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トランジスタ（2488）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ フェットタイプ テスト条件 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD （オン/オフ） @ 25°C 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
RN2101,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2101 0.3300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN2101 100 MW SSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 200 MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
RN1101,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1101 0.3300
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN1101 100 MW SSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 250 MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
RN4991FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn4991fe 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN4991 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250MHz 、200MHz 10kohms -
RN1412,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1412 、LXHF 0.0645
RFQ
 ECAD 6934 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN1412 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250 MHz 22 Kohms
2SA1586-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1586-Y 、LXHF 0.3300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 表面マウント SC-70、SOT-323 200 MW USM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 Ma 100na（icbo） PNP 300MV @ 10MA 、100mA 120 @ 2MA 、6V 80MHz
RN4902FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn4902fe 0.3800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN4902 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 200MHz 、250MHz 10kohms 10kohms
RN1410,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1410 、LXHF 0.0645
RFQ
 ECAD 9455 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN1410 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250 MHz 4.7 Kohms
RN2406,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2406 、LXHF 0.3400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN2406 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200 MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
RN2905FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn2905fe 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN2905 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 2.2kohms 47kohms
RN4989FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn4989fe 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN4989 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 250MHz 、200MHz 47kohms 22kohms
2SA1162-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162-GR 、LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 454 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 Ma 100na（icbo） PNP 300MV @ 10MA 、100mA 200 @ 2MA 、6V 80MHz
RN2106MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2106MFV 0.3400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN2106 150 MW vesm ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300mv @ 500µa 、5ma 80 @ 10ma 、5v 250 MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
GT30N135SRA,S1E Toshiba Semiconductor and Storage gt30n135sra、s1e 3.7700
RFQ
 ECAD 3270 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 175°C （TJ） 穴を通して TO-247-3 標準 348 W TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 30 300V、60a、39ohm、15V - 1350 v 60 a 120 a 2.6V @ 15V 、60a - 、1.3mj（オフ） 270 NC -
TK090Z65Z,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK090Z65Z、S1F 6.3200
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosvi チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-247-4 モスフェット（金属酸化物） TO-247-4L ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 25 nチャネル 650 V 30a（ta） 10V 90mohm @ 15a 、10V 4V @ 1.27MA 47 NC @ 10 V ±30V 2780 PF @ 300 V - 230W
TPH9R00CQH,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH9R00CQH 、LQ 2.0000
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERVDFN モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） 264-TPH9R00CQHLQTR ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 150 v 64a（tc） 8V 、10V 9mohm @ 32a 、10V 4.3V @ 1MA 44 NC @ 10 V ±20V 5400 PF @ 75 v - 960MW
TW027N65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW027N65C、S1F 22.7000
RFQ
 ECAD 4982 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 175°C 穴を通して TO-247-3 sicfet （炭化シリコン） TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 650 V 58a 18V 37mohm @ 29a、18V 5V @ 3MA 65 NC @ 18 V +25V、-10V 2288 PF @ 400 v - 156W
TW048N65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW048N65C、S1F 16.3200
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 175°C 穴を通して TO-247-3 sicfet （炭化シリコン） TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 650 V 40a（tc） 18V 65mohm @ 20a、18V 5V @ 1.6ma 41 NC @ 18 V +25V、-10V 1362 PF @ 400 v - 132W
TW140N120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW140N120C、S1F 11.3700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 175°C 穴を通して TO-247-3 sicfet （炭化シリコン） TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 1200 v 20a（tc） 18V 182mohm @ 10a、18V 5V @ 1MA 24 NC @ 18 V +25V、-10V 691 PF @ 800 v - 107W （TC）
TW107N65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW107N65C、S1F 9.6200
RFQ
 ECAD 96 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 175°C 穴を通して TO-247-3 sicfet （炭化シリコン） TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 650 V 20a（tc） 18V 145mohm @ 10a、18V 5V @ 1.2MA 21 NC @ 18 V +25V、-10V 600 pf @ 400 v - 76W （TC）
TW015N120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW015N120C、S1F 68.0400
RFQ
 ECAD 2613 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 175°C 穴を通して TO-247-3 sicfet （炭化シリコン） TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 1200 v 100a（tc） 18V 20mohm @ 50a、18V 5V @ 11.7MA 158 NC @ 18 V +25V、-10V 6000 pf @ 800 v - 431W
TK5P60W5,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK5P60W5、RVQ 1.3300
RFQ
 ECAD 1789 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） dpak - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 600 V 4.5a（ta） 10V 990mohm @ 2.3a 、10V 4.5V @ 230µA 11.5 NC @ 10 V ±30V 370 pf @ 300 v - 60W （TC）
2SC2873-Y(TE12L,ZC Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2873-Y （TE12L ZC 0.4200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-243AA 500 MW pw-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1,000 50 v 2 a 100na（icbo） npn 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 120MHz
TPW2R508NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPW2R508NH 、L1Q 2.8100
RFQ
 ECAD 1661 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 8-POWERWDFN モスフェット（金属酸化物） 8-DSOP Advance ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 75 v 150a（ta） 10V 2.5mohm @ 50a 、10V 4V @ 1MA 72 NC @ 10 V ±20V 6000 pf @ 37.5 v - 800MW
TTA1452B,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TTA1452B 、S4x 1.9800
RFQ
 ECAD 9235 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2 W TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 80 v 12 a 5µa（icbo） PNP 400mv @ 300ma 、6a 120 @ 1a、1V 50MHz
TPH2R805PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R805PL 、LQ 1.2000
RFQ
 ECAD 9118 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERVDFN モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 45 v 100a（tc） 4.5V 、10V 2.8mohm @ 50a 、10V 2.4V @ 500µA 73 NC @ 10 V ±20V 5175 PF @ 22.5 v - 830MW
TK25A20D,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK25A20D 、S5x 1.7900
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 200 v 25a（ta） 10V 70mohm @ 12.5a 、10V 3.5V @ 1MA 60 NC @ 10 V ±20V 2550 PF @ 100 V - 45W
2SA1943-O(S1,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1943-O 2.9200
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して to-3pl 150 W to-3p ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 25 230 v 15 a 5µa（icbo） PNP 3V @ 800MA 、8a 80 @ 1a 、5V 30MHz
2SA2059(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2059 0.6300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-243AA 1 W pw-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 1,000 20 v 3 a 100na（icbo） PNP 190MV @ 53MA 、1.6a 200 @ 500MA 、2V -
TK22V65X5,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK22V65X5 、LQ 5.6600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 4-VSFN露出パッド モスフェット（金属酸化物） 4-dfn-ep（8x8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 650 V 22a（ta） 10V 170mohm @ 11a 、10V 4.5V @ 1.1MA 50 NC @ 10 V ±30V 2400 pf @ 300 v - 180W
SSM3K16FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K16FS 、LF 0.2300
RFQ
 ECAD 6974 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SC-75、SOT-416 モスフェット（金属酸化物） SSM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 20 v 100ma（ta） 1.5V 、4V 3OHM @ 10MA 、4V 1.1V @ 100µA ±10V 9.3 PF @ 3 V - 100MW
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

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    世界的なメーカー

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    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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