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トランジスタ（506）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	電圧 -定格	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	頻度	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	現在の評価（ amp）	現在 -テスト	電力 -出力	得	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	ノイズ図	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	電圧 -テスト	現在 -コレクターカットオフ（最大）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	抵抗 -ベース（r1）	抵抗 -エミッターベース（r2）
PDTC143ET 、235	0.0200	RFQ	380	NXP半導体	-	バルク	アクティブ			表面マウント	TO-236-3	PDTC143			250 MW	SOT-23	ダウンロード						0000.00.0000	1																		50 v	100 Ma		1µA	npn-バイアス化	150mv @ 500µa 、10ma	30 @ 10ma 、5v		4.7 Kohms	4.7 Kohms
NX3008NBKSH	-	RFQ	3171	NXP半導体	aec-q101	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363			モスフェット（金属酸化物）	280MW	6-tssop	-				2156-NX3008NBKSH			1	2 nチャネル						30V	350ma（ta）		1.4OHM @ 350MA 、4.5V	1.1V @ 250µA	0.68NC @ 4.5V		50pf @ 15V	標準
PSMN1R8-30PL、127	1.0000	RFQ	1915年年	NXP半導体	-	バルク	アクティブ		-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3	PSMN1R8		モスフェット（金属酸化物）		TO-220AB	ダウンロード		適用できない	影響を受けていない	2156-PSMN1R8-30PL、127-954			1		nチャネル					30 V	100a（tc）	4.5V 、10V	1.8mohm @ 25a 、10V	2.15V @ 1MA	170 NC @ 10 V	±20V	10180 PF @ 12 v	-	270W
PUMD14,115	-	RFQ	4001	NXP半導体	*	バルク	アクティブ										ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	2156-PUMD14,115-954			1
buk6e4r0-75c、127	1.0200	RFQ	19	NXP半導体	Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™	バルク	アクティブ		-55°C〜175°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads			モスフェット（金属酸化物）		i2pak	ダウンロード		未定義のベンダー	影響を受けていない	2156-BUK6E4R0-75C、127-954			1		nチャネル					75 v	120a（tc）	4.5V 、10V	4.2mohm @ 25a 、10V	2.8V @ 1MA	234 NC @ 10 V	±16V	15450 PF @ 25 V	-	306W
PMSTA05,115	0.0200	RFQ	22	NXP半導体	aec-q101	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	表面マウント	SC-70、SOT-323				200 MW	SOT-323	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	2156-PMSTA05,115-954			1																		60 V	500 Ma		100na（icbo）	npn	250MV @ 10MA 、100mA	50 @ 100MA、1V	100MHz
buk6215-75c、118	0.2700	RFQ	6241	NXP半導体	Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™	バルク	アクティブ		-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3			モスフェット（金属酸化物）		dpak	ダウンロード		未定義のベンダー	影響を受けていない	2156-BUK6215-75C 、118-954	ear99	8541.29.0095	720		nチャネル					75 v	57a（ta）		15mohm @ 15a 、10V	2.8V @ 1MA	61.8 NC @ 10 V	±16V	3900 PF @ 25 V	-	128W
PZT4403,115	0.0900	RFQ	3	NXP半導体	aec-q101	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	表面マウント	TO-261-4、TO-261AA				1.15 w	SOT-223	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	2156-PZT4403,115-954			1																		40 v	600 Ma		50na（icbo）	PNP	750mv @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma、1V	200MHz
MRF6VP3091NR1	-	RFQ	6863	NXP半導体	-	バルク	廃止	115 v		表面マウント	TO-270AB		470MHz〜1.215GHz	ldmos （デュアル）、共通のソース		TO-270 WB-4	-	ROHS非準拠		未定義のベンダー	2156-MRF6VP3091NR1-954			1	2 nチャネル		10µA	450 Ma	90W	22dB											-			50 v
php29n08t 、127	0.5400	RFQ	24	NXP半導体	trenchmos™	バルク	アクティブ		-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3			モスフェット（金属酸化物）		TO-220AB	ダウンロード		適用できない	影響を受けていない	2156-PHP29N08T、 127-954			600		nチャネル					75 v	27a（tc）	11V	50mohm @ 14a 、11v	5V @ 2MA	19 NC @ 10 V	±30V	810 pf @ 25 V	-	88W
PDTC124XMB 、315	0.0300	RFQ	147	NXP半導体	-	バルク	アクティブ			表面マウント	SC-101 、SOT-883	PDTC124			250 MW	DFN1006B-3	ダウンロード						0000.00.0000	1																		50 v	100 Ma		1µA	npn-バイアス化	150mv @ 500µa 、10ma	80 @ 5a 、5V	230 MHz	22 Kohms	47 Kohms
PMP5201Y、135	1.0000	RFQ	9027	NXP半導体	*	バルク	アクティブ					PMP5201					ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	2156-PMP5201Y、135-954	ear99	8541.21.0095	1
BF723,115	0.1000	RFQ	27	NXP半導体	aec-q101	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	表面マウント	TO-261-4、TO-261AA				1.2 w	SOT-223	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	2156-BF723,115-954	ear99	8541.29.0075	1																		250 v	100 Ma		10na （icbo）	PNP	600mv @ 5ma 、30ma	50 @ 25ma 、20V	60MHz
A2T18H455W23NR6	162.2600	RFQ	153	NXP半導体	-	バルク	廃止	65 v		表面マウント	OM-1230-4L2S		1.805GHz1.88GHz	ldmos		OM-1230-4L2S	-				2156-A2T18H455W23NR6			2	nチャネル		10µA	1.08 a	87W	14.5db @ 1.805GHz											-			31.5 v
MRF6S20010NR1	34.2200	RFQ	500	NXP半導体	-	バルク	廃止	68 v		表面マウント	TO-270-2		1.6GHz〜2.2GHz	ldmos		TO-270-2	-				2156-MRF6S20010NR1			9	nチャネル		10µA	130 Ma	10W	15.5db @ 2.17GHz											-			28 v
MHT1004NR3	124.8400	RFQ	158	NXP半導体	-	バルク	廃止	65 v		シャーシマウント	OM-780-2		-	ldmos		OM-780-2	-				2156-MHT1004NR3			3	nチャネル		10µA	100 Ma	280W	15.2db											-			32 v
PDTA143ZM、315	1.0000	RFQ	6664	NXP半導体	-	バルク	アクティブ			表面マウント	SC-101 、SOT-883	PDTA143			250 MW	DFN1006-3	ダウンロード						0000.00.0000	1																		50 v	100 Ma		1µA	pnp-前バイアス	100MV @ 250µA、5MA	100 @ 10ma 、5v		4.7 Kohms	47 Kohms
buk9y11-80ex	-	RFQ	8848	NXP半導体	trenchmos™	バルク	アクティブ		-55°C〜175°C	表面マウント	SC-100 、SOT-669			モスフェット（金属酸化物）		LFPAK56 、POWER-SO8	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	2156-BUK9Y11-80EX-954	ear99	8541.29.0095	1		nチャネル					80 v	84a（tc）	5V	10mohm @ 25a 、10V	2.1V @ 1MA	44.2 NC @ 5 V	±10V	6506 PF @ 25 V	-	194W （TC）
PEMD48,115	1.0000	RFQ	5092	NXP半導体	-	バルク	アクティブ			表面マウント	SOT-563、SOT-666	PEMD48			300MW	SOT-666	ダウンロード						0000.00.0000	1																		50V	100mA		1µA	1 npn、1 pnp- バイアス前（デュアル）	150MV @ 500µA、10ma / 100mv @ 250µa 、5ma	80 @ 5ma 、5v / 100 @ 10ma 、5v	-	4.7kohms 、22kohms	47kohms
BC68PASX	0.0700	RFQ	84	NXP半導体	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	表面マウント	3-udfn露出パッド				420 MW	DFN2020D-3	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	2156-BC68PASX-954	ear99	8541.21.0075	1																		20 v	2 a		100na（icbo）	npn	600mv @ 200ma 、2a	85 @ 500MA、1V	170MHz
MMRF5014HR5	523.3200	RFQ	17	NXP半導体	-	バルク	アクティブ	125 v		シャーシマウント	NI-360H-2SB		1MHz〜2.7GHz	nチャネル		NI-360H-2SB	-				2156-MMRF5014HR5			1	nチャネル		5MA	350 Ma	125W	18db @ 2.5GHz											-			50 v
PDTA143ZT 、215	0.0200	RFQ	177	NXP半導体	*	バルク	アクティブ										ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	2156-PDTA143ZT 、215-954			1
PHPT610035NKX	1.0000	RFQ	5556	NXP半導体	*	バルク	アクティブ					PHPT610035					ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	2156-PHPT610035NKX-954	ear99	8541.29.0075	1
2N7002PS/ZLX	0.2800	RFQ	35	NXP半導体	-	バルク	新しいデザインではありません		150°C （TJ）	表面マウント	6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363	2N7002		モスフェット（金属酸化物）		6-tssop	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	2156-2N7002PS/ZLX-954	ear99	8541.21.0095	1	2 nチャンネル（デュアル）						60V	320ma		1.6OHM @ 500MA 、10V	2.4V @ 250µA	0.8NC @ 4.5V		50pf @ 10V	ロジックレベルゲート
PSMN4R3-80PS、127	1.4600	RFQ	4	NXP半導体	-	バルク	アクティブ		-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3			モスフェット（金属酸化物）		TO-220AB	ダウンロード		適用できない	影響を受けていない	2156-PSMN4R3-80PS、127-954			207		nチャネル					80 v	120a（tc）	10V	4.3mohm @ 25a 、10V	4V @ 1MA	111 NC @ 10 V	±20V	8161 PF @ 40 V	-	306W
PDTC143TM 、315	0.0200	RFQ	29	NXP半導体	*	バルク	アクティブ										ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	2156-PDTC143TM 、315-954			15,000
BSV52,215	0.0500	RFQ	37	NXP半導体	aec-q101	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3				250 MW	TO-236AB	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	2156-BSV52,215-954			1																		12 v	100 Ma		400na（icbo）	npn	400mv @ 5ma 、50ma	40 @ 10ma、1V	500MHz
PMN27XPE115	0.2300	RFQ	2	NXP半導体	*	バルク	アクティブ										ダウンロード		未定義のベンダー	影響を受けていない	2156-PMN27XPE115-954			1
2PA1576Q 、115	0.0200	RFQ	28	NXP半導体	aec-q101	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	表面マウント	SC-70、SOT-323				200 MW	SOT-323	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	2156-2PA1576Q、115-954	ear99	8541.21.0075	1																		50 v	150 Ma		100na（icbo）	PNP	500MV @ 5MA 、50mA	120 @ 1MA 、6V	100MHz
A2V09H400-04NR3	95.5000	RFQ	250	NXP半導体	-	バルク	アクティブ	105 v		表面マウント	OM-780-4L		720MHz〜960MHz	ldmos （デュアル）		OM-780-4L	-				2156-A2V09H400-04NR3			4	2 nチャネル		10µA	688 Ma	107W	17.9db											-			48 v

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

トランジスタ（506）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²