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トランジスタ（506）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 電圧 -定格 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 頻度 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 現在の評価（ amp） 現在 -テスト 電力 -出力 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ノイズ図 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 電圧 -テスト 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
PSMN4R3-80PS,127 NXP Semiconductors PSMN4R3-80PS、127 1.4600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード 適用できない 影響を受けていない 2156-PSMN4R3-80PS、127-954 207 nチャネル 80 v 120a（tc） 10V 4.3mohm @ 25a 、10V 4V @ 1MA 111 NC @ 10 V ±20V 8161 PF @ 40 V - 306W
PDTC143TM,315 NXP Semiconductors PDTC143TM 、315 0.0200
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PDTC143TM 、315-954 15,000
BSV52,215 NXP Semiconductors BSV52,215 0.0500
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 250 MW TO-236AB ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BSV52,215-954 1 12 v 100 Ma 400na（icbo） npn 400mv @ 5ma 、50ma 40 @ 10ma、1V 500MHz
PMN27XPE115 NXP Semiconductors PMN27XPE115 0.2300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-PMN27XPE115-954 1
2PA1576Q,115 NXP Semiconductors 2PA1576Q 、115 0.0200
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 200 MW SOT-323 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-2PA1576Q、115-954 ear99 8541.21.0075 1 50 v 150 Ma 100na（icbo） PNP 500MV @ 5MA 、50mA 120 @ 1MA 、6V 100MHz
A2V09H400-04NR3 NXP Semiconductors A2V09H400-04NR3 95.5000
RFQ
 ECAD 250 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 105 v 表面マウント OM-780-4L 720MHz〜960MHz ldmos （デュアル） OM-780-4L - 2156-A2V09H400-04NR3 4 2 nチャネル 10µA 688 Ma 107W 17.9db - 48 v
PMK50XP,518 NXP Semiconductors PMK50xp 、518 0.1000
RFQ
 ECAD 56 0.00000000 NXP半導体 trenchmos™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SO ダウンロード 2（1 年） 影響を受けていない 2156-PMK50XP 、518-954 1 pチャネル 20 v 7.9a 4.5V 50mohm @ 2.8a 、4.5V 950MV @ 250µA 10 NC @ 4.5 v ±12V 1020 pf @ 20 v - 5W （TC）
BSP32,115 NXP Semiconductors BSP32,115 -
RFQ
 ECAD 5232 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-261-4、TO-261AA BSP32 1.3 w SOT-223 ダウンロード 0000.00.0000 1 80 v 1 a 100na（icbo） PNP 500MV @ 50MA 、500MA 40 @ 100MA 、5V 100MHz
PBSS4240XF NXP Semiconductors PBSS4240xf -
RFQ
 ECAD 9139 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-243AA 500 MW SOT-89 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PBSS4240XF-954 ear99 8541.21.0095 1 40 v 2 a 100na（icbo） npn 140mv @ 50ma 、500ma 300 @ 500MA 、5V 150MHz
PMV30XPEA215 NXP Semiconductors PMV30XPEA215 -
RFQ
 ECAD 9535 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PMV30XPEA215-954 1
PDTC144EM,315 NXP Semiconductors PDTC144EM 、315 -
RFQ
 ECAD 1783 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ 表面マウント SC-101 、SOT-883 250 MW DFN1006-3 - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-PDTC144EM、315-954 1 50 v 100 Ma 1µA npn-バイアス化 150mv @ 500µa 、10ma 80 @ 5MA 、5V 230 MHz 47 Kohms 47 Kohms
PH9130AL115 NXP Semiconductors PH9130AL115 0.2500
RFQ
 ECAD 153 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ PH9130 ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-PH9130AL115-954 1
PDTA144WU,115 NXP Semiconductors PDTA144WU 、115 0.0200
RFQ
 ECAD 162 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PDTA144WU 、115-954 0000.00.0000 1
PUMB15,115 NXP Semiconductors Pumb15,115 -
RFQ
 ECAD 7596 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 PUMB15 300MW 6-tssop ダウンロード 0000.00.0000 1 50V 100mA 1µA 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 150mv @ 500µa 、10ma 30 @ 10ma 、5v - 4.7kohms 4.7kohms
PBHV8115T,215 NXP Semiconductors PBHV8115T 、215 0.0900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 300 MW TO-236AB ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PBHV8115T 、215-954 1 150 v 1 a 100NA npn 350mv @ 200ma、1a 50 @ 500MA 、10V 30MHz
PMN48XP,125 NXP Semiconductors PMN48XP 、125 0.1300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント SC-74、SOT-457 モスフェット（金属酸化物） 6-tsop ダウンロード 0000.00.0000 1 pチャネル 20 v 4.1a（ta） 2.5V 、4.5V 55mohm @ 2.4a 、4.5V 1.25V @ 250µA 13 NC @ 4.5 v ±12V 1000 pf @ 10 V - 530MW
PSMN009-100P,127 NXP Semiconductors PSMN009-100P 、127 1.5000
RFQ
 ECAD 291 0.00000000 NXP半導体 trenchmos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード 適用できない 影響を受けていない 2156-PSMN009-100P、127-954 217 nチャネル 100 V 75a（tc） 10V 8.8mohm @ 25a 、10V 4V @ 1MA 156 NC @ 10 V ±20V 8250 PF @ 25 V - 230W
PDTC114TT,215 NXP Semiconductors PDTC114TT 215 0.0200
RFQ
 ECAD 570 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 影響を受けていない 2156-PDTC114TT、215-954 1
BC856W,115 NXP Semiconductors BC856W 、115 0.0200
RFQ
 ECAD 341 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 BC856 200 MW SOT-323 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BC856W、115-954 1 65 v 100 Ma 15NA PNP 600MV @ 5MA 、100mA 125 @ 2MA 、5V 100MHz
BC847CW,115 NXP Semiconductors BC847CW 、115 -
RFQ
 ECAD 5099 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 200 MW SOT-323 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BC847CW、115-954 1 45 v 100 Ma 15NA npn 400MV @ 5MA 、100mA 420 @ 2MA 、5V 100MHz
BC52PASX NXP Semiconductors BC52PASX -
RFQ
 ECAD 7926 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BC52PASX-954 1
NX7002AK215 NXP Semiconductors NX7002AK215 -
RFQ
 ECAD 3044 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 モスフェット（金属酸化物） SOT-23-3 - 2156-NX7002AK215 1 nチャネル 60 V 190ma（ta ）、 300ma （tc） 5V、10V 4.5OHM @ 100MA 、10V 2.1V @ 250µA 0.43 NC @ 4.5 v ±20V 20 pf @ 10 v - 265MW
BCM847BV,115 NXP Semiconductors BCM847BV 、115 -
RFQ
 ECAD 9326 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-563、SOT-666 BCM847 300MW SOT-666 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BCM847BV、115-954 1 45V 100mA 15NA 2 NPN （デュアル）マッチングペア 400MV @ 5MA 、100mA 200 @ 2MA 、5V 250MHz
PDTA114EE,115 NXP Semiconductors PDTA114EE 、115 -
RFQ
 ECAD 9293 0.00000000 NXP半導体 * バルク 廃止 - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-PDTA114EE、115-954 1
BUK762R0-40C,118 NXP Semiconductors BUK762R0-40C 、118 -
RFQ
 ECAD 7294 0.00000000 NXP半導体 Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-BUK762R0-40C、118-954 1 nチャネル 40 v 100a（tc） 10V 2mohm @ 25a 、10V 4V @ 1MA 175 NC @ 10 V ±20V 11323 PF @ 25 V - 333W （TC）
PMBTA14,215 NXP Semiconductors PMBTA14,215 0.0400
RFQ
 ECAD 99 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 250 MW TO-236AB ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PMBTA14,215-954 7,378 30 V 500 Ma 100na（icbo） npn-ダーリントン 1.5V @ 100µA 、100mA 20000 @ 100MA 、5V 125MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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