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トランジスタ（2488）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ECCN htsus 標準パッケージ フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
RN1317(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1317 0.2600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN1317 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 250 MHz 10 Kohms 4.7 Kohms
SSM3J140TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J140TU 、LF 0.4700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 3-SMD 、フラットリード SSM3J140 モスフェット（金属酸化物） UFM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 20 v 4.4a（ta） 1.5V 、4.5V 25.8mohm @ 4a 、4.5V 1V @ 1MA 24.8 NC @ 4.5 v +6V、 -8V 1800 pf @ 10 v - 500MW
RN1965FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn1965fe 0.1000
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN1965 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 2.2kohms 47kohms
TK20P04M1,RQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TK20P04M1 -
RFQ
 ECAD 3613 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi-h テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK20P04 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 40 v 20a（ta） 4.5V 、10V 29mohm @ 10a 、10V 2.3V @ 100µA 15 NC @ 10 V ±20V 985 PF @ 10 V - 27W （TC）
2SK2845(TE16L1,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2845 （TE16L1 -
RFQ
 ECAD 5146 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 2SK2845 モスフェット（金属酸化物） pw-mold ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 900 V 1a（ta） 10V 9OHM @ 500MA 、10V 4V @ 1MA 15 NC @ 10 V ±30V 350 PF @ 25 V - 40W （TC）
2SJ610(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ610 （TE16L1 -
RFQ
 ECAD 7676 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 2SJ610 モスフェット（金属酸化物） pw-mold ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 pチャネル 250 v 2a（ta） 10V 2.55OHM @ 1A 、10V 3.5V @ 1MA 24 NC @ 10 V ±20V 381 PF @ 10 V - 20W
TK34A10N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK34A10N1、S4x 1.5500
RFQ
 ECAD 9909 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK34A10 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 100 V 34a（tc） 10V 9.5mohm @ 17a 、10V 4V @ 500µA 38 NC @ 10 V ±20V 2600 PF @ 50 V - 35W （TC）
RN1401,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1401 、LXHF 0.3400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN1401 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 250 MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
2SK3670,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3670 -
RFQ
 ECAD 2775 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 穴を通して TO-226-3 2SK3670 to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 1 670ma
TK35N65W5,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK35N65W5、S1F 9.0900
RFQ
 ECAD 7466 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-247-3 TK35N65 モスフェット（金属酸化物） TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 650 V 35a（ta） 10V 95mohm @ 17.5a 、10V 4.5V @ 2.1MA 115 NC @ 10 V ±30V 4100 pf @ 300 v - 270W
2SD2406-Y(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2406-Y -
RFQ
 ECAD 9090 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SD2406 25 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 80 v 4 a 30µa（icbo） npn 1.5V @ 300MA、3a 120 @ 500MA 、5V 8MHz
RN1116(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1116 0.2800
RFQ
 ECAD 73 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN1116 100 MW SSM ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 250 MHz 4.7 Kohms 10 Kohms
TPN1600ANH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN1600ANH -L1Q 0.8800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPN1600 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.1x3.1） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 100 V 17a（tc） 10V 16mohm @ 8.5a 、10V 4V @ 200µA 19 NC @ 10 V ±20V 1600 PF @ 50 V - 700MW
RN4986FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn4986fe 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN4986 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 、200MHz 4.7kohms 47kohms
RN1511(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1511 0.4700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-74A 、SOT-753 RN1511 300MW SMV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル）（エミッタ結合） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250MHz 10kohms -
2SB1495,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SB1495 -
RFQ
 ECAD 9035 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SB1495 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 1 100 V 3 a 10µa（icbo） PNP 1.5V @ 1.5MA、1.5a 2000 @ 2a 、2V -
2SC5354,XGQ(O Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5354、XGQ（O -
RFQ
 ECAD 1637 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * チューブ アクティブ 2SC5354 ダウンロード ROHS準拠 適用できない ear99 8541.29.0095 50
TK110E10PL,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK110E10PL 、S1x 1.3400
RFQ
 ECAD 78 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 175°C 穴を通して TO-220-3 TK110E10 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 100 V 42a 4.5V 、10V 10.7mohm @ 21a 、10V 2.5V @ 300µA 33 NC @ 10 V ±20V 2040 PF @ 50 V - 87W
2SA1162-O,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162-O 、LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 Ma 100na（icbo） PNP 300MV @ 10MA 、100mA 70 @ 2MA 、6V 80MHz
2SC3326-A,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3326-A 、LF 0.4000
RFQ
 ECAD 78 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 2SC3326 150 MW TO-236 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 20 v 300 Ma 100na（icbo） npn 100MV @ 3MA 、30MA 200 @ 4MA 、2V 30MHz
2SC2705-O(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2705-O -
RFQ
 ECAD 6177 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆ボックス（ TB） 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC2705 800 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 150 v 50 Ma 100na（icbo） npn 1V @ 1MA 、10ma 80 @ 10ma 、5v 200MHz
TK40E06N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK40E06N1、S1X 1.0400
RFQ
 ECAD 9091 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 TK40E06 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 60 V 40a（ta） 10V 10.4mohm @ 20a 、10v 4V @ 300µA 23 NC @ 10 V ±20V 1700 pf @ 30 v - 67W
SSM6J409TU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J409TU -
RFQ
 ECAD 3544 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosv テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6J409 モスフェット（金属酸化物） UF6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 20 v 9.5a（ta） 1.5V 、4.5V 22.1mohm @ 3a 、4.5V 1V @ 1MA 15 NC @ 4.5 v ±8V 1100 PF @ 10 V - 1W
RN4901,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4901 0.4400
RFQ
 ECAD 6357 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4901 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 200MHz 、250MHz 4.7kohms 4.7kohms
TPH1110FNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1110FNH 、L1Q 1.8400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPH1110 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 250 v 10a（ta） 10V 112mohm @ 5a 、10V 4V @ 300µA 11 NC @ 10 V ±20V 1100 PF @ 100 V - 1.6W
RN1409,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1409 、LXHF 0.0645
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN1409 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 250 MHz 47 Kohms 22 Kohms
SSM3J16FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J16FU 0.3700
RFQ
 ECAD 9188 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SC-70、SOT-323 モスフェット（金属酸化物） USM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 20 v 100ma（ta） 1.5V 、4V 8OHM @ 10MA 、4V 1.1V @ 100µA ±10V 11 pf @ 3 v - 150MW
2SA1428-O,T2WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1428-O -
RFQ
 ECAD 6056 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して SC-71 2SA1428 900 MW MSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µa（icbo） PNP 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
2SC5886A,L1XHQ(O Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5886A -
RFQ
 ECAD 7632 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * テープ＆リール（ tr） アクティブ 2SC5886 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000
RN1104MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1104MFV 、L3F 0.1700
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN1104 150 MW vesm ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300mv @ 500µa 、5ma 80 @ 10ma 、5v 47 Kohms 47 Kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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