn 450mv @ 10ma 、100ma 20 @ 100MA、1V -
QSX7TR Rohm Semiconductor QSX7TR 0.2279
RFQ
 ECAD 1468 0.00000000 Rohm Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 QSX7 500MW TSMT6（SC-95） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 3,000 12V 1.5a 100na（icbo） 2 NPN （デュアル） 200mV @ 25ma 、500ma 270 @ 200MA 、2V 400MHz
NJVNJD35N04G onsemi njvnjd35n04g -
RFQ
 ECAD 2287 0.00000000 onsemi - チューブ 廃止 -65°C〜150°C 表面マウント to-252-3 njvnjd35 45 W dpak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 75 350 V 4 a 50µA npn-ダーリントン 1.5V @ 20MA 、2a 2000 @ 2a 、2V 90MHz
NJVTIP31G onsemi NJVTIP31G 0.3000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 onsemi * バルク アクティブ - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けた ear99 8542.39.0001 987
2N4029 Microchip Technology 2N4029 8.4189
RFQ
 ECAD 9046 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して to-206aa 2N4029 500 MW TO-18 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 1 80 v 1 a 10µa（icbo） PNP 1V @ 100MA、1a 100 @ 100MA 、5V -
JANKCDM2N5154 Microchip Technology JANKCDM2N5154 -
RFQ
 ECAD 6656 0.00000000 マイクロチップテクノロジー mil-prf-19500/544 バルク アクティブ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して to-205ad、to-39-3金属缶 1 W to-39 - 影響を受けていない 150-jankcdm2n5154 100 80 v 2 a 50µA npn 1.5V @ 500MA 、5a 70 @ 2.5a 、5V -
MMBTA13_D87Z onsemi MMBTA13_D87Z -
RFQ
 ECAD 2024 0.00000000 onsemi - テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 MMBTA13 350 MW SOT-23-3 - 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 10,000 30 V 1.2 a 100na（icbo） npn-ダーリントン 1.5V @ 100µA 、100mA 10000 @ 100MA 、5V 125MHz
BC846B RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC846B RFG 0.2200
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 台湾半導体コーポレーション - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 BC846 200 MW SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 3,000 65 v 100 Ma 100na（icbo） npn 500MV @ 5MA 、100mA 200 @ 2MA 、5V 100MHz
RN2704,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2704 、LF 0.3100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 5-TSSOP 、SC-70-5 、SOT-353 RN2704 200mw USV ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500na 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 47kohms 47kohms
2SD1835-BP Micro Commercial Co 2SD1835-BP -
RFQ
 ECAD 7382 0.00000000 Micro Commercial Co - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 2SD1835 750 MW to-92 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 353-2SD1835-BP ear99 8541.21.0075 1,000 50 v 2 a 100na（icbo） npn 400mv @ 50ma、1a 100 @ 100MA 、2V 150MHz
2SC2690-AZ Renesas Electronics America Inc 2SC2690-AZ 0.5900
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * バルク アクティブ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0075 508
JANTXV2N3635UB Microchip Technology jantxv2n3635ub -
RFQ
 ECAD 3206 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/357 バルク sicで中止されました -65°C〜200°C （TJ） 表面マウント 3-SMD 、リードなし 1.5 w 3-SMD ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 140 v 1 a 10µA PNP 600mv @ 5ma 、50ma 100 @ 50ma 、10V -
BC369-BP Micro Commercial Co BC369-BP -
RFQ
 ECAD 9408 0.00000000 Micro Commercial Co - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 BC369 625 MW to-92 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 353-BC369-BP ear99 8541.21.0095 1,000 20 v 1 a 10µa（icbo） PNP 500MV @ 100MA、1a 85 @ 500MA、1V 65MHz
2SC2690A-S1-AZ Renesas Electronics America Inc 2SC2690A-S1-AZ 0.5900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * バルク アクティブ - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0075 1
SBC847BDW1T3G onsemi SBC847BDW1T3G 0.4700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 onsemi aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 SBC847 380MW SC-88/SC70-6/SOT-363 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 10,000 45V 100mA 15NA 2 NPN （デュアル） 600MV @ 5MA 、100mA 200 @ 2MA 、5V 100MHz
DTC143ZE-TP Micro Commercial Co DTC143ZE-TP 0.1900
RFQ
 ECAD 2812 0.00000000 Micro Commercial Co - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-523 DTC143 150 MW SOT-523 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250 MHz 4.7 Kohms
2N4401-BP Micro Commercial Co 2N4401-BP -
RFQ
 ECAD 2060 0.00000000 Micro Commercial Co 2N4401 バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 2N4401 625 MW to-92 ダウンロード ROHS3準拠 353-2N4401-bp ear99 8541.21.0075 1 40 v 600 Ma 100NA npn 750mv @ 50ma 、500ma 100 @ 150ma、1V 250MHz
2N3499UB Microchip Technology 2N3499UB 27.9450
RFQ
 ECAD 7640 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -65°C〜200°C （TJ） 表面マウント 3-SMD 、リードなし 1 W ub - 影響を受けていない 150-2N3499UB ear99 8541.29.0095 1 100 V 500 Ma 10µa（icbo） npn 600MV @ 30MA、300MA 100 @ 150ma 、10V -
PBLS4001Y,115 NXP USA Inc. PBLS4001Y 、115 0.0700
RFQ
 ECAD 345 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PBLS40 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 3,000
2N4225 Microchip Technology 2N4225 14.3550
RFQ
 ECAD 1280 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ - 穴を通して to-205aa、to-5-3 5 W to-5aa - 影響を受けていない 150-2N4225 ear99 8541.29.0095 1 40 v 3 a - npn - - -
BC556TFR onsemi BC556TFR -
RFQ
 ECAD 4368 0.00000000 onsemi - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 穴を通して to-226-3 BC556 500 MW to-92-3 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 2,000 65 v 100 Ma 15NA PNP 650mv @ 5ma 、100ma 110 @ 2MA 、5V 150MHz
JANSL2N3440L Microchip Technology jansl2n3440l 233.7316
RFQ
 ECAD 7136 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/368 バルク アクティブ -55°C〜200°C 穴を通して to-205aa、to-5-3 800 MW to-5aa - 影響を受けていない 150-jansl2n3440l 1 250 v 1 a 2µA npn 500MV @ 4MA 、50MA 40 @ 20MA 、10V -
DXTP07040CFG-7 Diodes Incorporated DXTP07040CFG-7 0.1911
RFQ
 ECAD 2826 0.00000000 ダイオードが組み込まれています aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント、濡れ可能な側面 8-POWERVDFN DXTP07040 900 MW PowerDi3333-8 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 2,000 40 v 3 a 20na（icbo） PNP 500mv @ 50ma 、2a 300 @ 10MA 、2V 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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