SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) 現在 -コレクター(IC )(最大) 現在 -コレクターカットオフ(最大) トランジスタタイプ vce 飽和(max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース(r1) 抵抗 -エミッターベース(r2) ノイズフィギュア(DBタイプ @ f)
2SD1768STPQ Rohm Semiconductor 2SD1768STPQ -
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ECAD 4813 0.00000000 Rohm Semiconductor - テープ&ボックス( TB) 廃止 150°C (TJ) 穴を通して SC-72はリードを形成しました 300 MW spt ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 5,000 80 v 1 a 1µa(icbo) npn 400mv @ 20ma 、500ma 120 @ 500MA 、3V 100MHz
PMBT2227AYS-QH Nexperia USA Inc. PMBT2227AYS-QH 0.0620
RFQ
ECAD 6956 0.00000000 Nexperia USA Inc. aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 PMBT2227 250MW 6-tssop ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない 1727-PMBT2227AYS-QHTR ear99 8541.21.0095 3,000 40V 600MA 10na (icbo) NPN、PNP 1V @ 50ma 、500ma / 1.6v @ 50ma 、500ma 100 @ 150ma 、10V 300MHz 、200MHz
FJV992FMTF onsemi fjv992fmtf 0.3200
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ECAD 71 0.00000000 onsemi - テープ&リール( tr) アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント TO-236-3 FJV992 300 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000 120 v 50 Ma - PNP 300MV @ 1MA 、10ma 300 @ 1MA 、6V 50MHz
UNR521V00L Panasonic Electronic Components UNR521V00L -
RFQ
ECAD 4415 0.00000000 パナソニック電子コンポーネント - テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント SC-70、SOT-323 UNR521 150 MW smini3-g1 ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 250mv @ 1.5ma 、10ma 6 @ 6MA 、10V 150 MHz 2.2 KOHMS 2.2 KOHMS
DDTC115TE-7-F Diodes Incorporated DDTC115TE-7-F 0.0605
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ECAD 2327 0.00000000 ダイオードが組み込まれています - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SOT-523 DDTC115 150 MW SOT-523 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na(icbo) npn-バイアス化 300MV @ 100µA、1MA 100 @ 1MA 、5V 250 MHz 100 Kohms
MJE18004 onsemi MJE18004 -
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ECAD 1776 0.00000000 onsemi SwitchMode™ チューブ 廃止 -65°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 MJE18004 75 W TO-220 ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない MJE18004OS ear99 8541.29.0095 50 450 v 5 a 100µA npn 750MV @ 500MA 、2.5a 14 @ 300MA 、5V 13MHz
JANS2N3741 Microchip Technology jans2N3741 978.4320
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ECAD 2549 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/441 バルク アクティブ -55°C〜200°C (TJ 穴を通して TO-213AA、to-66-2 25 W to-66(to-213aa - ROHS非準拠 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 80 v 10 µA 10µA PNP 600mv @ 1.25ma、1a 30 @ 250ma、1V -
BC33816BU onsemi BC33816BU -
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ECAD 8740 0.00000000 onsemi - バルク 廃止 150°C (TJ) 穴を通して TO-226-3 BC338 625 MW to-92-3 ダウンロード 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 1,000 25 v 800 Ma 100NA npn 700mv @ 50ma 、500ma 100 @ 100MA、1V 100MHz
2SC4616E-E onsemi 2SC4616E-E 0.4300
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ECAD 3 0.00000000 onsemi * バルク アクティブ - 適用できない 1 (無制限) 未定義のベンダー ear99 8541.29.0075 1
DTB743ZMT2L Rohm Semiconductor DTB743ZMT2L 0.1035
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ECAD 3635 0.00000000 Rohm Semiconductor - テープ&リール( tr) 新しいデザインではありません 表面マウント SOT-723 DTB743 150 MW VMT3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 8,000 30 V 200 ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 2.5MA 、50mA 140 @ 100MA 、2V 260 MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
BCR 179L3 E6327 Infineon Technologies BCR 179L3 E6327 -
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ECAD 4721 0.00000000 Infineon Technologies - テープ&リール( tr) sicで中止されました 表面マウント SC-101 、SOT-883 BCR 179 250 MW PG-TSLP-3-4 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 15,000 50 v 100 Ma 100na(icbo) pnp-前バイアス 300MV @ 500µA 、10mA 120 @ 5MA 、5V 150 MHz 10 Kohms
PEMD12,115 NXP Semiconductors PEMD12,115 0.0700
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ECAD 4 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 1 (無制限) 影響を受けていない 2156-PEMD12,115-954 4,699
RN1701JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn1701je 0.4700
RFQ
ECAD 12 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SOT-553 RN1701 100MW ESV ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na(icbo) 2 npn- バイアス(デュアル)(エミッタ結合) 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 250MHz 4.7kohms 4.7kohms
UNR92ANG0L Panasonic Electronic Components UNR92ANG0L 0.1000
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ECAD 1 0.00000000 パナソニック電子コンポーネント - テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント SC-89 、SOT-490 UNR92A 125 MW SSMINI3-F3 ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 80 Ma 500na npn-バイアス化 250mv @ 300µa 、10ma 80 @ 5MA 、10V 150 MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
SMUN2130T1 onsemi SMUN2130T1 0.0200
RFQ
ECAD 87 0.00000000 onsemi * バルク アクティブ ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000
FJN3303BU Fairchild Semiconductor FJN3303BU -
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ECAD 6963 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C (TJ) 穴を通して TO-226-3 1.1 w to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,000 400 V 1.5 a 10µa(icbo) npn 3V @ 500MA 、1.5a 14 @ 500MA 、2V 4MHz
2N5583 Solid State Inc. 2N5583 3.9000
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ECAD 50 0.00000000 Solid State Inc. - アクティブ -65°C〜200°C (TJ) 穴を通して to-205ad、to-39-3金属缶 1W to-39 ダウンロード ROHS3準拠 適用できない 2383-2N5583 ear99 8541.10.0080 10 - 30V 500mA PNP 25 @ 100MA 、2V 1.3GHz -
2N2975 Microchip Technology 2N2975 33.4200
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ECAD 5445 0.00000000 マイクロチップテクノロジー * バルク アクティブ 2N297 - 影響を受けていない 150-2N2975 1
RN1110(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage rn1110 -
RFQ
ECAD 5975 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント SC-75、SOT-416 RN1110 100 MW SSM ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na(icbo) npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250 MHz 4.7 Kohms
TTA008B,Q Toshiba Semiconductor and Storage TTA008B、Q 0.6600
RFQ
ECAD 250 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - トレイ アクティブ 150°C (TJ) 穴を通して TO-225AA、to-126-3 1.5 w 〜126n ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 250 80 v 2 a 100na(icbo) PNP 500MV @ 100MA、1a 100 @ 500MA 、2V 100MHz
KSB1121TTF onsemi KSB1121TTF -
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ECAD 9452 0.00000000 onsemi - テープ&リール( tr) 廃止 150°C (TJ) 表面マウント TO-243AA KSB11 1.3 w SOT-89-3 ダウンロード 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 4,000 25 v 2 a 100na(icbo) PNP 600MV @ 75MA 、1.5a 200 @ 100MA 、2V 150MHz
MUN5111T1 onsemi MUN5111T1 -
RFQ
ECAD 1673 0.00000000 onsemi - バルク 廃止 Mun51 ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000
SPS9558RLRA onsemi SPS9558RLRA -
RFQ
ECAD 3648 0.00000000 onsemi * バルク アクティブ - 0000.00.0000 1
NSVMUN5131T1G onsemi NSVMUN5131T1G 0.3400
RFQ
ECAD 9 0.00000000 onsemi - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 NSVMUN5131 202 MW SC-70-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 250MV @ 5MA 、10MA 8 @ 5MA 、10V 2.2 KOHMS 2.2 KOHMS
DDTC144TUA-7 Diodes Incorporated DDTC144TUA-7 -
RFQ
ECAD 7885 0.00000000 ダイオードが組み込まれています ddtc(r1のみシリーズ)ua テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 DDTC144 200 MW SOT-323 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na(icbo) npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、2.5mA 100 @ 1MA 、5V 250 MHz 47 Kohms
MJE15031 NTE Electronics, Inc MJE15031 1.8400
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ECAD 119 0.00000000 nte Electronics、Inc - バッグ アクティブ -65°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 50 W TO-220 ダウンロード ROHS非準拠 2368-MJE15031 ear99 8541.29.0095 1 150 v 8 a 100µA PNP 500MV @ 100MA、1a 20 @ 4a 、2V 30MHz
FJX4013RTF onsemi fjx4013rtf -
RFQ
ECAD 8829 0.00000000 onsemi - テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント SC-70、SOT-323 FJX401 200 MW SOT-323 ダウンロード 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na(icbo) pnp-前バイアス 300MV @ 500µA 、10mA 68 @ 5MA 、5V 200 MHz 2.2 KOHMS 47 Kohms
KST63MTF Fairchild Semiconductor KST63MTF -
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ECAD 1399 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 - 表面マウント TO-236-3 350 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 3,000 30 V 500 Ma 100na(icbo) pnp-ダーリントン 1.5V @ 100µA 、100mA 10000 @ 100MA 、5V 125MHz
PDTA114TE,115 NXP USA Inc. PDTA114TE 、115 -
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ECAD 4848 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント SC-75、SOT-416 PDTA114 150 MW SC-75 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 1µA pnp-前バイアス 150mv @ 500µa 、10ma 200 @ 1MA 、5V 10 Kohms
MMBTA56-HF Comchip Technology MMBTA56-HF 0.3300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 comchipテクノロジー - テープ&リール( tr) アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント TO-236-3 MMBTA56 225 MW SOT-23-3 - ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 80 v 500 Ma 1µA PNP 250MV @ 10MA 、100mA 100 @ 100MA、1V 50MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫