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トランジスタ（506）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 電圧 -定格 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 頻度 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 現在の評価（ amp） 現在 -テスト 電力 -出力 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ノイズ図 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 電圧 -テスト 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
PHPT60415PYX NXP Semiconductors phpt60415pyx 0.2300
RFQ
 ECAD 53 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 175°C （TJ） 表面マウント SC-100 、SOT-669 1.5 w LFPAK56 、POWER-SO8 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PHPT60415PYX-954 ear99 8541.29.0075 1,280 40 v 15 a 100NA PNP 850mv @ 1.5a、15a 200 @ 500MA 、2V 80MHz
BSR16/DG/B4215 NXP Semiconductors BSR16/DG/B4215 0.0700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-BSR16/DG/B4215-954 1
BCW32,215 NXP Semiconductors BCW32,215 0.0200
RFQ
 ECAD 204 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 250 MW TO-236AB ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BCW32,215-954 1 32 v 100 Ma 100na（icbo） npn 210MV @ 2.5MA 、50MA 200 @ 2MA 、5V 100MHz
PMSS3906,115 NXP Semiconductors PMSS3906,115 0.0200
RFQ
 ECAD 387 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 200 MW SOT-323 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PMSS3906,115-954 1 40 v 100 Ma 50na（icbo） PNP 400mv @ 5ma 、50ma 100 @ 10ma、1V 150MHz
BC847BMB,315 NXP Semiconductors BC847BMB 、315 -
RFQ
 ECAD 7811 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SC-101 、SOT-883 250 MW DFN1006B-3 ダウンロード 0000.00.0000 1 45 v 100 Ma 15NA npn 400MV @ 5MA 、100mA 200 @ 2MA 、5V 100MHz
PDTC143ZMB,315 NXP Semiconductors PDTC143ZMB 、315 0.0300
RFQ
 ECAD 126 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PDTC143ZMB 、315-954 1
PEMB2,115 NXP Semiconductors pemb2,115 -
RFQ
 ECAD 2804 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PEMB2,115-954 1
BUK7575-55A,127 NXP Semiconductors BUK7575-55A 、127 0.3600
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 NXP半導体 trenchmos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-BUK7575-55A、127-954 ear99 0000.00.0000 1 nチャネル 55 v 20.3a 10V 75mohm @ 10a 、10V 4V @ 1MA ±20V 483 PF @ 25 V - 62W
PDTA114YM,315 NXP Semiconductors PDTA114ym 、315 0.0200
RFQ
 ECAD 92 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PDTA114ym 、315-954 15,000
PDTC143TU,115 NXP Semiconductors PDTC143TU 、115 0.0200
RFQ
 ECAD 121 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PDTC143TU 、115-954 1
PMST2222,115 NXP Semiconductors PMST222,115 0.0200
RFQ
 ECAD 540 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 200 MW SOT-323 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PMST2222,115-954 1 30 V 600 Ma 10na （icbo） npn 1.6V @ 50ma 、500ma 100 @ 150ma 、10V 250MHz
CLF1G0035S-100 NXP Semiconductors CLF1G0035S-100 -
RFQ
 ECAD 2110 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-CLF1G0035S-100-954 1
PDTC114EMB,315 NXP Semiconductors PDTC114EMB 315 -
RFQ
 ECAD 1308 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 表面マウント SC-101 、SOT-883 PDTC114 250 MW DFN1006B-3 ダウンロード 0000.00.0000 1 50 v 100 Ma 1µA npn-バイアス化 150mv @ 500µa 、10ma 30 @ 5MA 、5V 230 MHz 10 Kohms 10 Kohms
BC847BV,315 NXP Semiconductors BC847BV 、315 -
RFQ
 ECAD 8733 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-563、SOT-666 BC847 300MW SOT-666 ダウンロード 2156-BC847BV、315-NEX 0000.00.0000 1 45V 100mA 15NA 2 NPN （デュアル） 300MV @ 5MA 、100mA 200 @ 2MA 、5V 100MHz
PDTD113ZT,215 NXP Semiconductors PDTD113ZT 、215 0.0300
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ PDTD113 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PDTD113ZT 、215-954 ear99 8541.21.0095 10,764
PDTC143EQAZ NXP Semiconductors PDTC143EQAZ 0.0300
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ PDTC143 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PDTC143EQAZ-954 ear99 8541.21.0075 1
PBSS5220PAPSX NXP Semiconductors PBSS5220PAPSX -
RFQ
 ECAD 9176 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 6-udfn露出パッド 370MW DFN2020D-6 - 2156-PBSS5220PAPSX 1 20V 2a 100na（icbo） 2 PNP 390MV @ 200MA 、2a 160 @ 1a 、2V 95MHz
PMGD175XNEX NXP Semiconductors PMGD175XNEX -
RFQ
 ECAD 5004 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 PMGD175 モスフェット（金属酸化物） 260MW SOT-363 ダウンロード ear99 8541.21.0095 1 2 nチャンネル（デュアル） 30V 870ma 252mohm @ 900ma 、4.5V 1.25V @ 250µA 1.65NC @ 4.5V 81pf @ 15V -
PBSS4260PANP,115 NXP Semiconductors PBSS4260PANP 、115 1.0000
RFQ
 ECAD 2332 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PBSS4260PANP、115-954 1
BCV65,215 NXP Semiconductors BCV65,215 0.0800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BCV65,215-954 1
PSMN8R7-80PS,127 NXP Semiconductors PSMN8R7-80PS、127 0.7500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-PSMN8R7-80PS、127-954 ear99 0000.00.0000 398 nチャネル 80 v 90a 10V 8.7mohm @ 10a 、10v 4V @ 1MA 52 NC @ 10 V ±20V 3346 PF @ 40 V - 170W
PBSS5112PAP,115 NXP Semiconductors PBSS5112PAP 、115 0.1400
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PBSS5112PAP 、115-954 2,166
PH4030DLV115 NXP Semiconductors PH4030DLV115 -
RFQ
 ECAD 7942 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-PH4030DLV115-954 1
BUK764R0-75C,118 NXP Semiconductors BUK764R0-75C 、118 -
RFQ
 ECAD 1887 0.00000000 NXP半導体 Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-BUK764R0-75C 、118-954 1 nチャネル 75 v 100a（tc） 10V 4mohm @ 25a 、10V 4V @ 1MA 142 NC @ 10 V ±20V 11659 PF @ 25 V - 333W （TC）
BC54-16PA,115 NXP Semiconductors BC54-16PA 、115 0.0600
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 3-powerudfn 420 MW 3-HUSON （2x2） ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BC54-16PA 、115-954 ear99 8541.21.0075 1 45 v 1 a 100na（icbo） npn 500MV @ 50MA 、500MA 63 @ 150MA 、2V 180MHz
MMBT3906,215 NXP Semiconductors MMBT3906,215 0.0200
RFQ
 ECAD 74 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 250 MW TO-236AB ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-MMBT3906,215-954 1 40 v 200 ma 50na（icbo） PNP 400mv @ 5ma 、50ma 100 @ 10ma、1V 250MHz
PDTD113EQAZ NXP Semiconductors pdtd113eqaz 0.0300
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ PDTD113 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PDTD113EQAZ-954 ear99 8541.21.0075 1
PDTA113ET,215 NXP Semiconductors PDTA113ET 、215 -
RFQ
 ECAD 8996 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-PDTA113ET 、215-954 1
A3G35H100-04SR3 NXP Semiconductors A3G35H100-04SR3 95.6100
RFQ
 ECAD 137 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 125 v 表面マウント NI-780S-4L 3.4GHz3.6GHz ガン NI-780S-4L - 2156-A3G35H100-04SR3 4 2 nチャネル - 80 Ma 14W 14DB @ 3.6GHz - 48 v
BUK762R6-40E,118 NXP Semiconductors BUK762R6-40E 、118 -
RFQ
 ECAD 8816 0.00000000 NXP半導体 Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BUK762R6-40E、118-954 1 nチャネル 40 v 100a（tc） 10V 2.6mohm @ 25a 、10V 4V @ 1MA 91 NC @ 10 V ±20V 7130 PF @ 25 V - 263W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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