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トランジスタ（2488）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2） ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
2SA1587-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1587-BL 、LF 0.2700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 2SA1587 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 120 v 100 Ma 100na（icbo） PNP 300MV @ 1MA 、10ma 350 @ 2MA 、6V 100MHz
2SC2235-O(T6FJT,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-O -
RFQ
 ECAD 2992 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC2235 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 Ma 100na（icbo） npn 1V @ 50ma 、500ma 80 @ 100MA 、5V 120MHz
RN1130MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1130MFV 、L3F 0.1000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN1130 150 MW vesm ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 8,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300mv @ 500µa 、5ma 100 @ 10ma 、5v 250 MHz 100 Kohms 100 Kohms
TPCF8402(TE85L,F,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8402（TE85L -
RFQ
 ECAD 3491 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SMD 、フラットリード TPCF8402 モスフェット（金属酸化物） 330MW vs-8（2.9x1.5 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 nおよびpチャネル 30V 4a 、3.2a 50mohm @ 2a 、10V 2V @ 1MA 10NC @ 10V 470pf @ 10V ロジックレベルゲート
2SA1931,NSEIKIQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1931 -
RFQ
 ECAD 5094 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SA1931 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 50 v 5 a 1µa（icbo） PNP 400mv @ 200ma 、2a 100 @ 1a、1V 60MHz
SSM3J307T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J307T （TE85L -
RFQ
 ECAD 9193 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosv テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 SSM3J307 モスフェット（金属酸化物） TSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 20 v 5a（ta） 1.5V 、4.5V 31mohm @ 4a 、4.5V 1V @ 1MA 19 NC @ 4.5 v ±8V 1170 PF @ 10 V - 700MW
TPCA8031-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8031-H （TE12L、Q -
RFQ
 ECAD 8993 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosv-h テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPCA8031 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 24a（ta） 4.5V 、10V 11mohm @ 12a 、10v 2.5V @ 1MA 21 NC @ 10 V ±20V 2150 PF @ 10 V - 1.6W
TK8A10K3,S5Q Toshiba Semiconductor and Storage TK8A10K3 、S5Q -
RFQ
 ECAD 5357 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiv チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK8A10 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 100 V 8a（ta） 10V 120mohm @ 4a 、10V 4V @ 1MA 12.9 NC @ 10 V ±20V 530 PF @ 10 V - 18W （TC）
RN1409,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1409 、LXHF 0.0645
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN1409 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 250 MHz 47 Kohms 22 Kohms
RN1302,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1302 、LF 0.2600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN1302 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 250 MHz 10 Kohms 10 Kohms
TK12J60W,S1VE(S Toshiba Semiconductor and Storage TK12J60W、S1ve -
RFQ
 ECAD 8348 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - トレイ アクティブ 150°C 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 TK12J60 モスフェット（金属酸化物） to-3p - 1 （無制限） 264-TK12J60WS1VE（s ear99 8541.29.0095 25 nチャネル 600 V 11.5a（ta） 10V 300mohm @ 5.8a 、10V 3.7V @ 600µA 25 NC @ 10 V ±30V 890 PF @ 300 V - 110W
TK5A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK5A60D 1.5700
RFQ
 ECAD 3980 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK5A60 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 5a（ta） 10V 1.43OHM @ 2.5A 、10V 4.4V @ 1MA 16 NC @ 10 V ±30V 700 PF @ 25 V - 35W （TC）
2SK4017(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK4017 -
RFQ
 ECAD 1117 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiii バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-251-3 スタブリード、IPAK 2SK4017 モスフェット（金属酸化物） pw-mold2 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 200 nチャネル 60 V 5a（ta） 4V 、10V 100mohm @ 2.5a 、10V 2.5V @ 1MA 15 NC @ 10 V ±20V 730 PF @ 10 V - 20W （TC）
RN2904FE(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage rn2904fe -
RFQ
 ECAD 8069 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN2904 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 47kohms 47kohms
SSM3K15F,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K15F 、LF 0.2300
RFQ
 ECAD 72 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント TO-236-3 SSM3K15 モスフェット（金属酸化物） s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 30 V 100ma（ta） 2.5V 、4V 4OHM @ 10MA 、4V 1.5V @ 100µA ±20V 7.8 PF @ 3 V - 200MW
TK5A55D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK5A55D 1.3900
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK5A55 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 550 V 5a（ta） 10V 1.7OHM @ 2.5A 、10V 4.4V @ 1MA 11 NC @ 10 V ±30V 540 PF @ 25 V - 35W （TC）
RN2970FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn2970fe -
RFQ
 ECAD 8747 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN2970 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200MHz 4.7kohms 10kohms
RN1309(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1309 0.2700
RFQ
 ECAD 895 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN1309 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 250 MHz 47 Kohms 22 Kohms
RN1701JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn1701je 0.4700
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-553 RN1701 100MW ESV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル）（エミッタ結合） 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 250MHz 4.7kohms 4.7kohms
TK1P90A,LQ(CO Toshiba Semiconductor and Storage TK1P90A -
RFQ
 ECAD 9799 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント to-252-3 TK1P90 モスフェット（金属酸化物） pw-mold ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） TK1P90ALQ co ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 900 V 1a（ta） 10V 9OHM @ 500MA 、10V 4V @ 1MA 13 NC @ 10 V ±30V 320 PF @ 25 V - 20W （TC）
2SA1429-Y(T2OMI,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1429-Y（T2OMI fm -
RFQ
 ECAD 3230 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して SC-71 2SA1429 1 W MSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 80 v 2 a 1µa（icbo） PNP 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 80MHz
TPH3R704PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R704PL 、L1Q 0.9400
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERVDFN TPH3R704 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 40 v 92a（tc） 4.5V 、10V 3.7mohm @ 46a 、10V 2.4V @ 200µA 27 NC @ 10 V ±20V 2500 PF @ 20 V - 960MW
MT3S113(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage MT3S113 0.7000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 MT3S113 800mw s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 11.8db 5.3V 100mA npn 200 @ 30ma 、5v 12.5GHz 1.45db @ 1GHz
TK7A60W,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage TK7A60W、S4VX 1.9200
RFQ
 ECAD 1040 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK7A60 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 7a（ta） 10V 600mohm @ 3.5a 、10V 3.7V @ 350µA 15 NC @ 10 V ±30V 490 PF @ 300 v - 30W （TC）
2SD2257(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2257 -
RFQ
 ECAD 9334 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SD2257 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 1 100 V 3 a 10µa（icbo） npn 1.5V @ 1.5MA、1.5a 2000 @ 2a 、2V -
2SC4207-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2sc4207-y（te85l 0.3500
RFQ
 ECAD 49 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント SC-74A 、SOT-753 2SC4207 300MW SMV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 150ma 100na（icbo） 2 NPN （デュアル）マッチングペア、一般的なエミッター 250MV @ 10MA 、100mA 120 @ 2MA 、6V 80MHz
SSM6J53FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage ssm6j53fe -
RFQ
 ECAD 2682 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント SOT-563、SOT-666 SSM6J53 モスフェット（金属酸化物） ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 pチャネル 20 v 1.8a（ta） 1.5V 、2.5V 136mohm @ 1a 、2.5V 1V @ 1MA 10.6 NC @ 4 V ±8V 568 PF @ 10 V - 500MW
RN4984(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4984 0.1400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4984 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100µa（icbo） 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 、200MHz 47kohms 47kohms
HN1A01F-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage hn1a01f-y（te85l -
RFQ
 ECAD 3952 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - カットテープ（CT） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント SC-74、SOT-457 HN1A01 300MW SM6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 150ma 100na（icbo） 2 PNP （デュアル） 300MV @ 10MA 、100mA 120 @ 2MA 、6V 80MHz
SSM3H137TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3H137TU 、LF 0.4500
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 3-SMD 、フラットリード SSM3H137 モスフェット（金属酸化物） UFM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 34 v 2a（ta） 4V 、10V 240mohm @ 1a 、10V 1.7V @ 1MA 3 NC @ 10 V ±20V 119 pf @ 10 v - 800MW
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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