画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | フェットタイプ | 得 | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 抵抗 -ベース(r1) | 抵抗 -エミッターベース(r2) | ノイズフィギュア(DBタイプ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RN1444ATE85LF | - | ![]() | 7205 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | TO-236-3 | RN1444 | 200 MW | s-mini | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 20 v | 300 Ma | 100na(icbo) | npn-バイアス化 | 100MV @ 3MA 、30MA | 200 @ 4MA 、2V | 30 MHz | 2.2 KOHMS | |||||||||||||||||||
![]() | RN1108 | 0.3300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | RN1108 | 100 MW | SSM | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | npn-バイアス化 | 300MV @ 250µA 、5MA | 80 @ 10ma 、5v | 250 MHz | 22 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||||
![]() | RN4902 、LF | - | ![]() | 2510 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 | RN4902 | 200mw | US6 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | 500na | 1 npn、1 pnp- バイアス前(デュアル) | 300MV @ 250µA 、5MA | 50 @ 10ma 、5v | 200MHz | 10kohms | 10kohms | ||||||||||||||||||
![]() | 2SA1020-Y、T6KEHF (M | - | ![]() | 1707 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | 2SA1020 | 900 MW | to-92mod | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 v | 2 a | 1µa(icbo) | PNP | 500mv @ 50ma、1a | 70 @ 500MA 、2V | 100MHz | |||||||||||||||||||
![]() | hn1c03f-b(TE85L | 0.1485 | ![]() | 6796 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-74、SOT-457 | HN1C03 | 300MW | SM6 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 20V | 300mA | 100na(icbo) | 2 NPN (デュアル) | 100MV @ 3MA 、30MA | 350 @ 4MA 、2V | 30MHz | ||||||||||||||||||
![]() | rn1971fe | - | ![]() | 2787 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | SOT-563、SOT-666 | RN1971 | 100MW | ES6 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 50V | 100mA | 100na(icbo) | 2 npn- バイアス(デュアル) | 300MV @ 250µA 、5MA | 120 @ 1MA 、5V | 250MHz | 10kohms | - | ||||||||||||||||||
![]() | 2SC2705-O | - | ![]() | 4015 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | 2SC2705 | 800 MW | to-92mod | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 150 v | 50 Ma | 100na(icbo) | npn | 1V @ 1MA 、10ma | 80 @ 10ma 、5v | 200MHz | |||||||||||||||||||
![]() | 2SK2962 | - | ![]() | 4332 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | バルク | 廃止 | 穴を通して | TO-226-3 | 2SK2962 | to-92mod | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 1a(tj) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | TK170V65Z 、LQ | 3.6700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | dtmosvi | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C | 表面マウント | 4-VSFN露出パッド | TK170V65 | モスフェット(金属酸化物) | 4-dfn-ep(8x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 650 V | 18a(ta) | 10V | 170mohm @ 9a、10V | 4V @ 730µA | 29 NC @ 10 V | ±30V | 1635 pf @ 300 v | - | 150W | ||||||||||||||
![]() | TK6A55DA | 1.4900 | ![]() | 8915 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | πmosvii | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3フルパック | TK6A55 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220SIS | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 550 V | 5.5a(ta) | 10V | 1.48OHM @ 2.8A 、10V | 4.4V @ 1MA | 12 NC @ 10 V | ±30V | 600 PF @ 25 V | - | 35W (TC) | ||||||||||||||
![]() | 2sc2655-y、t6apnf(m | - | ![]() | 3058 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | 2SC2655 | 900 MW | to-92mod | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 v | 2 a | 1µa(icbo) | npn | 500mv @ 50ma、1a | 70 @ 500MA 、2V | 100MHz | |||||||||||||||||||
![]() | rn1132mfv、l3f | 0.1800 | ![]() | 2506 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOT-723 | RN1132 | 150 MW | vesm | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 50 v | 100 Ma | 100na(icbo) | npn-バイアス化 | 300mv @ 500µa 、5ma | 120 @ 1MA 、5V | 200コーム | |||||||||||||||||||
![]() | 2sc5065-y(te85l | 0.4100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 125°C (TJ) | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | 2SC5065 | 100MW | SC-70 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 12db〜17db | 12V | 30ma | npn | 120 @ 10MA 、5V | 7GHz | 1.1DB @ 1GHz | ||||||||||||||||||
![]() | 2SA1955FVATPL3Z | 0.2000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-101 、SOT-883 | 2SA1955 | 100 MW | CST3 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 12 v | 400 Ma | 100na(icbo) | PNP | 250mv @ 10ma 、200ma | 300 @ 10MA 、2V | 130MHz | |||||||||||||||||||
![]() | RN2303 | 0.2700 | ![]() | 367 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | カットテープ(CT) | アクティブ | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | RN2303 | 100 MW | SC-70 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | pnp-前バイアス | 300MV @ 250µA 、5MA | 70 @ 10ma 、5v | 200 MHz | 22 Kohms | 22 Kohms | |||||||||||||||||
![]() | RN1907 | 0.3600 | ![]() | 5768 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 | RN1907 | 200mw | US6 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | 500na | 2 npn- バイアス(デュアル) | 300MV @ 250µA 、5MA | 80 @ 10ma 、5v | 250MHz | 10kohms | 47kohms | ||||||||||||||||||
![]() | rn2907fe | 0.2600 | ![]() | 9918 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOT-563、SOT-666 | RN2907 | 100MW | ES6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 50V | 100mA | 500na | 2 pnp- バイアス(デュアル) | 300MV @ 250µA 、5MA | 80 @ 10ma 、5v | 200MHz | 10kohms | 47kohms | |||||||||||||||||
![]() | RN2109MFV 、L3F | 0.1800 | ![]() | 7200 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOT-723 | RN2109 | 150 MW | vesm | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | pnp-前バイアス | 300MV @ 250µA 、5MA | 70 @ 10ma 、5v | 47 Kohms | 22 Kohms | ||||||||||||||||||
![]() | 2SA1020-Y 、HOF(m | - | ![]() | 4288 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | 2SA1020 | 900 MW | to-92mod | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 v | 2 a | 1µa(icbo) | PNP | 500mv @ 50ma、1a | 70 @ 500MA 、2V | 100MHz | |||||||||||||||||||
![]() | RN2111MFV 、L3F | 0.2000 | ![]() | 1153 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOT-723 | RN2111 | 150 MW | vesm | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 50 v | 100 Ma | 100na(icbo) | pnp-前バイアス | 300MV @ 250µA 、5MA | 120 @ 1MA 、5V | 10 Kohms | |||||||||||||||||||
![]() | 2SC4738-Y 、LF | 0.2000 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 125°C (TJ) | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | 2SC4738 | 100 MW | SSM | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 v | 150 Ma | 100na(icbo) | npn | 250MV @ 10MA 、100mA | 120 @ 2MA 、6V | 80MHz | ||||||||||||||||||
![]() | 2SA1242-Y | - | ![]() | 3646 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | チューブ | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | to-251-3 | 2SA1242 | 1 W | pw-mold | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0075 | 200 | 20 v | 5 a | 100na(icbo) | PNP | 1V @ 100MA 、4a | 160 @ 500MA 、2V | 170MHz | |||||||||||||||||||
![]() | RN1101MFV 、L3F | 0.0261 | ![]() | 9895 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 表面マウント | SOT-723 | RN1101 | 150 MW | vesm | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | npn-バイアス化 | 300mv @ 500µa 、5ma | 30 @ 10ma 、5v | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | ||||||||||||||||||
![]() | 2sc2655-y(t6canofm | - | ![]() | 8697 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | 2SC2655 | 900 MW | to-92mod | ダウンロード | 1 (無制限) | 2SC2655YT6CANOFM | ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 v | 2 a | 1µa(icbo) | npn | 500mv @ 50ma、1a | 70 @ 500MA 、2V | 100MHz | ||||||||||||||||||
![]() | 2SA1313-Y 、LF | 0.3400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | 2SA1313 | 200 MW | s-mini | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 500 Ma | 100na(icbo) | PNP | 250MV @ 10MA 、100mA | 120 @ 100MA、1V | 200MHz | ||||||||||||||||||
![]() | RN1427TE85LF | 0.3900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | RN1427 | 200 MW | s-mini | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 800 Ma | 500na | npn-バイアス化 | 250mv @ 1ma 、50ma | 90 @ 100MA、1V | 300 MHz | 2.2 KOHMS | 10 Kohms | |||||||||||||||||
TPCA8016-H (TE12LQM | - | ![]() | 6814 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | Digi-Reel® | 廃止 | 表面マウント | 8-POWERVDFN | TPCA8016 | モスフェット(金属酸化物) | 8 ソップアドバンス(5x5) | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 60 V | 25a(ta) | 21mohm @ 13a 、10V | 2.3V @ 1MA | 22 NC @ 10 V | 1375 PF @ 10 V | - | ||||||||||||||||||||
![]() | 2SA1972 | - | ![]() | 7950 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | 2SA1972 | 900 MW | to-92mod | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 400 V | 500 Ma | 10µa(icbo) | PNP | 1V @ 10MA 、100mA | 140 @ 20MA 、5V | 35MHz | |||||||||||||||||||
![]() | 2SA1315-Y 、HOF(m | - | ![]() | 8164 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | 2SA1315 | 900 MW | to-92mod | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 80 v | 2 a | 1µa(icbo) | PNP | 500mv @ 50ma、1a | 70 @ 500MA 、2V | 80MHz | |||||||||||||||||||
![]() | TDTC124E、LM | 0.1800 | ![]() | 4840 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | TDTC124 | 320 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | npn-バイアス化 | 300MV @ 500µA 、10mA | 49 @ 5MA 、5V | 250 MHz | 22 Kohms |
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