SIC
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トランジスタ（2488）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ テスト条件 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 逆回復時間（ trr） IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え TD （オン/オフ） @ 25°C 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
RN2311(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2311 0.2700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN2311 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200 MHz 10 Kohms
2SC6000(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6000 （TE16L1 -
RFQ
 ECAD 4731 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 2SC6000 20 W pw-mold - 264-2SC6000 ear99 8541.29.0095 2,000 50 v 7 a 100na（icbo） npn 180mv @ 83ma 、2.5a 250 @ 2.5a 、2V -
SSM6N67NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N67NU 、LF 0.5000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-wdfn露出パッド SSM6N67 モスフェット（金属酸化物） 2W （TA） 6-µDFN （2x2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 30V 4a（ta） 39.1mohm @ 2a 、4.5V 1V @ 1MA 3.2NC @ 4.5V 310pf @ 15V ロジックレベルゲート、 1.8Vドライブ
TK8A65D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK8A65D 2.4000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK8A65 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 650 V 8a（ta） 10V 840mohm @ 4a 、10V 4V @ 1MA 25 NC @ 10 V ±30V 1350 PF @ 25 V - 45W
TK7A60W5,S5VX Toshiba Semiconductor and Storage TK7A60W5、S5VX 1.6400
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK7A60 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 7a（ta） 10V 650mohm @ 3.5a 、10V 4.5V @ 350µA 16 NC @ 10 V ±30V 490 PF @ 300 v - 30W （TC）
GT40RR21(STA1,E Toshiba Semiconductor and Storage GT40RR21 3.6500
RFQ
 ECAD 1369 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 175°C （TJ） 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 GT40RR21 標準 230 W to-3p ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 25 280V 、40A 、10OHM 、20V 600 ns - 1200 v 40 a 200 a 2.8V @ 15V 、40a -、540µJ -
TPCF8B01(TE85L,F,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8B01 （TE85L -
RFQ
 ECAD 5121 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiii テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SMD 、フラットリード TPCF8B01 モスフェット（金属酸化物） vs-8（2.9x1.5 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 pチャネル 20 v 2.7a（ta） 1.8V 、4.5V 110mohm @ 1.4a 、4.5V 1.2V @ 200µA 6 NC @ 5 V ±8V 470 PF @ 10 V ショットキーダイオード（分離） 330MW
RN1704,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1704 、LF 0.3000
RFQ
 ECAD 210 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 5-TSSOP 、SC-70-5 、SOT-353 RN1704 200mw USV ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500na 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 47kohms 47kohms
TPCA8011-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8011-H （TE12LQM -
RFQ
 ECAD 5101 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiii-h テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPCA8011 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 20 v 40a（ta） 2.5V 、4.5V 3.5mohm @ 20a 、4.5V 1.3V @ 200µA 32 NC @ 5 V ±12V 2900 PF @ 10 V - 1.6W
RN1403,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1403 0.2200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN1403 200 MW s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 250 MHz 22 Kohms 22 Kohms
SSM3J375F,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J375F 、LXHF 0.4900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 自動車、aec-q101 、u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント TO-236-3 モスフェット（金属酸化物） s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 20 v 2a（ta） 1.5V 、4.5V 150mohm @ 1a 、4.5V 1V @ 1MA 4.6 NC @ 4.5 v +6V、 -8V 270 pf @ 10 v - 600MW
2SA1242-Y(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1242-Y -
RFQ
 ECAD 3646 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 150°C （TJ） 表面マウント to-251-3 2SA1242 1 W pw-mold ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 200 20 v 5 a 100na（icbo） PNP 1V @ 100MA 、4a 160 @ 500MA 、2V 170MHz
RN2309,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2309 、LF 0.1800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN2309 100 MW SC-70 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 200 MHz 47 Kohms 22 Kohms
RN1902FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1902FE 0.3400
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN1902 100MW ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 250MHz 10kohms 1kohms
RN2605(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2605 0.4700
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-74、SOT-457 RN2605 300MW SM6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 2.2kohms 47kohms
2SC2712-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2712-Y 、LF 0.2100
RFQ
 ECAD 4409 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 2SC2712 150 MW s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 Ma 100na（icbo） npn 250MV @ 10MA 、100mA 120 @ 2MA 、6V 80MHz
RN1301,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1301 、LF 0.1800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN1301 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 250 MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
2SC4207-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4207-GR （TE85L f 0.3500
RFQ
 ECAD 41 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント SC-74A 、SOT-753 2SC4207 300MW SMV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 150ma 100na（icbo） 2 npn （デュアル）共通エミッター 250MV @ 10MA 、100mA 200 @ 2MA 、6V 80MHz
RN1117(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1117 -
RFQ
 ECAD 6824 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました 表面マウント SC-75、SOT-416 RN1117 100 MW SSM ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 250 MHz 10 Kohms 4.7 Kohms
2SC5200-O(S1,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5200-O 3.0100
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して to-3pl 150 W to-3p ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 25 230 v 15 a 5µa（icbo） npn 3V @ 800MA 、8a 55 @ 1a 、5V 30MHz
2SD2206,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2206 -
RFQ
 ECAD 1678 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SD2206 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 100 V 2 a 10µa（icbo） npn 1.5V @ 1MA、1a 2000 @ 1a 、2V 100MHz
2SA1162S-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162S-Y 、LF -
RFQ
 ECAD 9269 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 2SA1162 150 MW s-mini ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 Ma 100na（icbo） PNP 300MV @ 10MA 、100mA 70 @ 2MA 、6V 80MHz
TPH4R50ANH1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R50ANH1、LQ 1.5400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 8-powertdfn モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5.75） - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 100 V 92a（tc） 10V 4.5mohm @ 46a 、10V 4V @ 1MA 58 NC @ 10 V ±20V 5200 PF @ 50 V - 800MW
2SA1869-Y,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1869-y、q（j -
RFQ
 ECAD 3028 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SA1869 10 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 50 v 3 a 1µa（icbo） PNP 600mv @ 200ma 、2a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
RN1101ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1101ACT （TPL3） -
RFQ
 ECAD 6910 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-101 、SOT-883 RN1101 100 MW CST3 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 50 v 80 Ma 500na npn-バイアス化 150MV @ 500µA、5MA 30 @ 10ma 、5v 4.7 Kohms 4.7 Kohms
RN4991FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn4991fe 0.2500
RFQ
 ECAD 2649 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN4991 100MW ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250MHz 、200MHz 10kohms -
TK12E80W,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK12E80W、S1x 3.6100
RFQ
 ECAD 4687 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-220-3 TK12E80 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 800 V 11.5a（ta） 10V 450mohm @ 5.8a 、10V 4V @ 570µA 23 NC @ 10 V ±20V 1400 pf @ 300 v - 165W
TK40E10N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK40E10N1、S1x 1.9900
RFQ
 ECAD 3520 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 TK40E10 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 100 V 90a 10V 8.2mohm @ 20a 、10V 4V @ 500µA 49 NC @ 10 V ±20V 3000 pf @ 50 V - 126W
RN2109CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage rn2109ct（tpl3） -
RFQ
 ECAD 8190 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-101 、SOT-883 RN2109 50 MW CST3 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 20 v 50 Ma 500na pnp-前バイアス 150MV @ 250µA 、5MA 100 @ 10ma 、5v 47 Kohms 22 Kohms
2SC6100,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6100 、LF 0.5300
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 3-SMD 、フラットリード 2SC6100 500 MW UFM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 2.5 a 100na（icbo） npn 140mv @ 20ma、1a 400 @ 300MA 、2V -
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    毎日の平均RFQボリューム

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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