SIC
close

トランジスタ（506）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 電圧 -定格 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 頻度 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 現在の評価（ amp） 現在 -テスト 電力 -出力 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ノイズ図 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 電圧 -テスト 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
PDTA143ZM,315 NXP Semiconductors PDTA143ZM、315 1.0000
RFQ
 ECAD 6664 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 表面マウント SC-101 、SOT-883 PDTA143 250 MW DFN1006-3 ダウンロード 0000.00.0000 1 50 v 100 Ma 1µA pnp-前バイアス 100MV @ 250µA、5MA 100 @ 10ma 、5v 4.7 Kohms 47 Kohms
PDTC114ET215 NXP Semiconductors PDTC114ET215 0.0200
RFQ
 ECAD 235 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード ear99 8541.21.0075 1
BUK9Y11-80EX NXP Semiconductors buk9y11-80ex -
RFQ
 ECAD 8848 0.00000000 NXP半導体 trenchmos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント SC-100 、SOT-669 モスフェット（金属酸化物） LFPAK56 、POWER-SO8 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BUK9Y11-80EX-954 ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 80 v 84a（tc） 5V 10mohm @ 25a 、10V 2.1V @ 1MA 44.2 NC @ 5 V ±10V 6506 PF @ 25 V - 194W （TC）
PEMD48,115 NXP Semiconductors PEMD48,115 1.0000
RFQ
 ECAD 5092 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 PEMD48 300MW SOT-666 ダウンロード 0000.00.0000 1 50V 100mA 1µA 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 150MV @ 500µA、10ma / 100mv @ 250µa 、5ma 80 @ 5ma 、5v / 100 @ 10ma 、5v - 4.7kohms 、22kohms 47kohms
BC68PASX NXP Semiconductors BC68PASX 0.0700
RFQ
 ECAD 84 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 3-udfn露出パッド 420 MW DFN2020D-3 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BC68PASX-954 ear99 8541.21.0075 1 20 v 2 a 100na（icbo） npn 600mv @ 200ma 、2a 85 @ 500MA、1V 170MHz
PDTC144TM,315 NXP Semiconductors PDTC144TM 、315 0.0200
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ PDTC144 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PDTC144TM、315-954 15,000
MMRF5014HR5 NXP Semiconductors MMRF5014HR5 523.3200
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 125 v シャーシマウント NI-360H-2SB 1MHz〜2.7GHz nチャネル NI-360H-2SB - 2156-MMRF5014HR5 1 nチャネル 5MA 350 Ma 125W 18db @ 2.5GHz - 50 v
BC857CW,115 NXP Semiconductors bc857cw、115 -
RFQ
 ECAD 8946 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 BC857 200 MW SOT-323 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BC857CW、115-954 ear99 8541.21.0075 1 45 v 100 Ma 15NA PNP 600MV @ 5MA 、100mA 420 @ 2MA 、5V 100MHz
PDTA143ZT,215 NXP Semiconductors PDTA143ZT 、215 0.0200
RFQ
 ECAD 177 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PDTA143ZT 、215-954 1
PHPT610035NKX NXP Semiconductors PHPT610035NKX 1.0000
RFQ
 ECAD 5556 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ PHPT610035 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PHPT610035NKX-954 ear99 8541.29.0075 1
2N7002PS/ZLX NXP Semiconductors 2N7002PS/ZLX 0.2800
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 NXP半導体 - バルク 新しいデザインではありません 150°C （TJ） 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 2N7002 モスフェット（金属酸化物） 6-tssop ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-2N7002PS/ZLX-954 ear99 8541.21.0095 1 2 nチャンネル（デュアル） 60V 320ma 1.6OHM @ 500MA 、10V 2.4V @ 250µA 0.8NC @ 4.5V 50pf @ 10V ロジックレベルゲート
PSMN4R3-80PS,127 NXP Semiconductors PSMN4R3-80PS、127 1.4600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード 適用できない 影響を受けていない 2156-PSMN4R3-80PS、127-954 207 nチャネル 80 v 120a（tc） 10V 4.3mohm @ 25a 、10V 4V @ 1MA 111 NC @ 10 V ±20V 8161 PF @ 40 V - 306W
PDTC143TM,315 NXP Semiconductors PDTC143TM 、315 0.0200
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PDTC143TM 、315-954 15,000
BSV52,215 NXP Semiconductors BSV52,215 0.0500
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 250 MW TO-236AB ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BSV52,215-954 1 12 v 100 Ma 400na（icbo） npn 400mv @ 5ma 、50ma 40 @ 10ma、1V 500MHz
PMN27XPE115 NXP Semiconductors PMN27XPE115 0.2300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-PMN27XPE115-954 1
2PA1576Q,115 NXP Semiconductors 2PA1576Q 、115 0.0200
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 200 MW SOT-323 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-2PA1576Q、115-954 ear99 8541.21.0075 1 50 v 150 Ma 100na（icbo） PNP 500MV @ 5MA 、50mA 120 @ 1MA 、6V 100MHz
A2V09H400-04NR3 NXP Semiconductors A2V09H400-04NR3 95.5000
RFQ
 ECAD 250 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 105 v 表面マウント OM-780-4L 720MHz〜960MHz ldmos （デュアル） OM-780-4L - 2156-A2V09H400-04NR3 4 2 nチャネル 10µA 688 Ma 107W 17.9db - 48 v
PMK50XP,518 NXP Semiconductors PMK50xp 、518 0.1000
RFQ
 ECAD 56 0.00000000 NXP半導体 trenchmos™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SO ダウンロード 2（1 年） 影響を受けていない 2156-PMK50XP 、518-954 1 pチャネル 20 v 7.9a 4.5V 50mohm @ 2.8a 、4.5V 950MV @ 250µA 10 NC @ 4.5 v ±12V 1020 pf @ 20 v - 5W （TC）
PBSS4240XF NXP Semiconductors PBSS4240xf -
RFQ
 ECAD 9139 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-243AA 500 MW SOT-89 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PBSS4240XF-954 ear99 8541.21.0095 1 40 v 2 a 100na（icbo） npn 140mv @ 50ma 、500ma 300 @ 500MA 、5V 150MHz
PMV30XPEA215 NXP Semiconductors PMV30XPEA215 -
RFQ
 ECAD 9535 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PMV30XPEA215-954 1
PDTC144EM,315 NXP Semiconductors PDTC144EM 、315 -
RFQ
 ECAD 1783 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ 表面マウント SC-101 、SOT-883 250 MW DFN1006-3 - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-PDTC144EM、315-954 1 50 v 100 Ma 1µA npn-バイアス化 150mv @ 500µa 、10ma 80 @ 5MA 、5V 230 MHz 47 Kohms 47 Kohms
PH9130AL115 NXP Semiconductors PH9130AL115 0.2500
RFQ
 ECAD 153 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ PH9130 ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-PH9130AL115-954 1
PDTA144WU,115 NXP Semiconductors PDTA144WU 、115 0.0200
RFQ
 ECAD 162 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PDTA144WU 、115-954 0000.00.0000 1
PUMB15,115 NXP Semiconductors Pumb15,115 -
RFQ
 ECAD 7596 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 PUMB15 300MW 6-tssop ダウンロード 0000.00.0000 1 50V 100mA 1µA 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 150mv @ 500µa 、10ma 30 @ 10ma 、5v - 4.7kohms 4.7kohms
PBHV8115T,215 NXP Semiconductors PBHV8115T 、215 0.0900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 300 MW TO-236AB ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PBHV8115T 、215-954 1 150 v 1 a 100NA npn 350mv @ 200ma、1a 50 @ 500MA 、10V 30MHz
PMXB75UPE/S500Z NXP Semiconductors PMXB75UPE/S500Z -
RFQ
 ECAD 4745 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 3-XDFN露出パッド モスフェット（金属酸化物） DFN1010D-3 - 2156-PMXB75UPE/S500Z 1 pチャネル 20 v 2.9a（ta） 1.2V 、4.5V 85mohm @ 2.9a 、4.5V 1V @ 250µA 12 NC @ 4.5 v ±8V 608 PF @ 10 V - 317MW
PSMN009-100P,127 NXP Semiconductors PSMN009-100P 、127 1.5000
RFQ
 ECAD 291 0.00000000 NXP半導体 trenchmos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード 適用できない 影響を受けていない 2156-PSMN009-100P、127-954 217 nチャネル 100 V 75a（tc） 10V 8.8mohm @ 25a 、10V 4V @ 1MA 156 NC @ 10 V ±20V 8250 PF @ 25 V - 230W
PDTC114TT,215 NXP Semiconductors PDTC114TT 215 0.0200
RFQ
 ECAD 570 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 影響を受けていない 2156-PDTC114TT、215-954 1
PMN48XP,125 NXP Semiconductors PMN48XP 、125 0.1300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント SC-74、SOT-457 モスフェット（金属酸化物） 6-tsop ダウンロード 0000.00.0000 1 pチャネル 20 v 4.1a（ta） 2.5V 、4.5V 55mohm @ 2.4a 、4.5V 1.25V @ 250µA 13 NC @ 4.5 v ±12V 1000 pf @ 10 V - 530MW
BC856W,115 NXP Semiconductors BC856W 、115 0.0200
RFQ
 ECAD 341 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 BC856 200 MW SOT-323 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BC856W、115-954 1 65 v 100 Ma 15NA PNP 600MV @ 5MA 、100mA 125 @ 2MA 、5V 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

RFQリスト（0アイテム）
カートリスト（0アイテム）
Wishlistウィッシュリスト（0アイテム）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

リストを比較する（0アイテム）
Enterを押して検索するか、ESCを閉じます