SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ フェットタイプ 電源( VDSS )への排水 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C ドライブ電圧(最大rds onmin rds on rds on max) @ id vgs vgs ゲートチャージ( QG VGS (最大) ciss )( max @ vds フェット機能 電力散逸(最大) 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) 現在 -コレクター(IC )(最大) 現在 -コレクターカットオフ(最大) トランジスタタイプ vce 飽和(max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース(r1) 抵抗 -エミッターベース(r2) ノイズフィギュア(DBタイプ @ f)
RN1444ATE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1444ATE85LF -
RFQ
ECAD 7205 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント TO-236-3 RN1444 200 MW s-mini ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 20 v 300 Ma 100na(icbo) npn-バイアス化 100MV @ 3MA 、30MA 200 @ 4MA 、2V 30 MHz 2.2 KOHMS
RN1108,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1108 0.3300
RFQ
ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN1108 100 MW SSM ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250 MHz 22 Kohms 47 Kohms
RN4902,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN4902 、LF -
RFQ
ECAD 2510 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4902 200mw US6 ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前(デュアル) 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 200MHz 10kohms 10kohms
2SA1020-Y,T6KEHF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y、T6KEHF (M -
RFQ
ECAD 1707 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C (TJ) 穴を通して TO-226-3 2SA1020 900 MW to-92mod ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µa(icbo) PNP 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
HN1C03F-B(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage hn1c03f-b(TE85L 0.1485
RFQ
ECAD 6796 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント SC-74、SOT-457 HN1C03 300MW SM6 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 20V 300mA 100na(icbo) 2 NPN (デュアル) 100MV @ 3MA 、30MA 350 @ 4MA 、2V 30MHz
RN1971FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn1971fe -
RFQ
ECAD 2787 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN1971 100MW ES6 ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na(icbo) 2 npn- バイアス(デュアル) 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250MHz 10kohms -
2SC2705-O(TPE6,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2705-O -
RFQ
ECAD 4015 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&ボックス( TB) 廃止 150°C (TJ) 穴を通して TO-226-3 2SC2705 800 MW to-92mod ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.21.0075 3,000 150 v 50 Ma 100na(icbo) npn 1V @ 1MA 、10ma 80 @ 10ma 、5v 200MHz
2SK2962,T6F(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2962 -
RFQ
ECAD 4332 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 穴を通して TO-226-3 2SK2962 to-92mod ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 1 1a(tj)
TK170V65Z,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK170V65Z 、LQ 3.6700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosvi テープ&リール( tr) アクティブ 150°C 表面マウント 4-VSFN露出パッド TK170V65 モスフェット(金属酸化物) 4-dfn-ep(8x8) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 650 V 18a(ta) 10V 170mohm @ 9a、10V 4V @ 730µA 29 NC @ 10 V ±30V 1635 pf @ 300 v - 150W
TK6A55DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK6A55DA 1.4900
RFQ
ECAD 8915 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C (TJ) 穴を通して TO-220-3フルパック TK6A55 モスフェット(金属酸化物) TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 550 V 5.5a(ta) 10V 1.48OHM @ 2.8A 、10V 4.4V @ 1MA 12 NC @ 10 V ±30V 600 PF @ 25 V - 35W (TC)
2SC2655-Y,T6APNF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2sc2655-y、t6apnf(m -
RFQ
ECAD 3058 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C (TJ) 穴を通して TO-226-3 2SC2655 900 MW to-92mod ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µa(icbo) npn 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
RN1132MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage rn1132mfv、l3f 0.1800
RFQ
ECAD 2506 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SOT-723 RN1132 150 MW vesm ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 100na(icbo) npn-バイアス化 300mv @ 500µa 、5ma 120 @ 1MA 、5V 200コーム
2SC5065-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2sc5065-y(te85l 0.4100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 125°C (TJ) 表面マウント SC-70、SOT-323 2SC5065 100MW SC-70 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 12db〜17db 12V 30ma npn 120 @ 10MA 、5V 7GHz 1.1DB @ 1GHz
2SA1955FVATPL3Z Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1955FVATPL3Z 0.2000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 廃止 150°C (TJ) 表面マウント SC-101 、SOT-883 2SA1955 100 MW CST3 ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.21.0075 8,000 12 v 400 Ma 100na(icbo) PNP 250mv @ 10ma 、200ma 300 @ 10MA 、2V 130MHz
RN2303(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2303 0.2700
RFQ
ECAD 367 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - カットテープ(CT) アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN2303 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 200 MHz 22 Kohms 22 Kohms
RN1907,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1907 0.3600
RFQ
ECAD 5768 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN1907 200mw US6 ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 2 npn- バイアス(デュアル) 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 10kohms 47kohms
RN2907FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn2907fe 0.2600
RFQ
ECAD 9918 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN2907 100MW ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 2 pnp- バ​​イアス(デュアル) 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 10kohms 47kohms
RN2109MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2109MFV 、L3F 0.1800
RFQ
ECAD 7200 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SOT-723 RN2109 150 MW vesm ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 47 Kohms 22 Kohms
2SA1020-Y,HOF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y 、HOF(m -
RFQ
ECAD 4288 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C (TJ) 穴を通して TO-226-3 2SA1020 900 MW to-92mod ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µa(icbo) PNP 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
RN2111MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2111MFV 、L3F 0.2000
RFQ
ECAD 1153 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SOT-723 RN2111 150 MW vesm ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 100na(icbo) pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 10 Kohms
2SC4738-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4738-Y 、LF 0.2000
RFQ
ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 125°C (TJ) 表面マウント SC-75、SOT-416 2SC4738 100 MW SSM ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 Ma 100na(icbo) npn 250MV @ 10MA 、100mA 120 @ 2MA 、6V 80MHz
2SA1242-Y(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1242-Y -
RFQ
ECAD 3646 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 150°C (TJ) 表面マウント to-251-3 2SA1242 1 W pw-mold ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.29.0075 200 20 v 5 a 100na(icbo) PNP 1V @ 100MA 、4a 160 @ 500MA 、2V 170MHz
RN1101MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1101MFV 、L3F 0.0261
RFQ
ECAD 9895 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 新しいデザインではありません 表面マウント SOT-723 RN1101 150 MW vesm ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300mv @ 500µa 、5ma 30 @ 10ma 、5v 4.7 Kohms 4.7 Kohms
2SC2655-Y(T6CANOFM Toshiba Semiconductor and Storage 2sc2655-y(t6canofm -
RFQ
ECAD 8697 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C (TJ) 穴を通して TO-226-3 2SC2655 900 MW to-92mod ダウンロード 1 (無制限) 2SC2655YT6CANOFM ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µa(icbo) npn 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
2SA1313-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1313-Y 、LF 0.3400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント TO-236-3 2SA1313 200 MW s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 500 Ma 100na(icbo) PNP 250MV @ 10MA 、100mA 120 @ 100MA、1V 200MHz
RN1427TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1427TE85LF 0.3900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN1427 200 MW s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 800 Ma 500na npn-バイアス化 250mv @ 1ma 、50ma 90 @ 100MA、1V 300 MHz 2.2 KOHMS 10 Kohms
TPCA8016-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8016-H (TE12LQM -
RFQ
ECAD 6814 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - Digi-Reel® 廃止 表面マウント 8-POWERVDFN TPCA8016 モスフェット(金属酸化物) 8 ソップアドバンス(5x5) ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 60 V 25a(ta) 21mohm @ 13a 、10V 2.3V @ 1MA 22 NC @ 10 V 1375 PF @ 10 V -
2SA1972,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1972 -
RFQ
ECAD 7950 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C (TJ) 穴を通して TO-226-3 2SA1972 900 MW to-92mod ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 1 400 V 500 Ma 10µa(icbo) PNP 1V @ 10MA 、100mA 140 @ 20MA 、5V 35MHz
2SA1315-Y,HOF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1315-Y 、HOF(m -
RFQ
ECAD 8164 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C (TJ) 穴を通して TO-226-3 2SA1315 900 MW to-92mod ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 1 80 v 2 a 1µa(icbo) PNP 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 80MHz
TDTC124E,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTC124E、LM 0.1800
RFQ
ECAD 4840 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント TO-236-3 TDTC124 320 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 500µA 、10mA 49 @ 5MA 、5V 250 MHz 22 Kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫