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トランジスタ（2488）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
RN2710,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2710 、LF 0.3000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 5-TSSOP 、SC-70-5 、SOT-353 RN2710 200mw USV ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200MHz 4.7kohms -
SSM3J325F,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J325F 、LF 0.4100
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 SSM3J325 モスフェット（金属酸化物） s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 20 v 2a（ta） 1.5V 、4.5V 150mohm @ 1a 、4.5V - 4.6 NC @ 4.5 v ±8V 270 pf @ 10 v - 600MW
SSM6N55NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage ssm6n55nu、lf 0.4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 6-wdfn露出パッド SSM6N55 モスフェット（金属酸化物） 1W 6-µDFN （2x2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 30V 4a 46mohm @ 4a 、10V 2.5V @ 100µA 2.5NC @ 4.5V 280pf @ 15V ロジックレベルゲート
SSM3K35MFV(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K35MFV -
RFQ
 ECAD 8872 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-723 SSM3K35 モスフェット（金属酸化物） vesm ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 nチャネル 20 v 180ma（ta） 1.2V 、4V 3OHM @ 50MA 、4V 1V @ 1MA ±10V 9.5 PF @ 3 V - 150MW
TK16G60W5,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK16G60W5、RVQ 3.2100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 600 V 15.8a 10V 230mohm @ 7.9a 、10V 4.5V @ 790µA 43 NC @ 10 V ±30V 1350 pf @ 300 v - 130W
TK5A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK5A60D 1.5700
RFQ
 ECAD 3980 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK5A60 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 5a（ta） 10V 1.43OHM @ 2.5A 、10V 4.4V @ 1MA 16 NC @ 10 V ±30V 700 PF @ 25 V - 35W （TC）
SSM6L12TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L12TU 、LF 0.5100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6L12 モスフェット（金属酸化物） 500MW UF6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nおよびpチャネル 30V 、20V 500ma（ta） 145mohm @ 500ma 、4.5v 、260mohm @ 250ma 、4v 1.1V @ 100µA - 245pf @ 10V、218pf @ 10V -
TPH9R00CQ5,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH9R00CQ5、LQ 2.5500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosx-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERVDFN モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） - ROHS3準拠 1 （無制限） 5,000 nチャネル 150 v 108a 8V 、10V 9mohm @ 32a 、10V 4.5V @ 1MA 44 NC @ 10 V ±20V 5400 PF @ 75 v - 3W （TA）、210W（TC）
SSM3K316T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage ssm3k316t -
RFQ
 ECAD 3620 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 SSM3K316 モスフェット（金属酸化物） TSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 30 V 4a（ta） 1.8V 、10V 53mohm @ 3a、10V 1V @ 1MA 4.3 NC @ 4 V ±12V 270 pf @ 10 v - 700MW
TK5A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK5A65W、S5x 1.6000
RFQ
 ECAD 1655 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK5A65 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 650 V 5.2a（ta） 10V 1.2OHM @ 2.6A 、10V 3.5V @ 170µA 10.5 NC @ 10 V ±30V 380 pf @ 300 v - 30W （TC）
SSM6L39TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L39TU 、LF 0.4600
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6L39 モスフェット（金属酸化物） 500MW UF6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nおよびpチャネル 20V 800mA 143mohm @ 600ma 、4v 1V @ 1MA - 268pf @ 10V ロジックレベルゲート、 1.8Vドライブ
2SC3074-O(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3074-O -
RFQ
 ECAD 3255 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 2SC3074 1 W pw-mold ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 200 50 v 5 a 1µa（icbo） npn 400MV @ 150MA、3a 70 @ 1a、1V 120MHz
XPN3R804NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPN3R804NC 、L1XHQ 1.4700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERVDFN XPN3R804 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE-WF（3.1x3.1 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 40 v 40a（ta） 4.5V 、10V 3.8mohm @ 20a 、10V 2.5V @ 300µA 35 NC @ 10 V ±20V 2230 pf @ 10 v - 840MW
TPCF8304(TE85L,F,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8304 （TE85L -
RFQ
 ECAD 5747 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SMD 、フラットリード TPCF8304 モスフェット（金属酸化物） 330MW vs-8（2.9x1.5 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 2 P-Channel （デュアル） 30V 3.2a 72mohm @ 1.6a、10V 1.2V @ 1MA 14NC @ 10V 600pf @ 10V ロジックレベルゲート
RN1101,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1101 0.3300
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN1101 100 MW SSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 250 MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
TK5P60W5,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK5P60W5、RVQ 1.3300
RFQ
 ECAD 1789 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） dpak - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 600 V 4.5a（ta） 10V 990mohm @ 2.3a 、10V 4.5V @ 230µA 11.5 NC @ 10 V ±30V 370 pf @ 300 v - 60W （TC）
TK110A10PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK110A10PL 、S4x 1.0900
RFQ
 ECAD 328 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 175°C 穴を通して TO-220-3フルパック TK110A10 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 100 V 36a（tc） 4.5V 、10V 10.8mohm @ 18a 、10V 2.5V @ 300µA 33 NC @ 10 V ±20V 2040 PF @ 50 V - 36W （TC）
TK31Z60X,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK31Z60X s1f 12.4300
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-247-4 TK31Z60 モスフェット（金属酸化物） TO-247-4L ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 25 nチャネル 600 V 30.8a 10V 88mohm @ 9.4a 、10V 3.5V @ 1.5MA 65 NC @ 10 V ±30V 3000 pf @ 300 v - 230W
HN1C03F-B(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage hn1c03f-b（TE85L 0.1485
RFQ
 ECAD 6796 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SC-74、SOT-457 HN1C03 300MW SM6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 20V 300mA 100na（icbo） 2 NPN （デュアル） 100MV @ 3MA 、30MA 350 @ 4MA 、2V 30MHz
RN1413,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1413 0.1900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN1413 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250 MHz 47 Kohms
RN1908,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1908 0.3600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN1908 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500na 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 22kohms 47kohms
RN2911FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn2911fe 0.3500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN2911 100MW ES6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200MHz 10kohms -
RN1108,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn1108 0.2000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN1108 100 MW SSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250 MHz 22 Kohms 47 Kohms
RN2104MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2104MFV 0.3400
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN2104 150 MW vesm ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300mv @ 500µa 、5ma 80 @ 10ma 、5v 250 MHz 47 Kohms 47 Kohms
TK14N65W5,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK14N65W5、S1F 4.3100
RFQ
 ECAD 4776 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-247-3 TK14N65 モスフェット（金属酸化物） TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 650 V 13.7a 10V 300mohm @ 6.9a 、10V 4.5V @ 690µA 40 NC @ 10 V ±30V 1300 pf @ 300 v - 130W
TK42A12N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK42A12N1、S4x 1.4900
RFQ
 ECAD 210 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK42A12 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 120 v 42a 10V 9.4mohm @ 21a 、10V 4V @ 1MA 52 NC @ 10 V ±20V 3100 PF @ 60 V - 35W （TC）
TPC6012(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC6012 -
RFQ
 ECAD 5714 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiv テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 TPC6012 モスフェット（金属酸化物） vs-6（2.9x2.8 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 20 v 6a（ta） 2.5V 、4.5V 20mohm @ 3a 、4.5v 1.2V @ 200µA 9 NC @ 5 V ±12V 630 PF @ 10 V - 700MW
RN4987FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn4987fe 0.3800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN4987 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 、200MHz 10kohms 47kohms
RN1110,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1110 0.3300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN1110 100 MW SSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250 MHz 4.7 Kohms
RN1108(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1108 0.2300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN1108 100 MW SSM ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250 MHz 22 Kohms 47 Kohms
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    標準製品ユニット

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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