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トランジスタ（2488）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 電圧 -定格 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 頻度 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 現在の評価（ amp） 現在 -テスト 電力 -出力 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ノイズ図 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 電圧 -テスト 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
2SK3662(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3662 -
RFQ
 ECAD 1045 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiii バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SK3662 モスフェット（金属酸化物） TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 60 V 35a（ta） 4V 、10V 12.5mohm @ 18a 、10v 2.5V @ 1MA 91 NC @ 10 V ±20V 5120 PF @ 10 V - 35W （TC）
3SK294(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 3SK294 0.4700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません 12.5 v 表面マウント SC-82A 、SOT-343 3SK294 500MHz モスフェット USQ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 30ma 10 Ma - 26dB 1.4db 6 v
TTC5460B,Q(S Toshiba Semiconductor and Storage TTC5460B -
RFQ
 ECAD 9144 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * チューブ アクティブ TTC5460 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 250
TK35N65W5,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK35N65W5、S1F 9.0900
RFQ
 ECAD 7466 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-247-3 TK35N65 モスフェット（金属酸化物） TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 650 V 35a（ta） 10V 95mohm @ 17.5a 、10V 4.5V @ 2.1MA 115 NC @ 10 V ±30V 4100 pf @ 300 v - 270W
TK2P60D(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage TK2P60D （TE16L1 -
RFQ
 ECAD 2671 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK2P60 モスフェット（金属酸化物） pw-mold ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 600 V 2a（ta） 10V 4.3OHM @ 1A 、10V 4.4V @ 1MA 7 NC @ 10 V ±30V 280 pf @ 25 v - 60W （TC）
SSM3K37CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K37CT 、L3F 0.2900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiii テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SC-101 、SOT-883 SSM3K37 モスフェット（金属酸化物） CST3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 nチャネル 20 v 200ma（ta） 1.5V 、4.5V 2.2OHM @ 100MA 、4.5V 1V @ 1MA ±10V 12 pf @ 10 v - 100MW
TPC6011(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC6011 -
RFQ
 ECAD 5591 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiv テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 TPC6011 モスフェット（金属酸化物） vs-6（2.9x2.8 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 30 V 6a（ta） 4.5V 、10V 20mohm @ 3a 、10V 2.5V @ 1MA 14 NC @ 10 V ±20V 640 PF @ 10 V - 700MW
RN2118(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2118 -
RFQ
 ECAD 7756 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-75、SOT-416 RN2118 100 MW SSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 200 MHz 47 Kohms 10 Kohms
RN1411,LF Toshiba Semiconductor and Storage rn1411、lf 0.1900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN1411 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250 MHz 10 Kohms
RN2117(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2117 0.3900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN2117 100 MW SSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 200 MHz 10 Kohms 4.7 Kohms
SSM6N357R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N357R 、LF 0.4100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6N357 モスフェット（金属酸化物） 1.5W 6-tsop-f ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 60V 650ma（ta） 1.8OHM @ 150MA 、5V 2V @ 1MA 1.5NC @ 5V 60pf @ 12v -
SSM6P47NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P47NU 、LF 0.4200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 6-wdfn露出パッド SSM6P47 モスフェット（金属酸化物） 1W 6-µDFN （2x2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 2 P-Channel （デュアル） 20V 4a 95mohm @ 1.5a 、4.5V 1V @ 1MA 4.6NC @ 4.5V 290pf @ 10V ロジックレベルゲート
RN2714,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2714 、LF -
RFQ
 ECAD 5528 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント 5-TSSOP 、SC-70-5 、SOT-353 RN2714 200mw USV ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500na 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v - 1kohms 10kohms
RN1910FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1910FE 0.2700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN1910 100MW ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250MHz 4.7kohms -
TK11P65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK11P65W 、RQ 1.7300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK11P65 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 650 V 11.1a（ta） 10V 440mohm @ 5.5a 、10V 3.5V @ 450µA 25 NC @ 10 V ±30V 890 PF @ 300 V - 100W （TC）
SSM3J35MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J35MFV 、L3F 0.2300
RFQ
 ECAD 53 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-723 SSM3J35 モスフェット（金属酸化物） vesm ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 pチャネル 20 v 100ma（ta） 8OHM @ 50MA 、4V - 12.2 pf @ 3 v - 150MW
2SC6076(TE16L1,NV) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6076 （TE16L1 0.6300
RFQ
 ECAD 7769 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 2SC6076 10 W pw-mold ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 2,000 80 v 3 a 1µa（icbo） npn 500MV @ 100MA、1a 180 @ 500MA 、2V 150MHz
RN4904FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn4904fe、lf（ ct 0.2600
RFQ
 ECAD 1676 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN4904 100MW ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 、200MHz 47kohms 47kohms
2SC6000(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6000 （TE16L1 -
RFQ
 ECAD 4731 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 2SC6000 20 W pw-mold - 264-2SC6000 ear99 8541.29.0095 2,000 50 v 7 a 100na（icbo） npn 180mv @ 83ma 、2.5a 250 @ 2.5a 、2V -
RN2965(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2965 0.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN2965 200mw US6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 2.2kohms 47kohms
2SC2235-Y(6MBH1,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-Y（ 6MBH1、AF -
RFQ
 ECAD 8417 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC2235 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 Ma 100na（icbo） npn 1V @ 50ma 、500ma 80 @ 100MA 、5V 120MHz
2SA1020-Y(T6FJT,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y（T6FJT、AF -
RFQ
 ECAD 7274 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SA1020 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µa（icbo） PNP 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
TTD1415B,S4X(S Toshiba Semiconductor and Storage TTD1415B -
RFQ
 ECAD 3496 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * チューブ アクティブ TTD1415 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50
TTA1943(Q) Toshiba Semiconductor and Storage TTA1943 2.7000
RFQ
 ECAD 567 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して to-3pl TTA1943 150 W to-3p ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 100 230 v 15 a 5µa（icbo） PNP 3V @ 800MA 、8a 80 @ 1a 、5V 30MHz
RN1416,LF Toshiba Semiconductor and Storage rn1416、lf 0.2000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN1416 200 MW s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 250 MHz 4.7 Kohms 10 Kohms
RN2961FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn2961fe -
RFQ
 ECAD 9441 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN2961 100MW ES6 - 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 200MHz 4.7kohms 4.7kohms
2SC5201,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5201 -
RFQ
 ECAD 4968 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC5201 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 1 600 V 50 Ma 1µa（icbo） npn 1V @ 500MA 、20MA 100 @ 20ma 、5v -
RN2313(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2313 -
RFQ
 ECAD 4403 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN2313 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200 MHz 47 Kohms
2SD2206(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2206 -
RFQ
 ECAD 7464 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SD2206 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 100 V 2 a 10µa（icbo） npn 1.5V @ 1MA、1a 2000 @ 1a 、2V 100MHz
2SJ380(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ380 -
RFQ
 ECAD 1045 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SJ380 モスフェット（金属酸化物） TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 pチャネル 100 V 12a（ta） 4V 、10V 210mohm @ 6a 、10V 2V @ 1MA 48 NC @ 10 V ±20V 1100 PF @ 10 V - 35W （TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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