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トランジスタ（2488）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2） ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
TK2P60D(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage TK2P60D （TE16L1 -
RFQ
 ECAD 2671 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK2P60 モスフェット（金属酸化物） pw-mold ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 600 V 2a（ta） 10V 4.3OHM @ 1A 、10V 4.4V @ 1MA 7 NC @ 10 V ±30V 280 pf @ 25 v - 60W （TC）
TK290P65Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK290P65Y 、RQ 1.9500
RFQ
 ECAD 7937 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 DTMOSV テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK290P65 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 650 V 11.5a 10V 290mohm @ 5.8a 、10V 4V @ 450µA 25 NC @ 10 V ±30V 730 pf @ 300 v - 100W （TC）
TPH2R805PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R805PL 、LQ 1.2000
RFQ
 ECAD 9118 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERVDFN モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 45 v 100a（tc） 4.5V 、10V 2.8mohm @ 50a 、10V 2.4V @ 500µA 73 NC @ 10 V ±20V 5175 PF @ 22.5 v - 830MW
TK16A60W,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK16A60W、S4x 2.3741
RFQ
 ECAD 4531 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-3フルパック TK16A60 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） TK16A60WS4X ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 15.8a 10V 190mohm @ 7.9a 、10V 3.7V @ 790µA 40 NC @ 10 V ±30V 1350 pf @ 300 v - 40W （TC）
TPN6R003NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN6R003NL 、LQ 0.8800
RFQ
 ECAD 9982 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPN6R003 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.1x3.1） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 27a（tc） 4.5V 、10V 6mohm @ 13.5a 、10V 2.3V @ 200µA 17 NC @ 10 V ±20V 1400 PF @ 15 V - 700MW
SSM3J108TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J108TU （TE85L） -
RFQ
 ECAD 2405 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiii テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 3-SMD 、フラットリード SSM3J108 モスフェット（金属酸化物） UFM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 20 v 1.8a（ta） 1.8V 、4V 158mohm @ 800ma 、4V 1V @ 1MA ±8V 250 pf @ 10 V - 500MW
HN1B01FU-Y(L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage hn1b01fu-y -
RFQ
 ECAD 9540 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 HN1B01 200mw US6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 150ma 100na（icbo） NPN、PNP 300MV @ 10MA 、100mA 120 @ 2MA 、6V 120MHz
SSM6J216FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J216FE 、LF 0.4900
RFQ
 ECAD 2168 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SOT-563、SOT-666 SSM6J216 モスフェット（金属酸化物） ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 pチャネル 12 v 4.8a（ta） 1.5V 、4.5V 32mohm @ 3.5a 、4.5V 1V @ 1MA 12.7 NC @ 4.5 v ±8V 1040 pf @ 12 v - 700MW
2SA1315-Y,T6ASNF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1315-y、t6asnf（j -
RFQ
 ECAD 7868 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SA1315 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 1 80 v 2 a 1µa（icbo） PNP 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 80MHz
RN2101ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2101ACT -
RFQ
 ECAD 7160 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-101 、SOT-883 RN2101 100 MW CST3 - 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 50 v 80 Ma 500na pnp-前バイアス 150MV @ 500µA、5MA 30 @ 10ma 、5v 4.7 Kohms 4.7 Kohms
RN1416,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1416 、LXHF 0.3400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN1416 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 250 MHz 4.7 Kohms 10 Kohms
2SA1954-A(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1954-A （TE85L -
RFQ
 ECAD 8074 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 125°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 2SA1954 100 MW SC-70 - 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 12 v 500 Ma 100na（icbo） PNP 250mv @ 10ma 、200ma 300 @ 10MA 、2V 130MHz
SSM6K211FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K211FE 、LF 0.5400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiii テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-563、SOT-666 SSM6K211 モスフェット（金属酸化物） ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 nチャネル 20 v 3.2a（ta） 1.5V 、4.5V 47mohm @ 2a 、4.5V 1V @ 1MA 10.8 NC @ 4.5 v ±10V 510 pf @ 10 v - 500MW
SSM6P816R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P816R 、LF 0.4900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6P816 モスフェット（金属酸化物） 1.4W 6-tsop-f ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 2 P-Channel （デュアル） 20V 6a（ta） 30.1mohm @ 4a 、4.5V 1V @ 1MA 16.6NC @ 4.5V 1030pf @ 10V ロジックレベルゲート、 1.8Vドライブ
2SA2059(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2059 0.6300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-243AA 1 W pw-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 1,000 20 v 3 a 100na（icbo） PNP 190MV @ 53MA 、1.6a 200 @ 500MA 、2V -
RN2110ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2110ACT 0.0527
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-101 、SOT-883 RN2110 100 MW CST3 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 50 v 80 Ma 100na（icbo） pnp-前バイアス 150MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 4.7 Kohms
TK31V60X,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK31V60X 、LQ 5.3300
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 4-VSFN露出パッド TK31V60 モスフェット（金属酸化物） 4-dfn-ep（8x8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 600 V 30.8a 10V 98mohm @ 9.4a 、10V 3.5V @ 1.5MA 65 NC @ 10 V ±30V 3000 pf @ 300 v - 240W
RN2971(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2971 0.4700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN2971 200mw US6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200MHz 10kohms -
RN2911(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2911 -
RFQ
 ECAD 5354 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN2911 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200MHz 10kohms -
TPN11003NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN11003NL 、LQ 0.6800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPN11003 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.1x3.1） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 11a（tc） 4.5V 、10V 11mohm @ 5.5a 、10V 2.3V @ 100µA 7.5 NC @ 10 V ±20V 660 PF @ 15 V - 700MW （TA ）、19W（TC）
HN1B04FU-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage hn1b04fu-y、lxhf 0.4200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ - 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 HN1B04 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 150ma 100na（icbo） NPN、PNP 250mv @ 10ma 、100ma / 300mv @ 10ma 、100ma 120 @ 2MA 、6V 150MHz、120MHz
MT3S113(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage MT3S113 0.7000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 MT3S113 800mw s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 11.8db 5.3V 100mA npn 200 @ 30ma 、5v 12.5GHz 1.45db @ 1GHz
TPCP8103-H(TE85LFM Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8103-H （TE85LFM -
RFQ
 ECAD 9306 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiii-h テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SMD 、フラットリード TPCP8103 モスフェット（金属酸化物） PS-8（2.9x2.4） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 40 v 4.8a（ta） 4.5V 、10V 40mohm @ 2.4a 、10V 2V @ 1MA 19 NC @ 10 V ±20V 800 PF @ 10 V - 840MW
TK50P04M1(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK50P04M1 -
RFQ
 ECAD 3751 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi-h テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK50P04 モスフェット（金属酸化物） d-pak ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 40 v 50a（ta） 4.5V 、10V 8.7mohm @ 25a 、10V 2.3V @ 500µA 38 NC @ 10 V ±20V 2600 PF @ 10 V - 60W （TC）
SSM6N7002KFU,LXH Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N7002KFU 、LXH 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 自動車、aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 SSM6N7002 モスフェット（金属酸化物） 285MW US6 ダウンロード 1 （無制限） 264-SSM6N7002KFULXHCT ear99 8541.21.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 60V 300ma（ta） 1.5OHM @ 100MA 、10V 2.1V @ 250µA 0.6NC @ 4.5V 40pf @ 10V -
2SK3700(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3700 2.5200
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 2SK3700 モスフェット（金属酸化物） to-3p ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 900 V 5a（ta） 2.5OHM @ 3A 、10V 4V @ 1MA 28 NC @ 10 V 1150 PF @ 25 V - 150W
TPCC8005-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8005-H （TE12LQM -
RFQ
 ECAD 7033 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi-h テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-vdfn露出パッド TPCC8005 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.3x3.3） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 26a（ta） 4.5V 、10V 6.4mohm @ 13a 、10V 2.3V @ 500µA 35 NC @ 10 V ±20V 2900 PF @ 10 V - 700MW
2SC5459(TOJS,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5459 -
RFQ
 ECAD 5031 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SC5459 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 1 400 V 3 a 100µa（icbo） npn 1V @ 150ma 、1.2a 20 @ 300MA 、5V -
TK6R8A08QM,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK6R8A08QM、S4x 1.2100
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosx-h チューブ アクティブ 175°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 80 v 58a 6V 、10V 6.8mohm @ 29a 、10V 3.5V @ 500µA 39 NC @ 10 V ±20V 2700 PF @ 40 V - 41W
TK72A08N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK72A08N1、S4x 2.2300
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK72A08 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 75 v 80a（ta） 10V 4.5mohm @ 40a、10V 4V @ 1MA 175 NC @ 10 V ±20V 8200 PF @ 10 V - 45W
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    標準製品ユニット

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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