SIC
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トランジスタ（61）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス 入力 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） vce（on max） @ vge 現在 -コレクターカットオフ（最大） NTCサーミスタ 入力容量（ cies @ vce
GA20SICP12-247 GeneSiC Semiconductor GA20SICP12-247 -
RFQ
 ECAD 4247 0.00000000 遺伝的半導体 - チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-247-3 sic （シリコンカーバイドジャンクショントランジスタ） TO-247AB ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 - 1200 v 45a（tc） - 50mohm @ 20a - - 3091 PF @ 800 V - 282W
G3R60MT07J GeneSiC Semiconductor G3R60MT07J 10.7000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 遺伝的半導体 G3R™ チューブ アクティブ - 表面マウント TO-263-8 sicfet （炭化シリコン） TO-263-7 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 1242-G3R60MT07J ear99 8541.29.0095 50 - 750 V - - - - +20V、 -10V - -
GA08JT17-247 GeneSiC Semiconductor GA08JT17-247 -
RFQ
 ECAD 7236 0.00000000 遺伝的半導体 - チューブ 廃止 175°C （TJ） 穴を通して TO-247-3 sic （シリコンカーバイドジャンクショントランジスタ） TO-247AB ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 30 - 1700 v 8a（tc）（90°C） - 250mohm @ 8a - - - 48W （TC）
2N7640-GA GeneSiC Semiconductor 2N7640-ga -
RFQ
 ECAD 5917 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 -55°C〜225°C 表面マウント TO-276AA sic （シリコンカーバイドジャンクショントランジスタ） TO-276 - ROHS非準拠 1 （無制限） 1242-1151 ear99 8541.29.0095 10 - 650 V 16a（tc）（155°C） - 105mohm @ 16a - - 1534 PF @ 35 v - 330W
G3R60MT07D GeneSiC Semiconductor G3R60MT07D 10.1400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 遺伝的半導体 G3R™ チューブ アクティブ - 穴を通して TO-247-3 sicfet （炭化シリコン） TO-247-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 1242-G3R60MT07D ear99 8541.29.0095 30 - 750 V - - - - +20V、 -10V - -
G3R45MT17K GeneSiC Semiconductor G3R45MT17K 33.0700
RFQ
 ECAD 900 0.00000000 遺伝的半導体 G3R™ チューブ アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-247-4 G3R45 sicfet （炭化シリコン） TO-247-4 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 1242-G3R45MT17K ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 1700 v 61a（tc） 15V 58mohm @ 40a、15V 2.7V @ 8MA 182 NC @ 15 V ±15V 4523 PF @ 1000 V - 438W
GA05JT12-263 GeneSiC Semiconductor GA05JT12-263 -
RFQ
 ECAD 4245 0.00000000 遺伝的半導体 - チューブ 廃止 175°C （TJ） 表面マウント TO-263-8 GA05JT12 sic （シリコンカーバイドジャンクショントランジスタ） TO-263-7 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 - 1200 v 15a（tc） - - - - - 106W
GA20JT12-247 GeneSiC Semiconductor GA20JT12-247 -
RFQ
 ECAD 9649 0.00000000 遺伝的半導体 - チューブ 廃止 175°C （TJ） 穴を通して TO-247-3 sic （シリコンカーバイドジャンクショントランジスタ） TO-247AB ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 30 - 1200 v 20a（tc） - 70mohm @ 20a - - - 282W
2N7636-GA GeneSiC Semiconductor 2N7636-ga -
RFQ
 ECAD 8687 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 -55°C〜225°C 表面マウント TO-276AA sic （シリコンカーバイドジャンクショントランジスタ） TO-276 - ROHS非準拠 1 （無制限） 1242-1147 ear99 8541.29.0095 10 - 650 V 4a（tc）（165°C） - 415mohm @ 4a - - 324 PF @ 35 v - 125W
G3R160MT12J GeneSiC Semiconductor G3R160MT12J 7.2600
RFQ
 ECAD 356 0.00000000 遺伝的半導体 G3R™ チューブ アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-8 G3R160 sicfet （炭化シリコン） TO-263-7 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 1242-G3R160MT12J ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 1200 v 19a（tc） 15V 208mohm @ 10a、15V 2.7V @ 5MA（タイプ） 23 NC @ 15 V +20V、 -10V 724 PF @ 800 V - 128W （TC）
GA50JT12-263 GeneSiC Semiconductor GA50JT12-263 -
RFQ
 ECAD 6024 0.00000000 遺伝的半導体 * チューブ 廃止 - 1 （無制限） 廃止 50 - -
G3R75MT12K GeneSiC Semiconductor G3R75MT12K 10.7700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 遺伝的半導体 G3R™ チューブ アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-247-4 G3R75 sicfet （炭化シリコン） TO-247-4 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 1242-G3R75MT12K ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 1200 v 41a（tc） 15V 90mohm @ 20a、15V 2.69V @ 7.5ma 54 NC @ 15 V ±15V 1560 pf @ 800 v - 207W
GA50JT12-247 GeneSiC Semiconductor GA50JT12-247 -
RFQ
 ECAD 1823年 0.00000000 遺伝的半導体 - チューブ 廃止 175°C （TJ） 穴を通して TO-247-3 sic （シリコンカーバイドジャンクショントランジスタ） TO-247AB ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 30 - 1200 v 100a（tc） - 25mohm @ 50a - - 7209 PF @ 800 V - 583W （TC）
GA100JT12-227 GeneSiC Semiconductor GA100JT12-227 -
RFQ
 ECAD 2862 0.00000000 遺伝的半導体 - チューブ 廃止 -55°C〜175°C シャーシマウント SOT-227-4、ミニブロック sic （シリコンカーバイドジャンクショントランジスタ） SOT-227 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 10 - 1200 v 160a（tc） - 10mohm @ 100a - - 14400 PF @ 800 V - 535W （TC）
2N7638-GA GeneSiC Semiconductor 2N7638-ga -
RFQ
 ECAD 2645 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 -55°C〜225°C 表面マウント TO-276AA sic （シリコンカーバイドジャンクショントランジスタ） TO-276 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 1242-1149 ear99 8541.29.0095 10 - 650 V 8a（tc）（158°C） - 170mohm @ 8a - - 720 pf @ 35 v - 200W （TC）
G3R40MT12K GeneSiC Semiconductor G3R40MT12K 17.6700
RFQ
 ECAD 4250 0.00000000 遺伝的半導体 G3R™ チューブ アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-247-4 G3R40 sicfet （炭化シリコン） TO-247-4 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 1242-G3R40MT12K ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 1200 v 71a（tc） 15V 48mohm @ 35a、15V 2.69V @ 10MA 106 NC @ 15 V ±15V 2929 PF @ 800 V - 333W （TC）
GA05JT03-46 GeneSiC Semiconductor GA05JT03-46 -
RFQ
 ECAD 4907 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 -55°C〜225°C 穴を通して to-46-3 GA05JT03 sic （シリコンカーバイドジャンクショントランジスタ） to-46 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 1242-1252 ear99 8541.29.0095 200 - 300 V 9a（tc） - 240mohm @ 5a - - - 20W （TC）
2N7637-GA GeneSiC Semiconductor 2N7637-ga -
RFQ
 ECAD 1163 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 -55°C〜225°C 穴を通して TO-257-3 sic （シリコンカーバイドジャンクショントランジスタ） TO-257 - ROHS非準拠 1 （無制限） 1242-1148 ear99 8541.29.0095 10 - 650 V 7a（tc）（165°C） - 170mohm @ 7a - - 720 pf @ 35 v - 80W
GA10JT12-247 GeneSiC Semiconductor GA10JT12-247 -
RFQ
 ECAD 9924 0.00000000 遺伝的半導体 - チューブ 廃止 175°C （TJ） 穴を通して TO-247-3 sic （シリコンカーバイドジャンクショントランジスタ） TO-247AB ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 30 - 1200 v 10a（tc） - 140mohm @ 10a - - - 170W
GA100SCPL12-227E GeneSiC Semiconductor GA100SCPL12-227E -
RFQ
 ECAD 2987 0.00000000 遺伝的半導体 - チューブ 廃止 - - - GA100 - - - - 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 10 - - - - - - - -
GA04JT17-247 GeneSiC Semiconductor GA04JT17-247 -
RFQ
 ECAD 7798 0.00000000 遺伝的半導体 - チューブ 廃止 175°C （TJ） 穴を通して TO-247-3 sic （シリコンカーバイドジャンクショントランジスタ） TO-247AB ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 30 - 1700 v 4a（tc）（95°C） - 480mohm @ 4a - - - 106W
G3R40MT12J GeneSiC Semiconductor G3R40MT12J 17.9800
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 遺伝的半導体 G3R™ チューブ アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-8 G3R40 sicfet （炭化シリコン） TO-263-7 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 1242-G3R40MT12J ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 1200 v 75a（tc） 15V 48mohm @ 35a、15V 2.69V @ 10MA 106 NC @ 15 V ±15V 2929 PF @ 800 V - 374W
G3R30MT12J GeneSiC Semiconductor G3R30MT12J 22.8300
RFQ
 ECAD 489 0.00000000 遺伝的半導体 G3R™ チューブ アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-8 G3R30 sicfet （炭化シリコン） TO-263-7 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 1242-G3R30MT12J ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 1200 v 96a（tc） 15V 36mohm @ 50a、15V 2.69V @ 12MA 155 NC @ 15 V ±15V 3901 PF @ 800 V - 459W （TC）
G3R160MT12D GeneSiC Semiconductor G3R160MT12D 6.5200
RFQ
 ECAD 8130 0.00000000 遺伝的半導体 G3R™ チューブ アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-247-3 G3R160 sicfet （炭化シリコン） TO-247-3 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 1242-G3R160MT12D ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 1200 v 22a（tc） 15V 192mohm @ 10a、15V 2.69V @ 5MA 28 NC @ 15 V ±15V 730 pf @ 800 v - 123W
GA100JT17-227 GeneSiC Semiconductor GA100JT17-227 -
RFQ
 ECAD 8479 0.00000000 遺伝的半導体 - チューブ 廃止 -55°C〜175°C シャーシマウント SOT-227-4、ミニブロック sic （シリコンカーバイドジャンクショントランジスタ） SOT-227 ダウンロード 1 （無制限） 1242-1314 ear99 8541.29.0095 10 - 1700 v 160a（tc） - 10mohm @ 100a - - 14400 PF @ 800 V - 535W （TC）
G3R60MT07K GeneSiC Semiconductor G3R60MT07K 10.4000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 遺伝的半導体 G3R™ チューブ アクティブ - 穴を通して TO-247-4 sicfet （炭化シリコン） TO-247-4 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 1242-G3R60MT07K ear99 8541.29.0095 30 - 750 V - - - - +20V、 -10V - -
G3R40MT12D GeneSiC Semiconductor G3R40MT12D 17.4200
RFQ
 ECAD 6690 0.00000000 遺伝的半導体 G3R™ チューブ アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-247-3 G3R40 sicfet （炭化シリコン） TO-247-3 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 1242-G3R40MT12D ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 1200 v 71a（tc） 15V 48mohm @ 35a、15V 2.69V @ 10MA 106 NC @ 15 V ±15V 2929 PF @ 800 V - 333W （TC）
GB100XCP12-227 GeneSiC Semiconductor GB100XCP12-227 -
RFQ
 ECAD 4226 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 -40°C〜175°C シャーシマウント SOT-227-4 標準 SOT-227 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 10 シングル pt 1200 v 100 a 2V @ 15V、100A 1 Ma いいえ 8.55 nf @ 25 v
G3R45MT17D GeneSiC Semiconductor G3R45MT17D 32.7300
RFQ
 ECAD 4427 0.00000000 遺伝的半導体 G3R™ チューブ アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-247-3 G3R45 sicfet （炭化シリコン） TO-247-3 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 1242-G3R45MT17D ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 1700 v 61a（tc） 15V 58mohm @ 40a、15V 2.7V @ 8MA 182 NC @ 15 V ±15V 4523 PF @ 1000 V - 438W
G3R12MT12K GeneSiC Semiconductor G3R12MT12K 69.1800
RFQ
 ECAD 8861 0.00000000 遺伝的半導体 - チューブ アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-247-4 G3R12M sicfet （炭化シリコン） TO-247-4 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 1242-G3R12MT12K ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 1200 v 157a（tc） 15V、18V 13mohm @ 100a、18V 2.7V @ 50ma 288 NC @ 15 V +22V、-10V 9335 PF @ 800 V - 567W （TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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