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トランジスタ（2488）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
RN2964FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn2964fe -
RFQ
 ECAD 1932年年 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN2964 100MW ES6 - 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 47kohms 47kohms
2SA1931,KEHINQ(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1931 -
RFQ
 ECAD 8804 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SA1931 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 50 v 5 a 1µa（icbo） PNP 400mv @ 200ma 、2a 100 @ 1a、1V 60MHz
2SD2695(T6CNO,A,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2695 -
RFQ
 ECAD 5381 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SD2695 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 60 V 2 a 10µa（icbo） npn 1.5V @ 1MA、1a 2000 @ 1a 、2V 100MHz
RN4904FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn4904fe 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN4904 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 、250MHz 47kohms 47kohms
2SA1020-Y(T6CANOFM Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y（T6CanofM -
RFQ
 ECAD 6361 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SA1020 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） 2SA1020YT6CANOFM ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µa（icbo） PNP 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
RN1301,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1301 、LF 0.1800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN1301 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 250 MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
2SA949-O(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA949-O -
RFQ
 ECAD 1856年年 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SA949 800 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 150 v 50 Ma 100na（icbo） PNP 800mv @ 1ma 、10a 70 @ 10ma 、5v 120MHz
TPCA8A01-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8A01-H （TE12L、Q -
RFQ
 ECAD 3926 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPCA8A01 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 36a（ta） 4.5V 、10V 5.6mohm @ 18a 、10V 2.3V @ 1MA 35 NC @ 10 V ±20V 1970 pf @ 10 v - 1.6W
TPH3R003PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R003PL 、LQ 0.9900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPH3R003 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 88a（tc） 4.5V 、10V 4.2mohm @ 44a 、4.5V 2.1V @ 300µA 50 NC @ 10 V ±20V 3825 PF @ 15 V - 90W
SSM3J35CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J35CTC、L3F 0.3400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SC-101 、SOT-883 SSM3J35 モスフェット（金属酸化物） CST3C ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 pチャネル 20 v 250ma（ta） 1.2V 、4.5V 1.4OHM @ 150MA 、4.5V 1V @ 100µA ±10V 42 pf @ 10 v - 500MW
RN2310(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2310 0.0474
RFQ
 ECAD 6131 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN2310 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200 MHz 4.7 Kohms
2SA1837,NSEIKIF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1837 -
RFQ
 ECAD 1887 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SA1837 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 230 v 1 a 1µa（icbo） PNP 1.5V @ 50ma 、500ma 100 @ 100MA 、5V 70MHz
SSM6P35AFE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P35AFE 、LF 0.4200
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SOT-563、SOT-666 SSM6p35 モスフェット（金属酸化物） 150MW ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 2 P-Channel （デュアル） 20V 250ma（ta） 1.4OHM @ 150MA 、4.5V 1V @ 100µA - 42pf @ 10V ロジックレベルゲート、1.2Vドライブ
TPC8A06-H(TE12LQM) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8A06-H （TE12LQM -
RFQ
 ECAD 8606 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 - 表面マウント 8-SOIC （0.173 "、幅4.40mm） TPC8A06 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップ（5.5x6.0 ダウンロード 1 （無制限） TPC8A06HTE12LQM ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 12a（ta） 4.5V 、10V 10.1mohm @ 6a 、10V 2.3V @ 1MA 19 NC @ 10 V ±20V 1800 pf @ 10 v ショットキーダイオード（ボディ） -
TK560P65Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK560P65Y 、RQ 1.3300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 DTMOSV テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK560P65 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 650 V 7a（tc） 10V 560mohm @ 3.5a 、10V 4V @ 240µA 14.5 NC @ 10 V ±30V 380 pf @ 300 v - 60W （TC）
TK15A60U(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK15A60U -
RFQ
 ECAD 1261 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosii チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK15A60 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 15a（ta） 10V 300mohm @ 7.5a 、10V 5V @ 1MA 17 NC @ 10 V ±30V 950 PF @ 10 V - 40W （TC）
2SC2229-Y(T6ONK1FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-Y （T6ONK1FM -
RFQ
 ECAD 8244 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC2229 800 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） 2SC2229YT6ONK1FM ear99 8541.21.0075 1 150 v 50 Ma 100na（icbo） npn 500MV @ 1MA 、10ma 70 @ 10ma 、5v 120MHz
TPH8R80ANH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH8R80ANH 、L1Q 1.7900
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPH8R80 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 100 V 32a 10V 8.8mohm @ 16a 、10V 4V @ 500µA 33 NC @ 10 V ±20V 2800 PF @ 50 V - 1.6W
2SA1020-Y,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y 、T6F （J -
RFQ
 ECAD 9446 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SA1020 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µa（icbo） PNP 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
TPH7R506NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH7R506NH 、L1Q 1.4700
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPH7R506 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 60 V 22a（ta） 10V 7.5mohm @ 11a 、10V 4V @ 300µA 31 NC @ 10 V ±20V 2320 pf @ 30 v - 1.6W
RN2704JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn2704je 0.4800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-553 RN2704 100MW ESV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル）（エミッタ結合） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 47kohms 47kohms
TK6Q65W,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TK6Q65W、S1Q 1.4000
RFQ
 ECAD 8899 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-251-3 スタブリード、IPAK TK6Q65 モスフェット（金属酸化物） i-pak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 75 nチャネル 650 V 5.8a（ta） 10V 1.05OHM @ 2.9A 、10V 3.5V @ 180µA 11 NC @ 10 V ±30V 390 pf @ 300 v - 60W （TC）
2SC6010(T2MITUM,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6010 -
RFQ
 ECAD 5872 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して SC-71 2SC6010 1 W MSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 1 600 V 1 a 100µa（icbo） npn 1V @ 75MA 、600mA 100 @ 100MA 、5V -
TK15A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK15A50D 3.2300
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK15A50 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 500 V 15a（ta） 10V 300mohm @ 7.5a 、10V 4V @ 1MA 40 NC @ 10 V ±30V 2300 PF @ 25 V - 50W （TC）
TK12A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK12A45D 2.2300
RFQ
 ECAD 1473 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK12A45 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 450 v 12a（ta） 10V 520mohm @ 6a 、10V 4V @ 1MA 24 NC @ 10 V ±30V 1200 PF @ 25 V - 45W
TPH11006NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH11006NL 、LQ 0.8000
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPH11006 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 60 V 17a（tc） 4.5V 、10V 11.4mohm @ 8.5a 、10V 2.5V @ 200µA 23 NC @ 10 V ±20V 2000 PF @ 30 V - 1.6W
2SC5354,XGQ(O Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5354、XGQ（O -
RFQ
 ECAD 1637 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * チューブ アクティブ 2SC5354 ダウンロード ROHS準拠 適用できない ear99 8541.29.0095 50
RN4984FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn4984fe、lf（ct 0.2800
RFQ
 ECAD 70 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN4984 100MW ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 47kohms 47kohms
TK14A55D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK14A55D 3.1600
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK14A55 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 550 V 14a（ta） 10V 370mohm @ 7a 、10V 4V @ 1MA 40 NC @ 10 V ±30V 2300 PF @ 25 V - 50W （TC）
RN1902FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1902FE 0.3400
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN1902 100MW ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 250MHz 10kohms 1kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

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    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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