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トランジスタ（506）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 電圧 -定格 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 頻度 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 現在の評価（ amp） 現在 -テスト 電力 -出力 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ノイズ図 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 電圧 -テスト 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2） ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
BFU520XRR NXP Semiconductors BFU520XRR 0.1200
RFQ
 ECAD 51 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ -40°C〜150°C （TJ 表面マウント SOT-143R 450MW SOT-143R - 2156-BFU520XRR 2,515 17.5dB 12V 30ma npn 60 @ 5MA 、8V 10GHz 0.65dB @ 900MHz
BC860B,235 NXP Semiconductors BC860B 、235 0.0200
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 250 MW TO-236AB ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BC860B 、235-954 1 45 v 100 Ma 15NA PNP 650mv @ 5ma 、100ma 220 @ 2MA 、5V 100MHz
PDTC123EU,115 NXP Semiconductors PDTC123EU 、115 -
RFQ
 ECAD 4024 0.00000000 NXP半導体 PDTC123E バルク アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 200 MW SC-70 - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-PDTC123EU 、115-954 1 50 v 100 Ma 1µA npn-バイアス化 150mv @ 500µa 、10ma 30 @ 20MA 、5V 2.2 KOHMS 2.2 KOHMS
AFT09MP055NR1 NXP Semiconductors AFT09MP055NR1 21.6700
RFQ
 ECAD 351 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 40 v 表面マウント TO-270AB 764MHz〜941MHz ldmos （デュアル） TO-270 WB-4 - 2156-FAFT09MP055NR1 14 2 nチャネル - 550 Ma 57W 15.7db @ 870MHz - 12.5 v
BUK7635-100A,118 NXP Semiconductors Buk7635-100a 、118 0.5700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 NXP半導体 - バルク 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-BUK7635-100A 、118 ear99 8541.29.0075 1 nチャネル 100 V 41a（ta） 10V 35mohm @ 25a 、10V 4V @ 1MA ±20V 2535 PF @ 25 V - 149W
BCX70K,235 NXP Semiconductors BCX70K 、235 -
RFQ
 ECAD 7939 0.00000000 NXP半導体 BCX70 バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 250 MW TO-236AB - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-BCX70K 、235-954 1 45 v 100 Ma 20na（icbo） npn 550MV @ 1.25MA 、50mA 380 @ 2MA 、5V 250MHz
MRF6VP2600HR5,178 NXP Semiconductors MRF6VP2600HR5,178 -
RFQ
 ECAD 3283 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ MRF6VP2600 - ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー 1 -
BCV62,215 NXP Semiconductors BCV62,215 0.0800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ BCV62 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BCV62,215-954 1
BC817RA147 NXP Semiconductors BC817RA147 0.0400
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ BC817 ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-BC817RA147-954 1
PHP20NQ20T,127 NXP Semiconductors php20nq20t 、127 0.9500
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 NXP半導体 trenchmos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード 適用できない 影響を受けていない 2156-PHP20NQ20T、 127-954 0000.00.0000 341 nチャネル 200 v 20a（tc） 10V 130mohm @ 10a 、10V 4V @ 1MA 65 NC @ 10 V ±20V 2470 PF @ 25 V - 150W
PMV42ENE215 NXP Semiconductors PMV42ENE215 -
RFQ
 ECAD 1454 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 未定義のベンダー 未定義のベンダー 2156-PMV42ENE215-954 1
BUK6E2R3-40C,127 NXP Semiconductors buk6e2r3-40c、127 0.8900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 NXP半導体 Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して To-262-3 Long Leads モスフェット（金属酸化物） i2pak ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-BUK6E2R3-40C、 127-954 1 nチャネル 40 v 120a（tc） 10V 2.3mohm @ 25a 、10V 2.8V @ 1MA 260 NC @ 10 V ±16V 15100 PF @ 25 V - 306W
BUK752R3-40E,127 NXP Semiconductors BUK752R3-40E 、127 0.9000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 NXP半導体 Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-BUK752R3-40E、127-954 ear99 0000.00.0000 1 nチャネル 40 v 120a（ta） 2.3mohm @ 25a 、10V 4V @ 1MA 109.2 NC @ 10 V ±20V 8500 PF @ 25 V - 293w
PMV100XPEA215 NXP Semiconductors PMV100XPEA215 0.0400
RFQ
 ECAD 48 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 モスフェット（金属酸化物） SOT-23 ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-PMV100XPEA215-954 6,693 pチャネル 20 v 2.4a（ta） 128mohm @ 2.4a 、4.5V 1.25V @ 250µA 6 NC @ 4.5 v ±12V 386 PF @ 10 V - 463MW
PMV160UP235 NXP Semiconductors PMV160UP235 -
RFQ
 ECAD 8538 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 未定義のベンダー 未定義のベンダー 2156-PMV160UP235-954 1
MRF24301HSR5 NXP Semiconductors MRF24301HSR5 89.6400
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 NXP半導体 - バルク 廃止 32 v NI-780S 2.4GHz〜2.5GHz ldmos NI-780S - ROHS非準拠 影響を受けていない 2156-MRF24301HSR5 ear99 8541.29.0075 1 - 300W 13.5dB -
PDTC123EMB,315 NXP Semiconductors PDTC123EMB 315 -
RFQ
 ECAD 8441 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 表面マウント 3-xfdfn PDTC123 250 MW DFN1006B-3 ダウンロード 0000.00.0000 1 50 v 100 Ma 1µA npn-バイアス化 150mv @ 500µa 、10ma 30 @ 20MA 、5V 230 MHz 2.2 KOHMS 2.2 KOHMS
PEMZ1,115 NXP Semiconductors pemz1,115 -
RFQ
 ECAD 9747 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-563、SOT-666 pemz1 300MW SOT-666 ダウンロード 0000.00.0000 1 40V 100mA 100na（icbo） NPN、PNP 200mV @ 5MA 、50mA 120 @ 1MA 、6V 100MHz
PMPB15XN,115 NXP Semiconductors PMPB15XN 、115 -
RFQ
 ECAD 7468 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 6-XFDFN露出パッド モスフェット（金属酸化物） DFN1010B-6 - 0000.00.0000 1 nチャネル 20 v 7.3a（ta） 1.8V 、4.5V 21mohm @ 7.3a 、4.5V 900MV @ 250µA 20.2 NC @ 4.5 v ±12V 1240 PF @ 10 V - 1.7W （TA ）、 12.5W （TC
PMPB43XPE,115 NXP Semiconductors PMPB43XPE 、115 1.0000
RFQ
 ECAD 6272 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 6-udfn露出パッド PMPB43 モスフェット（金属酸化物） DFN2020MD-6 ダウンロード 0000.00.0000 1 pチャネル 20 v 5a（ta） 1.8V 、4.5V 48mohm @ 5a 、4.5V 900MV @ 250µA 23.4 NC @ 4.5 v ±12V 1550 PF @ 10 V - 1.7W （TA ）、 12.5W （TC
MD7IC2755NR1 NXP Semiconductors MD7IC2755NR1 114.3900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 NXP半導体 - バルク 廃止 65 v 表面マウント TO-270-14 バリアント、フラットリード 2.5GHz〜2.7GHz ldmos （デュアル） TO-270 WB-14 - 2156-MD7IC2755NR1 3 2 nチャネル 10µA 275 Ma 10W 25dB - 28 v
PMXB40UNE/S500Z NXP Semiconductors PMXB40UNE/S500Z -
RFQ
 ECAD 2461 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 3-XDFN露出パッド モスフェット（金属酸化物） DFN1010D-3 - 2156-PMXB40UNE/S500Z 1 nチャネル 12 v 3.2a（ta） 1.2V 、4.5V 45mohm @ 3.2a 、4.5V 900MV @ 250µA 11.6 NC @ 4.5 v ±8V 556 PF @ 10 V - 400MW
SA2T18H450W19SR6 NXP Semiconductors SA2T18H450W19SR6 214.0800
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 NXP半導体 - バルク 廃止 65 v シャーシマウント NI-1230S-4S4S 1.805GHz1.88GHz ldmos NI-1230S-4S4S - ROHS非準拠 影響を受けていない 2156-SA2T18H450W19SR6 ear99 8541.29.0075 1 デュアル 10µA 800 Ma 89W 16.6db - 30 V
PHP45NQ10T,127 NXP Semiconductors php45nq10t 、127 0.9500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 NXP半導体 trenchmos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード 適用できない 影響を受けていない 2156-PHP45NQ10T、 127-954 341 nチャネル 100 V 47a（tc） 10V 25mohm @ 25a 、10V 4V @ 1MA 61 NC @ 10 V ±20V 2600 PF @ 25 V - 150W
PSMN6R0-30YLB,115 NXP Semiconductors psmn6r0-30ylb 、115 -
RFQ
 ECAD 9157 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント SC-100 、SOT-669 モスフェット（金属酸化物） LFPAK56 、POWER-SO8 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PSMN6R0-30YLB 、115-954 ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 30 V 71a（tc） 4.5V 、10V 6.5mohm @ 20a 、10V 1.95V @ 1MA 19 NC @ 10 V ±20V 1088 PF @ 15 V - 58W （TC）
PMV40UN2R NXP Semiconductors PMV40UN2R -
RFQ
 ECAD 2975 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード ear99 8541.29.0095 1
PSMN6R0-25YLD115 NXP Semiconductors PSMN6R0-25YLD115 0.2200
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-PSMN6R0-25YLD115-954 1,340
PBSS8110Y,115 NXP Semiconductors PBSS8110Y 、115 -
RFQ
 ECAD 8170 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 625 MW 6-tssop ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PBSS8110Y 、115-954 1 100 V 1 a 100NA npn 200mV @ 100mA、1a 150 @ 250ma 、10V 100MHz
A7101CLTK2/T0BC27J NXP Semiconductors A7101CLTK2/T0BC27J 1.3400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-A7101CLTK2/T0BC27J-954 243
PSMN9R5-30YLC,115 NXP Semiconductors psmn9r5-30ylc 、115 -
RFQ
 ECAD 6015 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PSMN9R5-30YLC 、115-954 ear99 8541.29.0075 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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