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トランジスタ（2488）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ テスト条件 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 逆回復時間（ trr） IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え TD （オン/オフ） @ 25°C 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
TK22V65X5,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK22V65X5 、LQ 5.6600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 4-VSFN露出パッド モスフェット（金属酸化物） 4-dfn-ep（8x8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 650 V 22a（ta） 10V 170mohm @ 11a 、10V 4.5V @ 1.1MA 50 NC @ 10 V ±30V 2400 pf @ 300 v - 180W
SSM3K16FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K16FS 、LF 0.2300
RFQ
 ECAD 6974 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SC-75、SOT-416 モスフェット（金属酸化物） SSM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 20 v 100ma（ta） 1.5V 、4V 3OHM @ 10MA 、4V 1.1V @ 100µA ±10V 9.3 PF @ 3 V - 100MW
GT40RR21(STA1,E Toshiba Semiconductor and Storage GT40RR21 3.6500
RFQ
 ECAD 1369 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 175°C （TJ） 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 GT40RR21 標準 230 W to-3p ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 25 280V 、40A 、10OHM 、20V 600 ns - 1200 v 40 a 200 a 2.8V @ 15V 、40a -、540µJ -
TK25V60X5,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK25V60X5 5.0300
RFQ
 ECAD 8257 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 4-VSFN露出パッド モスフェット（金属酸化物） 4-dfn-ep（8x8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 600 V 25a（ta） 10V 150mohm @ 7.5a 、10V 4.5V @ 1.2MA 60 NC @ 10 V ±30V 2400 pf @ 300 v - 180W
TTA008B,Q Toshiba Semiconductor and Storage TTA008B、Q 0.6600
RFQ
 ECAD 250 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - トレイ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-225AA、to-126-3 1.5 w 〜126n ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 250 80 v 2 a 100na（icbo） PNP 500MV @ 100MA、1a 100 @ 500MA 、2V 100MHz
SSM3J16FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J16FU 0.3700
RFQ
 ECAD 9188 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SC-70、SOT-323 モスフェット（金属酸化物） USM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 20 v 100ma（ta） 1.5V 、4V 8OHM @ 10MA 、4V 1.1V @ 100µA ±10V 11 pf @ 3 v - 150MW
TK62N60W5,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage TK62N60W5、S1VF 11.3800
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-247-3 モスフェット（金属酸化物） TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 600 V 61.8a 10V 45mohm @ 30.9a 、10V 4.5V @ 3.1MA 205 NC @ 10 V ±30V 6500 PF @ 300 V - 400W （TC）
TK2P90E,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK2P90E、RQ 1.1900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 900 V 2a（ta） 10V 5.9OHM @ 1A 、10V 4V @ 200µA 12 NC @ 10 V ±30V 500 PF @ 25 V - 80W
TK3P80E,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK3P80E 、RQ 1.1500
RFQ
 ECAD 4414 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 800 V 3a（ta） 10V 4.9OHM @ 1.5A 、10V 4V @ 300µA 12 NC @ 10 V ±30V 500 PF @ 25 V - 80W
HN4B102J(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN4B102J 0.6100
RFQ
 ECAD 6062 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SC-74A 、SOT-753 HN4B102 750MW SMV ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 30V 1.8a 、2a 100na（icbo） NPN、PNP 140mv @ 20ma 、600ma / 200mv @ 20ma 、600ma 200 @ 200MA 、2V -
TPCP8407,LF Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8407 0.7400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 8-SMD 、フラットリード TPCP8407 モスフェット（金属酸化物） 690MW PS-8 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 264-TPCP8407LFCT ear99 8541.21.0095 3,000 nおよびpチャネル 40V 5a（ta ）、4a（ta） 36.3mohm @ 2.5a 3V @ 1MA 11.8NC @ 10V 、18NC @ 10V 505pf @ 10V、810pf @ 10V -
TK12P50W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK12P50W、RQ 2.0000
RFQ
 ECAD 6704 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 500 V 11.5a（ta） 10V 340mohm @ 5.8a 、10V 3.7V @ 600µA 25 NC @ 10 V ±30V 890 PF @ 300 V - 100W （TC）
TPN1200APL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN1200APL 、L1Q 0.8500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERVDFN モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.1x3.1） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 100 V 40a（tc） 4.5V 、10V 11.5mohm @ 20a 、10V 2.5V @ 300µA 24 NC @ 10 V ±20V 1855 PF @ 50 V - 630MW
TK14V65W,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK14V65W 、LQ 3.4800
RFQ
 ECAD 2719 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 4-VSFN露出パッド モスフェット（金属酸化物） 4-dfn-ep（8x8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 650 V 13.7a 10V 280mohm @ 6.9a 、10V 3.5V @ 690µA 35 NC @ 10 V ±30V 1300 pf @ 300 v - 139W
TPCC8105,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8105、L1Q 0.8200
RFQ
 ECAD 3350 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 8-vdfn露出パッド モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.3x3.3） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 pチャネル 30 V 23a（ta） 4.5V 、10V 7.8mohm @ 11.5a 、10V 2V @ 500µA 76 NC @ 10 V +20V、-25V 3240 PF @ 10 V - 700MW
2SC5200-O(S1,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5200-O 3.0100
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して to-3pl 150 W to-3p ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 25 230 v 15 a 5µa（icbo） npn 3V @ 800MA 、8a 55 @ 1a 、5V 30MHz
GT50JR21(STA1,E,S) Toshiba Semiconductor and Storage gt50jr21 4.7900
RFQ
 ECAD 6501 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 175°C （TJ） 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 標準 230 W to-3p ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 264-GT50JR21 ear99 8541.29.0095 25 - - 600 V 50 a 100 a 2V @ 15V、50a - -
SSM3J15CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J15CT 、L3F 0.3100
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SC-101 、SOT-883 モスフェット（金属酸化物） CST3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 pチャネル 30 V 100ma（ta） 2.5V 、4V 12OHM @ 10MA 、4V 1.7V @ 100µA ±20V 9.1 PF @ 3 V - 100MW
RN2313,LF Toshiba Semiconductor and Storage rn2313 lf 0.1800
RFQ
 ECAD 4580 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN2313 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200 MHz 47 Kohms
TK5P65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK5P65W 、RQ 1.3700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） dpak - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 650 V 5.2a（ta） 10V 1.22OHM @ 2.6A 、10V 3.5V @ 170µA 10.5 NC @ 10 V ±30V 380 pf @ 300 v - 60W （TC）
SSM6K824R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K824R 、LF 0.5100
RFQ
 ECAD 2947 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6K824 モスフェット（金属酸化物） 6-tsop-f ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 20 v 6a（ta） 1.5V 、4.5V 33mohm @ 4a 、4.5V 1V @ 1MA 3.6 NC @ 4.5 v ±8V 410 pf @ 10 v - 1.5W
SSM6J808R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J808R 、LF 0.6400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6J808 モスフェット（金属酸化物） 6-tsop-f ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 40 v 7a（ta） 4V 、10V 35mohm @ 2.5a 、10V 2V @ 100µA 24.2 NC @ 10 V +10V、-20V 1020 PF @ 10 V - 1.5W
SSM6P816R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P816R 、LF 0.4900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6P816 モスフェット（金属酸化物） 1.4W 6-tsop-f ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 2 P-Channel （デュアル） 20V 6a（ta） 30.1mohm @ 4a 、4.5V 1V @ 1MA 16.6NC @ 4.5V 1030pf @ 10V ロジックレベルゲート、 1.8Vドライブ
TPC8228-H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPC8228-H 、LQ -
RFQ
 ECAD 6012 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） TPC8228 モスフェット（金属酸化物） 1.5W 8ソップ ダウンロード 264-TPC8228-HLQTR ear99 8541.29.0095 2,500 2 nチャンネル（デュアル） 60V 3.8a 57mohm @ 1.9a 、10V 2.3V @ 100µA 11NC @ 10V 640pf @ 10V -
RN1973(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1973 0.0753
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN1973 200mw US6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V - 47kohms -
TK14A55D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK14A55D 3.1600
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK14A55 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 550 V 14a（ta） 10V 370mohm @ 7a 、10V 4V @ 1MA 40 NC @ 10 V ±30V 2300 PF @ 25 V - 50W （TC）
RN2110CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage rn2110ct -
RFQ
 ECAD 1745 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-101 、SOT-883 RN2110 50 MW CST3 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 20 v 50 Ma 100na（icbo） pnp-前バイアス 150MV @ 250µA 、5MA 300 @ 1MA 、5V 4.7 Kohms
RN4903FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn4903fe 0.3800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN4903 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 200MHz 、250MHz 22kohms 22kohms
RN1401,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1401 、LXHF 0.3400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN1401 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 250 MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
RN2103(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2103 0.2800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN2103 100 MW SSM ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 200 MHz 22 Kohms 22 Kohms
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    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

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    30,000,000

    標準製品ユニット

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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