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トランジスタ（2488）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
TPWR8004PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPWR8004PL 、L1Q 2.9700
RFQ
 ECAD 1220 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C （TJ） 表面マウント 8-POWERWDFN TPWR8004 モスフェット（金属酸化物） 8-DSOP Advance ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 40 v 150a 4.5V 、10V 0.8mohm @ 50a 、10V 2.4V @ 1MA 103 NC @ 10 V ±20V 9600 PF @ 20 V - 1W （TA）、170W（TC）
2SC3225,T6ALPSF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3225、T6ALPSF（M -
RFQ
 ECAD 8797 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC3225 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 40 v 2 a 10µa（icbo） npn 500MV @ 1MA 、300MA 500 @ 400MA、1V 220MHz
RN4907(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4907 -
RFQ
 ECAD 8660 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4907 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 10kohms 47kohms
RN1903FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1903FE 0.2500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN1903 100MW ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 4,000 50V 100mA 500na 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 250MHz 22kohms 22kohms
2SD2206(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2206 -
RFQ
 ECAD 7464 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SD2206 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 100 V 2 a 10µa（icbo） npn 1.5V @ 1MA、1a 2000 @ 1a 、2V 100MHz
TPN30008NH,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN30008NH lq 0.9000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPN30008 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.3x3.3） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 80 v 9.6a（tc） 10V 30mohm @ 4.8a 、10V 4V @ 100µA 11 NC @ 10 V ±20V 920 pf @ 40 v - 700MW
2SD2695(T6CANO,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2695 -
RFQ
 ECAD 9371 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SD2695 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 60 V 2 a 10µa（icbo） npn 1.5V @ 1MA、1a 2000 @ 1a 、2V 100MHz
2SA1020-Y(T6CANOFM Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y（T6CanofM -
RFQ
 ECAD 6361 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SA1020 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） 2SA1020YT6CANOFM ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µa（icbo） PNP 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
RN2307,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2307 、LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 2595 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN2307 100 MW SC-70 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200 MHz 10 Kohms 47 Kohms
RN2910,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2910 0.2800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-61AA RN2910 200mw SMQ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200MHz 4.7kohms -
2SC3668-Y,T2F(M Toshiba Semiconductor and Storage 2sc3668-y、t2f（m -
RFQ
 ECAD 8734 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して SC-71 2SC3668 1 W MSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 50 v 2 a 1µa（icbo） npn 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
TK12A60W,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage TK12A60W、S4VX 3.9800
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK12A60 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 11.5a（ta） 10V 300mohm @ 5.8a 、10V 3.7V @ 600µA 25 NC @ 10 V ±30V 890 PF @ 300 V - 35W （TC）
RN1108MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1108MFV 、L3F 0.1800
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN1108 150 MW vesm ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300mv @ 500µa 、5ma 80 @ 10ma 、5v 22 Kohms 47 Kohms
2SB1375,CLARIONF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SB1375 -
RFQ
 ECAD 5769 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SB1375 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 1 60 V 3 a 10µa（icbo） PNP 1.5V @ 200MA 、2a 100 @ 500MA 、5V 9MHz
SSM6N7002BFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N7002BFU 、LF -
RFQ
 ECAD 3756 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 SSM6N7002 モスフェット（金属酸化物） 300MW US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 60V 200mA 2.1OHM @ 500MA 、10V 3.1V @ 250µA - 17pf @ 25V ロジックレベルゲート
SSM3J35CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J35CTC、L3F 0.3400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SC-101 、SOT-883 SSM3J35 モスフェット（金属酸化物） CST3C ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 pチャネル 20 v 250ma（ta） 1.2V 、4.5V 1.4OHM @ 150MA 、4.5V 1V @ 100µA ±10V 42 pf @ 10 v - 500MW
2SA1162S-GR,LF(D Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162S-GR -
RFQ
 ECAD 6832 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 125°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 2SA1162 150 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） 2SA1162S-GRLF（ d ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 Ma 100na（icbo） PNP 300MV @ 10MA 、100mA 70 @ 2MA 、6V 80MHz
TK12Q60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK12Q60W、S1VQ 2.0600
RFQ
 ECAD 75 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-251-3 スタブリード、IPAK TK12Q60 モスフェット（金属酸化物） i-pak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） TK12Q60WS1VQ ear99 8541.29.0095 75 nチャネル 600 V 11.5a（ta） 10V 340mohm @ 5.8a 、10V 3.7V @ 600µA 25 NC @ 10 V ±30V 890 PF @ 300 V - 100W （TC）
2SA2154MFVGR,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2154MFVGR 、L3F 0.1900
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-723 2SA2154 150 MW vesm ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 150 Ma 100na（icbo） PNP 300MV @ 10MA 、100mA 200 @ 2MA 、6V 80MHz
SSM3J120TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J120TU 、LF -
RFQ
 ECAD 2941 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 3-SMD 、フラットリード SSM3J120 モスフェット（金属酸化物） UFM ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 20 v 4a（ta） 1.5V 、4V 38mohm @ 3a 、4V 1V @ 1MA 22.3 NC @ 4 V ±8V 1484 PF @ 10 V - 500MW
RN1131MFV(TL3,T) Toshiba Semiconductor and Storage rn1131mfv 0.2100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN1131 150 MW vesm ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300mv @ 500µa 、5ma 120 @ 1MA 、5V 100 Kohms
SSM3K361TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K361TU 、LXHF 0.6200
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 自動車、aec-q101、u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 3-SMD 、フラットリード モスフェット（金属酸化物） UFM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 100 V 3.5a（ta） 4.5V 、10V 69mohm @ 2a 、10V 2.5V @ 100µA 3.2 NC @ 4.5 v ±20V 430 PF @ 15 V - 1W
TK12A50W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK12A50W、S5x 2.1100
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 500 V 11.5a（ta） 10V 300mohm @ 5.8a 、10V 3.7V @ 600µA 25 NC @ 10 V ±30V 890 PF @ 300 V - 35W （TC）
TPCA8105(TE12L,Q,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8105 -
RFQ
 ECAD 5105 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPCA8105 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 12 v 6a（ta） 1.8V 、4.5V 33mohm @ 3a 、4.5V 1.2V @ 200µA 18 NC @ 5 V ±8V 1600 pf @ 10 v - 1.6W
2SA949-Y,ONK-1F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA949-Y、ONK-1F（j -
RFQ
 ECAD 3985 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SA949 800 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 150 v 50 Ma 100na（icbo） PNP 800mv @ 1ma 、10a 70 @ 10ma 、5v 120MHz
TPC8208(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8208 （TE12L -
RFQ
 ECAD 2448 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SOIC （0.173 "、幅4.40mm） TPC8208 モスフェット（金属酸化物） 450MW 8 ソップ（5.5x6.0 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 20V 5a 50mohm @ 2.5a 、4V 1.2V @ 200µA 9.5NC @ 5V 780pf @ 10V ロジックレベルゲート
SSM6P35FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage ssm6p35fe 0.4400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-563、SOT-666 SSM6p35 モスフェット（金属酸化物） 150MW ES6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 2 P-Channel （デュアル） 20V 100mA 8OHM @ 50MA 、4V 1V @ 1MA - 12.2pf @ 3V ロジックレベルゲート
TK60F10N1L,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage TK60F10N1L 、LXGQ 2.3200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント TO-263-3 TK60F10 モスフェット（金属酸化物） TO-220SM - 3 （168 時間） ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 100 V 60a（ta） 6V 、10V 6.11mohm @ 30a 、10V 3.5V @ 500µA 60 NC @ 10 V ±20V 4320 PF @ 10 V - 205W
TJ60S06M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ60S06M3L 、LXHQ 1.6500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント to-252-3 TJ60S06 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 pチャネル 60 V 60a（ta） 6V 、10V 11.2mohm @ 30a 、10v 3V @ 1MA 156 NC @ 10 V +10V、-20V 7760 PF @ 10 V - 100W （TC）
RN1310(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1310 （TE85L 0.2600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN1310 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250 MHz 4.7 Kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

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    世界的なメーカー

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    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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