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トランジスタ（2488）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2） ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
2SC2655-Y,T6KEHF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2sc2655-y、t6kehf（ m -
RFQ
 ECAD 1327 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC2655 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µa（icbo） npn 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
TK10A60W,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage TK10A60W、S4VX 2.7800
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK10A60 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 9.7a（ta） 10V 380mohm @ 4.9a 、10V 3.7V @ 500µA 20 NC @ 10 V ±30V 700 pf @ 300 v - 30W （TC）
TK14V65W,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK14V65W 、LQ 3.4800
RFQ
 ECAD 2719 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 4-VSFN露出パッド モスフェット（金属酸化物） 4-dfn-ep（8x8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 650 V 13.7a 10V 280mohm @ 6.9a 、10V 3.5V @ 690µA 35 NC @ 10 V ±30V 1300 pf @ 300 v - 139W
SSM3J331R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J331R 、LF 0.4500
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-23-3フラットリード SSM3J331 モスフェット（金属酸化物） SOT-23F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 20 v 4a（ta） 1.5V 、4.5V 55mohm @ 3a 、4.5V 1V @ 1MA 10.4 NC @ 4.5 v ±8V 630 PF @ 10 V - 1W
RN4984FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn4984fe、lf（ct 0.2800
RFQ
 ECAD 70 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN4984 100MW ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 47kohms 47kohms
SSM6K781G,LF Toshiba Semiconductor and Storage ssm6k781g、lf 0.5100
RFQ
 ECAD 850 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 6-ufbga、wlcsp SSM6K781 モスフェット（金属酸化物） 6-wcspc（1.5x1.0 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 12 v 7a（ta） 1.5V 、4.5V 18mohm @ 1.5a 、4.5V 1V @ 250µA 5.4 NC @ 4.5 v ±8V 600 pf @ 6 v - 1.6W
2SA1721OTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1721OTE85LF 0.1207
RFQ
 ECAD 5444 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 2SA1721 150 MW s-mini ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 300 V 100 Ma 100na（icbo） PNP 500MV @ 2MA 、20MA 30 @ 20ma 、10V 50MHz
SSM6J503NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J503NU 、LF 0.4600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 6-wdfn露出パッド SSM6J503 モスフェット（金属酸化物） 6-udfnb （2x2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 20 v 6a（ta） 1.5V 、4.5V 32.4mohm @ 3a 、4.5V 1V @ 1MA 12.8 NC @ 10 V ±8V 840 PF @ 10 V - 1W
RN2116,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2116 0.2000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN2116 100 MW SSM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 200 MHz 4.7 Kohms 10 Kohms
MT3S16U(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage MT3S16U 0.2500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 MT3S16 100MW SC-70 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 4.5dbi 5V 60ma npn 80 @ 5MA、1V 4GHz 2.4db @ 1GHz
TK30A06N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK30A06N1、S4x 0.9300
RFQ
 ECAD 4866 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK30A06 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 60 V 30a（tc） 10V 15mohm @ 15a 、10V 4V @ 200µA 16 NC @ 10 V ±20V 1050 PF @ 30 V - 25W （TC）
RN1705JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1705JE （TE85L 0.4700
RFQ
 ECAD 769 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-553 RN1705 100MW ESV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル）（エミッタ結合） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 2.2kohms 47kohms
SSM3J35MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J35MFV 、L3F 0.2300
RFQ
 ECAD 53 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-723 SSM3J35 モスフェット（金属酸化物） vesm ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 pチャネル 20 v 100ma（ta） 8OHM @ 50MA 、4V - 12.2 pf @ 3 v - 150MW
2SD2257(CANO,A,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2257 -
RFQ
 ECAD 7754 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SD2257 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 1 100 V 3 a 10µa（icbo） npn 1.5V @ 1.5MA、1.5a 2000 @ 2a 、2V -
RN2104,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2104 0.3300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN2104 100 MW SSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200 MHz 47 Kohms 47 Kohms
RN2107MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2107MFV 0.1800
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN2107 150 MW vesm ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300mv @ 500µa 、5ma 80 @ 10ma 、5v 10 Kohms 47 Kohms
TK560P65Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK560P65Y 、RQ 1.3300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 DTMOSV テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK560P65 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 650 V 7a（tc） 10V 560mohm @ 3.5a 、10V 4V @ 240µA 14.5 NC @ 10 V ±30V 380 pf @ 300 v - 60W （TC）
2SA1837,NSEIKIF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1837 -
RFQ
 ECAD 1887 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SA1837 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 230 v 1 a 1µa（icbo） PNP 1.5V @ 50ma 、500ma 100 @ 100MA 、5V 70MHz
TK11P65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK11P65W 、RQ 1.7300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK11P65 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 650 V 11.1a（ta） 10V 440mohm @ 5.5a 、10V 3.5V @ 450µA 25 NC @ 10 V ±30V 890 PF @ 300 V - 100W （TC）
TPCP8407,LF Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8407 0.7400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 8-SMD 、フラットリード TPCP8407 モスフェット（金属酸化物） 690MW PS-8 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 264-TPCP8407LFCT ear99 8541.21.0095 3,000 nおよびpチャネル 40V 5a（ta ）、4a（ta） 36.3mohm @ 2.5a 3V @ 1MA 11.8NC @ 10V 、18NC @ 10V 505pf @ 10V、810pf @ 10V -
RN1101CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1101CT （TPL3） -
RFQ
 ECAD 2343 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-101 、SOT-883 RN1101 50 MW CST3 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 20 v 50 Ma 500na npn-バイアス化 150MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 4.7 Kohms 4.7 Kohms
SSM6L16FETE85LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L16FETE85LF 0.3800
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません 150°C（ta） 表面マウント SOT-563、SOT-666 SSM6L16 モスフェット（金属酸化物） 150MW ES6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 nおよびpチャネル 20V 100mA 3OHM @ 10MA 、4V 1.1V @ 100µA - 9.3pf @ 3V -
RN4603(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4603 0.3800
RFQ
 ECAD 7481 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-74、SOT-457 RN4603 300MW SM6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 200MHz 、250MHz 22kohms 22kohms
RN1973(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1973 0.0753
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN1973 200mw US6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V - 47kohms -
2SC6139,T2F(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6139 -
RFQ
 ECAD 7133 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して SC-71 2SC6139 1 W MSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 160 v 1.5 a 100na（icbo） npn 500MV @ 50MA 、500MA 140 @ 100MA 、5V 100MHz
RN1402,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1402 、LF 0.2200
RFQ
 ECAD 1364 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN1402 200 MW s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 250 MHz 10 Kohms 10 Kohms
RN2313(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2313 -
RFQ
 ECAD 4403 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN2313 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200 MHz 47 Kohms
RN4984(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4984 0.1400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4984 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100µa（icbo） 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 、200MHz 47kohms 47kohms
RN4987FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn4987fe 0.2700
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN4987 100MW ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 、200MHz 10kohms 47kohms
RN1409,LF Toshiba Semiconductor and Storage rn1409、lf 0.1900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN1409 200 MW s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 250 MHz 47 Kohms 22 Kohms
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    毎日の平均RFQボリューム

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    標準製品ユニット

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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