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トランジスタ（2488）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
TK28V65W5,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK28V65W5 5.5700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 4-VSFN露出パッド TK28V65 モスフェット（金属酸化物） 4-dfn-ep（8x8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 650 V 27.6a（ta） 10V 140mohm @ 13.8a 、10V 4.5V @ 1.6ma 90 NC @ 10 V ±30V 3000 pf @ 300 v - 240W
TK17A65W5,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK17A65W5、S5x 3.1400
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-220-3フルパック TK17A65 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 650 V 17.3a（ta） 10V 230mohm @ 8.7a 、10V 4.5V @ 900µA 50 NC @ 10 V ±30V 1800 pf @ 300 v - 45W
TK60F10N1L,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage TK60F10N1L 、LXGQ 2.3200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント TO-263-3 TK60F10 モスフェット（金属酸化物） TO-220SM - 3 （168 時間） ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 100 V 60a（ta） 6V 、10V 6.11mohm @ 30a 、10V 3.5V @ 500µA 60 NC @ 10 V ±20V 4320 PF @ 10 V - 205W
XPH6R30ANB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPH6R30ANB 、L1XHQ 1.8400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-SOIC （0.197 "、幅5.00mm） XPH6R30 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） - 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 100 V 45a（ta） 6V 、10V 6.3mohm @ 22.5a 、10V 3.5V @ 500µA 52 NC @ 10 V ±20V 3240 PF @ 10 V - 960MW
TK160F10N1L,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage TK160F10N1L 、LXGQ 3.7000
RFQ
 ECAD 4476 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント TO-263-3 TK160F10 モスフェット（金属酸化物） TO-220SM - 3 （168 時間） ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 100 V 160a（ta） 6V 、10V 2.4mohm @ 80a 、10V 3.5V @ 1MA 122 NC @ 10 V ±20V 10100 PF @ 10 V - 375W
SSM6K518NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K518NU 、LF 0.4100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-wdfn露出パッド SSM6K518 モスフェット（金属酸化物） 6-udfnb （2x2） - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 20 v 6a（ta） 1.5V 、4.5V 33mohm @ 4a 、4.5V 1V @ 1MA 3.6 NC @ 4.5 v ±8V 410 pf @ 10 v - 1.25W
SSM6K516NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K516NU 、LF 0.4100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-wdfn露出パッド SSM6K516 モスフェット（金属酸化物） 6-udfnb （2x2） - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 6a（ta） 4.5V 、10V 46mohm @ 4a 、10V 2.5V @ 100µA 2.5 NC @ 4.5 v +20V、 -12V 280 PF @ 15 V - 1.25W
RN1101MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1101MFV 、L3F 0.0261
RFQ
 ECAD 9895 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません 表面マウント SOT-723 RN1101 150 MW vesm ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300mv @ 500µa 、5ma 30 @ 10ma 、5v 4.7 Kohms 4.7 Kohms
2SA1242-Y(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1242-Y -
RFQ
 ECAD 3646 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 150°C （TJ） 表面マウント to-251-3 2SA1242 1 W pw-mold ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 200 20 v 5 a 100na（icbo） PNP 1V @ 100MA 、4a 160 @ 500MA 、2V 170MHz
RN2111MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2111MFV 、L3F 0.2000
RFQ
 ECAD 1153 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN2111 150 MW vesm ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 10 Kohms
2SD2695(T6CNO,A,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2695 -
RFQ
 ECAD 5381 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SD2695 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 60 V 2 a 10µa（icbo） npn 1.5V @ 1MA、1a 2000 @ 1a 、2V 100MHz
2SA1931,KEHINQ(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1931 -
RFQ
 ECAD 8804 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SA1931 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 50 v 5 a 1µa（icbo） PNP 400mv @ 200ma 、2a 100 @ 1a、1V 60MHz
RN4904FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn4904fe 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN4904 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 、250MHz 47kohms 47kohms
2SA1020-Y(T6CANOFM Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y（T6CanofM -
RFQ
 ECAD 6361 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SA1020 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） 2SA1020YT6CANOFM ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µa（icbo） PNP 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
2SA1987-O(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1987-O 3.4500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して to-3pl 2SA1987 180 W to-3p ダウンロード ROHS3準拠 適用できない ear99 8541.29.0075 100 230 v 15 a 5µa（icbo） PNP 3V @ 800MA 、8a 80 @ 1a 、5V 30MHz
RN2410,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2410 、LXHF 0.0645
RFQ
 ECAD 7556 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN2410 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200 MHz 4.7 Kohms
2SB1457(T6DW,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SB1457 -
RFQ
 ECAD 5222 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SB1457 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 1 100 V 2 a 10µa（icbo） PNP 1.5V @ 1MA、1a 2000 @ 1a 、2V 50MHz
RN1907,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1907 0.3600
RFQ
 ECAD 5768 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN1907 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 10kohms 47kohms
2SA1955FVATPL3Z Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1955FVATPL3Z 0.2000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント SC-101 、SOT-883 2SA1955 100 MW CST3 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 8,000 12 v 400 Ma 100na（icbo） PNP 250mv @ 10ma 、200ma 300 @ 10MA 、2V 130MHz
2SA1315-Y,HOF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1315-Y 、HOF（m -
RFQ
 ECAD 8164 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SA1315 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 1 80 v 2 a 1µa（icbo） PNP 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 80MHz
TDTC124E,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTC124E、LM 0.1800
RFQ
 ECAD 4840 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 TDTC124 320 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 500µA 、10mA 49 @ 5MA 、5V 250 MHz 22 Kohms
2SA1313-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1313-Y 、LF 0.3400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 2SA1313 200 MW s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 500 Ma 100na（icbo） PNP 250MV @ 10MA 、100mA 120 @ 100MA、1V 200MHz
2SA1020-Y,HOF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y 、HOF（m -
RFQ
 ECAD 4288 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SA1020 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µa（icbo） PNP 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
2SC4738-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4738-Y 、LF 0.2000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント SC-75、SOT-416 2SC4738 100 MW SSM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 Ma 100na（icbo） npn 250MV @ 10MA 、100mA 120 @ 2MA 、6V 80MHz
RN1132MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage rn1132mfv、l3f 0.1800
RFQ
 ECAD 2506 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN1132 150 MW vesm ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300mv @ 500µa 、5ma 120 @ 1MA 、5V 200コーム
2SC2655-Y(T6CANOFM Toshiba Semiconductor and Storage 2sc2655-y（t6canofm -
RFQ
 ECAD 8697 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC2655 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） 2SC2655YT6CANOFM ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µa（icbo） npn 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
TPCA8016-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8016-H （TE12LQM -
RFQ
 ECAD 6814 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - Digi-Reel® 廃止 表面マウント 8-POWERVDFN TPCA8016 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 60 V 25a（ta） 21mohm @ 13a 、10V 2.3V @ 1MA 22 NC @ 10 V 1375 PF @ 10 V -
2SA1972,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1972 -
RFQ
 ECAD 7950 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SA1972 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 1 400 V 500 Ma 10µa（icbo） PNP 1V @ 10MA 、100mA 140 @ 20MA 、5V 35MHz
2SA1587-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1587-BL 、LF 0.2700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 2SA1587 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 120 v 100 Ma 100na（icbo） PNP 300MV @ 1MA 、10ma 350 @ 2MA 、6V 100MHz
RN1427TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1427TE85LF 0.3900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN1427 200 MW s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 800 Ma 500na npn-バイアス化 250mv @ 1ma 、50ma 90 @ 100MA、1V 300 MHz 2.2 KOHMS 10 Kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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