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トランジスタ（2488）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ECCN htsus 標準パッケージ フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
SSM3J143TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J143TU 、LXHF 0.4600
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 自動車、aec-q101 、u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 3-SMD 、フラットリード モスフェット（金属酸化物） UFM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 20 v 5.5a（ta） 1.5V 、4.5V 29.8mohm @ 3a 、4.5V 1V @ 1MA 12.8 NC @ 4.5 v +6V、 -8V 840 PF @ 10 V - 500MW
TPH4R50ANH1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R50ANH1、LQ 1.5400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 8-powertdfn モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5.75） - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 100 V 92a（tc） 10V 4.5mohm @ 46a 、10V 4V @ 1MA 58 NC @ 10 V ±20V 5200 PF @ 50 V - 800MW
RN2905,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2905 0.4400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN2905 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 2.2kohms 47kohms
RN1315,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1315 、LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 8527 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN1315 100 MW SC-70 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 250 MHz 2.2 KOHMS 10 Kohms
RN4984,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4984 0.4400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4984 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 、200MHz 47kohms 47kohms
RN1903,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1903 0.3600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN1903 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 250MHz 22kohms 22kohms
RN4983,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4983 0.4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4983 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 250MHz 、200MHz 22kohms 22kohms
RN4901,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4901 0.4400
RFQ
 ECAD 6357 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4901 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 200MHz 、250MHz 4.7kohms 4.7kohms
RN1306,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1306 、LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN1306 100 MW SC-70 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200 MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
2SC5819(TE12L,ZF) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5819 -
RFQ
 ECAD 4711 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - 箱 アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-243AA 1 W pw-mini ダウンロード ear99 8541.29.0095 1 20 v 1.5 a 100na（icbo） npn 120mv @ 10ma 、500ma 400 @ 150ma 、2V -
RN1911,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1911 0.3600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN1911 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250MHz 10kohms -
RN2304,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2304 、LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN2304 100 MW SC-70 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200 MHz 47 Kohms 47 Kohms
RN1909,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1909 0.3500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN1909 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500na 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 250MHz 47kohms 22kohms
RN2908,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2908 0.4400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN2908 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500na 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 22kohms 47kohms
RN2307,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2307 、LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 2595 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN2307 100 MW SC-70 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200 MHz 10 Kohms 47 Kohms
RN2308,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2308 、LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN2308 100 MW SC-70 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200 MHz 22 Kohms 47 Kohms
RN1908,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1908 0.3600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN1908 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500na 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 22kohms 47kohms
RN4902FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn4902fe 0.3800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN4902 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 200MHz 、250MHz 10kohms 10kohms
RN1410,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1410 、LXHF 0.0645
RFQ
 ECAD 9455 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN1410 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250 MHz 4.7 Kohms
RN2406,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2406 、LXHF 0.3400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN2406 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200 MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
RN2905FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn2905fe 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN2905 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 2.2kohms 47kohms
RN4989FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn4989fe 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN4989 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 250MHz 、200MHz 47kohms 22kohms
2SA1162-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162-GR 、LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 454 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 Ma 100na（icbo） PNP 300MV @ 10MA 、100mA 200 @ 2MA 、6V 80MHz
RN2106MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2106MFV 0.3400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN2106 150 MW vesm ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300mv @ 500µa 、5ma 80 @ 10ma 、5v 250 MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
RN2113,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2113 0.0624
RFQ
 ECAD 9067 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN2113 100 MW SSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200 MHz 47 Kohms
RN1106MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1106MFV 0.3400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN1106 150 MW vesm ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300mv @ 500µa 、5ma 80 @ 1MA 、5V 4.7 Kohms 47 Kohms
HN1C01FU-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage hn1c01fu-y、lxhf 0.4100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 HN1C01 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 150ma 100na（icbo） 2 NPN （デュアル） 250MV @ 10MA 、100mA 120 @ 2MA 、6V 80MHz
2SA1162-O,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162-O 、LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 Ma 100na（icbo） PNP 300MV @ 10MA 、100mA 70 @ 2MA 、6V 80MHz
RN2115,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2115 0.3300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN2115 100 MW SSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 200 MHz 2.2 KOHMS 10 Kohms
HN1B04FE-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage hn1b04fe-gr、lxhf 0.4500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-563、SOT-666 HN1B04 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 150ma 100na（icbo） NPN、PNP 250mv @ 10ma 、100ma / 300mv @ 10ma 、100ma 200 @ 2MA 、6V 80MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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