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トランジスタ（506）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	電圧 -定格	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	頻度	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	現在の評価（ amp）	現在 -テスト	電力 -出力	得	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	ノイズ図	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	電圧 -テスト	現在 -コレクターカットオフ（最大）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	抵抗 -ベース（r1）	抵抗 -エミッターベース（r2）
BC69-16PA 、115	1.0000	RFQ	8221	NXP半導体	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	表面マウント	3-powerudfn	BC69			420 MW	3-HUSON （2x2）	ダウンロード						0000.00.0000	1																		20 v	2 a		100na（icbo）	PNP	600mv @ 200ma 、2a	100 @ 500MA、1V	140MHz
buk664r4-55c、118	-	RFQ	5636	NXP半導体	Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™	バルク	アクティブ		-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）		d2pak	ダウンロード		未定義のベンダー	影響を受けていない	2156-BUK664R4-55C 、118-954	ear99	8541.29.0095	124		nチャネル					55 v	100a（tc）	5V、10V	4.9mohm @ 25a 、10V	2.8V @ 1MA	124 NC @ 10 V	±16V	7750 PF @ 25 V	-	204W
SMMUN2116LT1G	-	RFQ	2695	NXP半導体	aec-q101	バルク	アクティブ			表面マウント	TO-236-3				246 MW	SOT-23-3	-	ROHS非準拠		未定義のベンダー	2156-SMMUN2116LT1G-954			1																		50 v	100 Ma		500na	pnp-前バイアス	250MV @ 1MA 、10ma	160 @ 5MA 、10V		4.7 Kohms
PBSS5130QAZ	0.0600	RFQ	9	NXP半導体	-	バルク	廃止		150°C （TJ）	表面マウント	3-XDFN露出パッド				325 MW	DFN1010D-3	ダウンロード	ROHS非準拠		未定義のベンダー	2156-PBSS5130QAZ			1																		30 V	1 a		100NA	PNP	240MV @ 100MA、1a	250 @ 100MA 、2V	170MHz
buk7y59-60ex	-	RFQ	7909	NXP半導体	trenchmos™	バルク	アクティブ		-55°C〜175°C	表面マウント	SC-100 、SOT-669			モスフェット（金属酸化物）		LFPAK56 、POWER-SO8	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	2156-BUK7Y59-60EX-954	ear99	8541.29.0095	1		nチャネル					60 V	17a（tc）	10V	59mohm @ 5a、10V	4V @ 1MA	7.8 NC @ 10 V	±20V	494 PF @ 25 V	-	37W （TC）
PSMN2R0-60ES、127	1.4000	RFQ	7	NXP半導体	-	バルク	アクティブ		-55°C〜175°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads	PSMN2R0		モスフェット（金属酸化物）		i2pak	ダウンロード		未定義のベンダー	影響を受けていない	2156-PSMN2R0-60ES、127-954			1		nチャネル					60 V	120a（tc）	10V	2.2mohm @ 25a 、10V	4V @ 1MA	137 NC @ 10 V	±20V	9997 PF @ 30 V	-	338W（TC）
phd71nq03lt 、118	-	RFQ	7622	NXP半導体	trenchmos™	バルク	アクティブ		-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3			モスフェット（金属酸化物）		dpak	ダウンロード		未定義のベンダー	影響を受けていない	2156-PHD71NQ03LT 、118-954			1		nチャネル					30 V	75a（tc）	5V、10V	10mohm @ 25a 、10V	2.5V @ 1MA	13.2 NC @ 5 V	±20V	1220 PF @ 25 V	-	120W （TC）
PSMN070-200P、127	1.1300	RFQ	8	NXP半導体	trenchmos™	バルク	アクティブ		-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3			モスフェット（金属酸化物）		TO-220AB	ダウンロード		未定義のベンダー	影響を受けていない	2156-PSMN070-200P、127-954			1		nチャネル					200 v	35a（tc）	10V	70mohm @ 17a 、10V	4V @ 1MA	77 NC @ 10 V	±20V	4570 PF @ 25 V	-	250W
PBSS5220T 、215	-	RFQ	8901	NXP半導体	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3				480 MW	TO-236AB	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	2156-PBSS5220T、215-954			1																		20 v	2 a		100na（icbo）	PNP	225MV @ 200MA 、2a	200 @ 1a 、2V	100MHz
BCW33,215	0.0200	RFQ	96	NXP半導体	aec-q101	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3				250 MW	TO-236AB	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	2156-BCW33,215-954			1																		32 v	100 Ma		100na（icbo）	npn	210MV @ 2.5MA 、50MA	420 @ 2MA 、5V	100MHz
BC807,215	0.0200	RFQ	497	NXP半導体	aec-q101	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3				250 MW	TO-236AB	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	2156-BC807,215-954			1																		45 v	500 Ma		100na（icbo）	PNP	700mv @ 50ma 、500ma	100 @ 100MA、1V	80MHz
PSMN8R5-100ESFQ	0.6900	RFQ	1	NXP半導体	-	バルク	アクティブ		-55°C〜175°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads			モスフェット（金属酸化物）		i2pak	ダウンロード		未定義のベンダー	影響を受けていない	2156-PSMN8R5-100ESFQ-954			1		nチャネル					100 V	97a（ta）	7V 、10V	8.8mohm @ 25a 、10V	4V @ 1MA	44.5 NC @ 10 V	±20V	3181 PF @ 50 V	-	183W
BSP100,135	0.2000	RFQ	28	NXP半導体	trenchmos™	バルク	アクティブ		-65°C〜150°C	表面マウント	TO-261-4、TO-261AA			モスフェット（金属酸化物）		SOT-223	ダウンロード		未定義のベンダー	影響を受けていない	2156-bsp100,135-954	ear99	8541.29.0095	1		nチャネル					30 V	3.2a（ta）	4.5V 、10V	100mohm @ 2.2a 、10V	2.8V @ 1MA	6 NC @ 10 V	±20V	250 PF @ 20 V	-	8.3W
BC51PA 、115	-	RFQ	5795	NXP半導体	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	表面マウント	3-powerudfn				420 MW	3-HUSON （2x2）	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	2156-BC51PA 、115-954			1																		45 v	1 a		100na（icbo）	PNP	500MV @ 50MA 、500MA	63 @ 150MA 、2V	145MHz
PMPB95ENEA/FX	0.1200	RFQ	5	NXP半導体	aec-q101	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	6-udfn露出パッド			モスフェット（金属酸化物）		DFN2020MD-6	ダウンロード		未定義のベンダー	影響を受けていない	2156-PMPB95ENEA/FX-954			1		nチャネル					80 v	4.1a（ta）	4.5V 、10V	105mohm @ 2.8a 、10V	2.7V @ 250µA	14.9 NC @ 10 V	±20V	504 PF @ 40 V	-	1.6W
buk7y20-30b、115	1.0000	RFQ	3955	NXP半導体	Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™	バルク	アクティブ		-55°C〜175°C	表面マウント	SC-100 、SOT-669			モスフェット（金属酸化物）		LFPAK56 、POWER-SO8	ダウンロード						0000.00.0000	1		nチャネル					30 V	39.5a	10V	20mohm @ 20a 、10V	4V @ 1MA	11.2 NC @ 10 V	±20V	688 PF @ 25 V	-	59W （TC）
AFV10700HR5	537.6400	RFQ	27	NXP半導体	-	バルク	アクティブ	105 v		シャーシマウント	NI-780-4		960MHz〜1.215GHz	ldmos （デュアル）		NI-780-4	-				2156-AFV10700HR5			1	2 nチャネル		1µA	100 Ma	700W	19.2DB @ 1.03GHz											-			52 v
BLS7G2729L-350P 、11	-	RFQ	1733	NXP半導体	-	バルク	アクティブ										-				2156-BLS7G2729L-350P 、11			1
PBSS4021px、115	1.0000	RFQ	1763	NXP半導体	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	表面マウント	TO-243AA				2.5 W	SOT-89	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	2156-PBSS4021PX、115-954	ear99	8541.21.0095	1																		20 v	6.2 a		100NA	PNP	265MV @ 345MA 、6.9a	150 @ 4a 、2V	105MHz
PBSS5160PAP 、115	-	RFQ	7374	NXP半導体	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	表面マウント	6-ufdfn露出パッド	PBSS5160			510MW	6-HUSON （2x2）	ダウンロード						0000.00.0000	1																		60V	1a		100na（icbo）	2 PNP （デュアル）	340MV @ 100MA、1a	120 @ 500MA 、2V	125MHz
BC846AW 、115	0.0200	RFQ	535	NXP半導体	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	表面マウント	SC-70、SOT-323				200 MW	SOT-323	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	2156-BC846AW、115-954			1																		65 v	100 Ma		15NA	npn	400MV @ 5MA 、100mA	110 @ 2MA 、5V	100MHz
BC54PAS115	0.0600	RFQ	15	NXP半導体	*	バルク	アクティブ										ダウンロード		未定義のベンダー	影響を受けていない	2156-BC54PAS115-954			1
2PB1219AS 115	-	RFQ	6663	NXP半導体	*	バルク	アクティブ										-	ROHS非準拠		未定義のベンダー	2156-2PB1219AS 、115-954			1
PMMT591A 、215	0.0400	RFQ	4937	NXP半導体	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3				250 MW	TO-236AB	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	2156-PMMT591A 、215-954	ear99	8541.21.0075	3,740																		40 v	1 a		100NA	PNP	500MV @ 100MA、1a	300 @ 100MA 、5V	150MHz
buk6211-75c、118	-	RFQ	6937	NXP半導体	Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™	バルク	アクティブ		-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3			モスフェット（金属酸化物）		dpak	ダウンロード		未定義のベンダー	影響を受けていない	2156-BUK6211-75C 、118-954	ear99	8541.29.0095	1		nチャネル					75 v	74a（ta）		11mohm @ 25a 、10V	2.8V @ 1MA	81 NC @ 10 V	±16V	5251 PF @ 25 V	-	158W
PDTC144WM 、315	0.0300	RFQ	120	NXP半導体	-	バルク	アクティブ			表面マウント	SC-101 、SOT-883	PDTC144			250 MW	DFN1006-3	ダウンロード					ear99	8541.21.0095	15,000																		50 v	100 Ma		1µA	npn-バイアス化	150mv @ 500µa 、10ma	60 @ 5MA 、5V		47 Kohms	22 Kohms
pemb17,115	0.0400	RFQ	12	NXP半導体	*	バルク	アクティブ										ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	2156-PEMB17,115-954	ear99	8541.21.0095	1
PMXB65ENEZ	0.0900	RFQ	3	NXP半導体	*	バルク	アクティブ										ダウンロード		未定義のベンダー	影響を受けていない	2156-PMXB65ENEZ-954		0000.00.0000	1
PDTC143ZU 115	-	RFQ	6330	NXP半導体	*	バルク	アクティブ										ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	2156-PDTC143ZU 115-954			1
PDTA143XT 、215	0.0200	RFQ	547	NXP半導体	*	バルク	アクティブ										ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	2156-PDTA143XT 、215-954			1

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

トランジスタ（506）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²