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トランジスタ（2488）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
RN1112CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage rn1112ct（tpl3） -
RFQ
 ECAD 9061 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-101 、SOT-883 RN1112 50 MW CST3 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 20 v 50 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 150MV @ 250µA 、5MA 300 @ 1MA 、5V 22 Kohms
XPJR6604PB,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPJR6604PB 、LXHQ 2.7700
RFQ
 ECAD 1489 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 自動車、aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 5-POWERSFN モスフェット（金属酸化物） S-TOGL™ - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 1,500 nチャネル 40 v 200a（ta） 6V 、10V 0.66mohm @ 100a 、10V 3V @ 1MA 128 NC @ 10 V ±20V 11380 PF @ 10 V - 375W
TPH9R00CQ5,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH9R00CQ5、LQ 2.5500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosx-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERVDFN モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） - ROHS3準拠 1 （無制限） 5,000 nチャネル 150 v 108a 8V 、10V 9mohm @ 32a 、10V 4.5V @ 1MA 44 NC @ 10 V ±20V 5400 PF @ 75 v - 3W （TA）、210W（TC）
TK42A12N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK42A12N1、S4x 1.4900
RFQ
 ECAD 210 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK42A12 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 120 v 42a 10V 9.4mohm @ 21a 、10V 4V @ 1MA 52 NC @ 10 V ±20V 3100 PF @ 60 V - 35W （TC）
TK14N65W,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK14N65W、S1F 3.3800
RFQ
 ECAD 8957 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-247-3 TK14N65 モスフェット（金属酸化物） TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 650 V 13.7a 10V 250mohm @ 6.9a 、10V 3.5V @ 690µA 35 NC @ 10 V ±30V 1300 pf @ 300 v - 130W
RN2911(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2911 -
RFQ
 ECAD 5354 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN2911 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200MHz 10kohms -
RN1907FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn1907fe 0.2700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN1907 100MW ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 10kohms 47kohms
RN2102MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn2102mfv 0.3400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN2102 150 MW vesm ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300mv @ 500µa 、5ma 50 @ 10ma 、5v 250 MHz 10 Kohms 10 Kohms
RN2971(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2971 0.4700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN2971 200mw US6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200MHz 10kohms -
TK34A10N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK34A10N1、S4x 1.5500
RFQ
 ECAD 9909 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK34A10 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 100 V 34a（tc） 10V 9.5mohm @ 17a 、10V 4V @ 500µA 38 NC @ 10 V ±20V 2600 PF @ 50 V - 35W （TC）
RN2964FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn2964fe -
RFQ
 ECAD 1932年年 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN2964 100MW ES6 - 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 47kohms 47kohms
RN2109ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2109ACT （TPL3） 0.3400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-101 、SOT-883 RN2109 100 MW CST3 - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 50 v 80 Ma 500na pnp-前バイアス 150MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 47 Kohms 22 Kohms
SSM6N55NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage ssm6n55nu、lf 0.4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 6-wdfn露出パッド SSM6N55 モスフェット（金属酸化物） 1W 6-µDFN （2x2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 30V 4a 46mohm @ 4a 、10V 2.5V @ 100µA 2.5NC @ 4.5V 280pf @ 15V ロジックレベルゲート
2SC3328-Y,T6CKF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2sc3328-y、t6ckf（j -
RFQ
 ECAD 5365 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC3328 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 80 v 2 a 1µa（icbo） npn 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
TK4K1A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK4K1A60F、S4x 0.8300
RFQ
 ECAD 8560 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-220-3フルパック TK4K1A60 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 2a（ta） 10V 4.1OHM @ 1A 、10V 4V @ 190µA 8 NC @ 10 V ±30V 270 pf @ 300 v - 30W （TC）
TK22A65X,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK22A65X、S5x 3.8400
RFQ
 ECAD 188 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-220-3フルパック TK22A65 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 650 V 22a（ta） 10V 150mohm @ 11a 、10V 3.5V @ 1.1MA 50 NC @ 10 V ±30V 2400 pf @ 300 v - 45W
TK3R2A10PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK3R2A10PL 、S4x 2.9400
RFQ
 ECAD 99 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 175°C 穴を通して TO-220-3フルパック TK3R2A10 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 100 V 100a（tc） 4.5V 、10V 3.2mohm @ 50a 、10V 2.5V @ 1MA 161 NC @ 10 V ±20V 9500 PF @ 50 V - 54W
TK380A65Y,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK380A65Y 、S4x 1.8300
RFQ
 ECAD 95 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-220-3フルパック TK380A65 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 650 V 9.7a（tc） 10V 380mohm @ 4.9a 、10V 4V @ 360µA 20 NC @ 10 V ±30V 590 pf @ 300 v - 30W （TC）
TPN5R203PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN5R203PL 、LQ 0.6400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERVDFN TPN5R203 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.1x3.1） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 38a（tc） 4.5V 、10V 5.2mohm @ 19a 、10V 2.1V @ 200µA 22 NC @ 10 V ±20V 1975 pf @ 15 v - 610MW
TK28N65W5,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK28N65W5、S1F 6.6700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-247-3 TK28N65 モスフェット（金属酸化物） TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 650 V 27.6a（ta） 10V 130mohm @ 13.8a 、10V 4.5V @ 1.6ma 90 NC @ 10 V ±30V 3000 pf @ 300 v - 230W
TPH1R405PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R405PL 、L1Q 1.5800
RFQ
 ECAD 9110 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERVDFN TPH1R405 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 45 v 120a（tc） 4.5V 、10V 1.4mohm @ 50a、10V 2.4V @ 500µA 74 NC @ 10 V ±20V 6300 PF @ 22.5 v - 960MW
TPWR6003PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPWR6003PL 、L1Q 3.0600
RFQ
 ECAD 458 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERWDFN TPWR6003 モスフェット（金属酸化物） 8-DSOP Advance ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 30 V 150a 4.5V 、10V 0.6mohm @ 50a 、10V 2.1V @ 1MA 110 NC @ 10 V ±20V 10000 PF @ 15 V - 960MW
TPN11006PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN11006PL 、LQ 0.6400
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERVDFN TPN11006 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.1x3.1） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 60 V 26a（tc） 4.5V 、10V 11.4mohm @ 13a 、10V 2.5V @ 200µA 17 NC @ 10 V ±20V 1625 PF @ 30 V - 610MW
TK28V65W,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK28V65W 、LQ 5.2600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 4-VSFN露出パッド TK28V65 モスフェット（金属酸化物） 4-dfn-ep（8x8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 650 V 27.6a（ta） 10V 120mohm @ 13.8a 、10V 3.5V @ 1.6ma 75 NC @ 10 V ±30V 3000 pf @ 300 v - 240W
TK31Z60X,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK31Z60X s1f 12.4300
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-247-4 TK31Z60 モスフェット（金属酸化物） TO-247-4L ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 25 nチャネル 600 V 30.8a 10V 88mohm @ 9.4a 、10V 3.5V @ 1.5MA 65 NC @ 10 V ±30V 3000 pf @ 300 v - 230W
TK20J60W,S1VE Toshiba Semiconductor and Storage TK20J60W、S1ve 5.3600
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 150°C 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 TK20J60 モスフェット（金属酸化物） to-3p ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 25 nチャネル 600 V 20a（ta） 10V 155mohm @ 10a 、10V 3.7V @ 1MA 48 NC @ 10 V ±30V 1680 pf @ 300 v - 165W
TPH3R70APL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R70APL 、L1Q 1.6400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERVDFN TPH3R70 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 100 V 90a 4.5V 、10V 3.7mohm @ 45a 、10V 2.5V @ 1MA 67 NC @ 10 V ±20V 6300 PF @ 50 V - 960MW
TPH1R306PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R306PL 、L1Q 2.0800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERVDFN TPH1R306 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 60 V 100a（tc） 4.5V 、10V 1.34mohm @ 50a 、10V 2.5V @ 1MA 91 NC @ 10 V ±20V 8100 PF @ 30 V - 960MW
TK110E10PL,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK110E10PL 、S1x 1.3400
RFQ
 ECAD 78 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 175°C 穴を通して TO-220-3 TK110E10 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 100 V 42a 4.5V 、10V 10.7mohm @ 21a 、10V 2.5V @ 300µA 33 NC @ 10 V ±20V 2040 PF @ 50 V - 87W
TPH1500CNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1500CNH 、L1Q 1.9800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 8-POWERVDFN TPH1500 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 150 v 38a（tc） 10V 15.4mohm @ 19a 、10v 4V @ 1MA 22 NC @ 10 V ±20V 2200 pf @ 75 v - 1.6W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

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    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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