SIC
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トランジスタ（2488）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ECCN htsus 標準パッケージ フェットタイプ 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2） ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
TW083Z65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW083Z65C、S1F 11.4500
RFQ
 ECAD 120 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 175°C 穴を通して TO-247-4 sic （シリコンカーバイドジャンクショントランジスタ） TO-247-4L - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 650 V 30a（tc） 18V 118mohm @ 15a、18V 5V @ 600µA 28 NC @ 18 V +25V、-10V 873 PF @ 400 v - 111W
TPC6107(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC6107 -
RFQ
 ECAD 1647 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiv テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 TPC6107 モスフェット（金属酸化物） vs-6（2.9x2.8 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 20 v 4.5a（ta） 2V 、4.5V 55mohm @ 2.2a 、4.5V 1.2V @ 200µA 9.8 NC @ 5 V ±12V 680 PF @ 10 V - 700MW
TW140N120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW140N120C、S1F 11.3700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 175°C 穴を通して TO-247-3 sicfet （炭化シリコン） TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 1200 v 20a（tc） 18V 182mohm @ 10a、18V 5V @ 1MA 24 NC @ 18 V +25V、-10V 691 PF @ 800 v - 107W （TC）
RN2908FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn2908fe 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN2908 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 22kohms 47kohms
RN1410,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1410 、LXHF 0.0645
RFQ
 ECAD 9455 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN1410 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250 MHz 4.7 Kohms
2SC5819(TE12L,ZF) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5819 -
RFQ
 ECAD 4711 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - 箱 アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-243AA 1 W pw-mini ダウンロード ear99 8541.29.0095 1 20 v 1.5 a 100na（icbo） npn 120mv @ 10ma 、500ma 400 @ 150ma 、2V -
RN2905,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2905 0.4400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN2905 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 2.2kohms 47kohms
2SC5095-R(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2sc5095-r（te85l -
RFQ
 ECAD 9694 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 125°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 2SC5095 100MW SC-70 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 13db〜7.5db 10V 15ma npn 50 @ 7MA 、6V 10GHz 1.8db @ 2GHz
2SA1244-Y(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1244-y （q） -
RFQ
 ECAD 1152 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 150°C （TJ） 表面マウント to-251-3 2SA1244 1 W pw-mold - 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 200 50 v 5 a 1µa（icbo） PNP 400MV @ 150MA、3a 120 @ 1a、1V 60MHz
RN4904FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn4904fe 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN4904 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 、250MHz 47kohms 47kohms
HN3C51F-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage hn3c51f-gr -
RFQ
 ECAD 3368 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント SC-74、SOT-457 HN3C51 300MW SM6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 120V 100mA 100na（icbo） 2 NPN （デュアル） 300MV @ 1MA 、10ma 200 @ 2MA 、6V 100MHz
RN1108,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1108 0.3300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN1108 100 MW SSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250 MHz 22 Kohms 47 Kohms
SSM6J206FE(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J206FE （TE85L f -
RFQ
 ECAD 3596 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-563、SOT-666 SSM6J206 モスフェット（金属酸化物） ES6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 pチャネル 20 v 2a（ta） 1.8V 、4V 130mohm @ 1a 、4V 1V @ 1MA ±8V 335 PF @ 10 V - 500MW
RN1701JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn1701je 0.4700
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-553 RN1701 100MW ESV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル）（エミッタ結合） 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 250MHz 4.7kohms 4.7kohms
TK25E06K3,S1X(S Toshiba Semiconductor and Storage TK25E06K3 -
RFQ
 ECAD 4655 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiv チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 TK25E06 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 60 V 25a（ta） 18mohm @ 12.5a 、10V - 29 NC @ 10 V - 60W （TC）
RN2704,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2704 、LF 0.3100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 5-TSSOP 、SC-70-5 、SOT-353 RN2704 200mw USV ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500na 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 47kohms 47kohms
RN1131MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage rn1131mfv、l3f 0.1800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN1131 150 MW vesm ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300mv @ 500µa 、5ma 120 @ 1MA 、5V 100 Kohms
TK2P90E,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK2P90E、RQ 1.1900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 900 V 2a（ta） 10V 5.9OHM @ 1A 、10V 4V @ 200µA 12 NC @ 10 V ±30V 500 PF @ 25 V - 80W
RN2907FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn2907fe 0.2600
RFQ
 ECAD 9918 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN2907 100MW ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 10kohms 47kohms
RN2406,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2406 、LXHF 0.3400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN2406 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200 MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
HN1B04FU-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage hn1b04fu-y、lf 0.2700
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 HN1B04 200mw US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 150ma 100na（icbo） NPN、PNP 250mv @ 10ma 、100ma / 300mv @ 10ma 、100ma 120 @ 2MA 、6V 150MHz
RN2412TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2412TE85LF 0.2900
RFQ
 ECAD 6971 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN2412 200 MW s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200 MHz 22 Kohms
RN2425(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2425 0.4000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN2425 200 MW s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 800 Ma 500na pnp-前バイアス 250mv @ 1ma 、50ma 90 @ 100MA、1V 200 MHz 10 Kohms
RN4989FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn4989fe 0.2400
RFQ
 ECAD 8519 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN4989 100MW ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 4,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 250MHz 、200MHz 47kohms 22kohms
TPCA8031-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8031-H （TE12L、Q -
RFQ
 ECAD 8993 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosv-h テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPCA8031 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 24a（ta） 4.5V 、10V 11mohm @ 12a 、10v 2.5V @ 1MA 21 NC @ 10 V ±20V 2150 PF @ 10 V - 1.6W
2SA1162-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162-GR 、LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 454 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 Ma 100na（icbo） PNP 300MV @ 10MA 、100mA 200 @ 2MA 、6V 80MHz
TTA1452B,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TTA1452B 、S4x 1.9800
RFQ
 ECAD 9235 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2 W TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 80 v 12 a 5µa（icbo） PNP 400mv @ 300ma 、6a 120 @ 1a、1V 50MHz
2SK2035(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2035 -
RFQ
 ECAD 1230 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント SC-75、SOT-416 2SK2035 モスフェット（金属酸化物） SSM - 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 20 v 100ma（ta） 2.5V 12OHM @ 10MA 、2.5V - 10V 8.5 PF @ 3 V - 100MW
TPCA8016-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8016-H （TE12LQM -
RFQ
 ECAD 6814 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - Digi-Reel® 廃止 表面マウント 8-POWERVDFN TPCA8016 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 60 V 25a（ta） 21mohm @ 13a 、10V 2.3V @ 1MA 22 NC @ 10 V 1375 PF @ 10 V -
TPCP8004(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8004 -
RFQ
 ECAD 6792 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiv テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SMD 、フラットリード TPCP8004 モスフェット（金属酸化物） PS-8（2.9x2.4） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 30 V 8.3a（ta） 4.5V 、10V 8.5mohm @ 4.2a 、10V 2.5V @ 1MA 26 NC @ 10 V ±20V 1270 PF @ 10 V - 840MW
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

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    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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