SIC
close

トランジスタ（2488）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在の - ドレイン（IDSS @ vds（vgs = 0） 電圧-Cutoff（ VGSオフ） @ id 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
TPN5900CNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN5900CNH 、L1Q 1.3400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPN5900 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.1x3.1） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 150 v 9a（ta） 10V 59mohm @ 4.5a 、10V 4V @ 200µA 7 NC @ 10 V ±20V 600 pf @ 75 v - 700MW
TK16A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK16A45D -
RFQ
 ECAD 9568 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ - 穴を通して TO-220-3フルパック TK16A45 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 450 v 16a 270mohm @ 8a、10V - - -
RN1911(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1911 -
RFQ
 ECAD 2298 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN1911 100MW US6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250MHz 4.7kohms -
SSM5H12TU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM5H12TU -
RFQ
 ECAD 5864 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiii テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 6-smd（5 リード）、フラットリード SSM5H12 モスフェット（金属酸化物） UFV ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 30 V 1.9a（ta） 1.8V 、4V 133mohm @ 1a 、4V 1V @ 1MA 1.9 NC @ 4 V ±12V 123 PF @ 15 V ショットキーダイオード（分離） 500MW
RN2413,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2413 lxhf 0.0645
RFQ
 ECAD 6865 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN2413 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200 MHz 47 Kohms
2SJ610(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ610 （TE16L1 -
RFQ
 ECAD 7676 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 2SJ610 モスフェット（金属酸化物） pw-mold ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 pチャネル 250 v 2a（ta） 10V 2.55OHM @ 1A 、10V 3.5V @ 1MA 24 NC @ 10 V ±20V 381 PF @ 10 V - 20W
RN1317(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1317 0.2600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN1317 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 250 MHz 10 Kohms 4.7 Kohms
RN2708,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2708 、LF 0.3100
RFQ
 ECAD 1502 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 5-TSSOP 、SC-70-5 、SOT-353 RN2708 200mw USV ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500na 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 22kohms 47kohms
XPJR6604PB,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPJR6604PB 、LXHQ 2.7700
RFQ
 ECAD 1489 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 自動車、aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 5-POWERSFN モスフェット（金属酸化物） S-TOGL™ - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 1,500 nチャネル 40 v 200a（ta） 6V 、10V 0.66mohm @ 100a 、10V 3V @ 1MA 128 NC @ 10 V ±20V 11380 PF @ 10 V - 375W
TK32E12N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK32E12N1、S1x 1.5300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 TK32E12 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 120 v 60a（tc） 10V 13.8mohm @ 16a 、10V 4V @ 500µA 34 NC @ 10 V ±20V 2000 pf @ 60 v - 98W （TC）
RN2908,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2908 0.4400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN2908 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500na 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 22kohms 47kohms
RN1909(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1909 0.3400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN1909 200mw US6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 250MHz 47kohms 22kohms
2SK3320-BL(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3320-BR （TE85L f 0.7500
RFQ
 ECAD 72 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント 5-TSSOP 、SC-70-5 、SOT-353 2SK3320 200 MW USV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 13pf @ 10V 6 ma @ 10 v 200 mV @ 100 Na
RN1965FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn1965fe 0.1000
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN1965 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 2.2kohms 47kohms
RN2104,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2104 0.2000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN2104 100 MW SSM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200 MHz 47 Kohms 47 Kohms
TK125V65Z,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK125V65Z 、LQ 4.9000
RFQ
 ECAD 7993 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 4-VSFN露出パッド TK125V65 モスフェット（金属酸化物） 4-dfn-ep（8x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 650 V 24a（ta） 10V 125mohm @ 12a 、10V 4V @ 1.02MA 40 NC @ 10 V ±30V 2250 pf @ 300 v - 190W
RN4983,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4983 0.4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4983 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 250MHz 、200MHz 22kohms 22kohms
TTD1415B,S4X(S Toshiba Semiconductor and Storage TTD1415B -
RFQ
 ECAD 3496 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * チューブ アクティブ TTD1415 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50
TP89R103NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TP89R103NL 、LQ 0.6600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） TP89R103 モスフェット（金属酸化物） 8ソップ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 30 V 15a（tc） 4.5V 、10V 9.1mohm @ 7.5a 、10V 2.3V @ 100µA 9.8 NC @ 10 V ±20V 820 PF @ 15 V - 1W （TC）
TPW4R50ANH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPW4R50ANH 、L1Q 2.7900
RFQ
 ECAD 3418 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERWDFN TPW4R50 モスフェット（金属酸化物） 8-DSOP Advance ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 100 V 92a（tc） 10V 4.5mohm @ 46a 、10V 4V @ 1MA 58 NC @ 10 V ±20V 5200 PF @ 50 V - 800MW
2SA1315-Y,HOF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1315-Y 、HOF（m -
RFQ
 ECAD 8164 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SA1315 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 1 80 v 2 a 1µa（icbo） PNP 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 80MHz
TW030Z120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW030Z120C、S1F 30.4100
RFQ
 ECAD 120 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 175°C 穴を通して TO-247-4 sic （シリコンカーバイドジャンクショントランジスタ） TO-247-4L - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 1200 v 60a（tc） 18V 41mohm @ 30a、18V 5V @ 13MA 82 NC @ 18 V +25V、-10V 2925 PF @ 800 V - 249W
SSM6K824R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K824R 、LF 0.5100
RFQ
 ECAD 2947 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6K824 モスフェット（金属酸化物） 6-tsop-f ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 20 v 6a（ta） 1.5V 、4.5V 33mohm @ 4a 、4.5V 1V @ 1MA 3.6 NC @ 4.5 v ±8V 410 pf @ 10 v - 1.5W
RN2607(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2607 0.4800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-74、SOT-457 RN2607 300MW SM6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 10kohms 47kohms
2SA1930(LBS2MATQ,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1930 -
RFQ
 ECAD 6177 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SA1930 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 180 v 2 a 5µa（icbo） PNP 1V @ 100MA、1a 100 @ 100MA 、5V 200MHz
RN2961FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn2961fe -
RFQ
 ECAD 9441 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN2961 100MW ES6 - 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 200MHz 4.7kohms 4.7kohms
2SC4883A Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4883A -
RFQ
 ECAD 7097 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * チューブ アクティブ 2SC4883 - ROHS準拠 1 （無制限） 2SC4883ats 0000.00.0000 50
SSM3K16CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K16CT 0.0571
RFQ
 ECAD 2573 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvi テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません 150°C （TJ） 表面マウント SC-101 、SOT-883 SSM3K16 モスフェット（金属酸化物） CST3 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 nチャネル 20 v 100ma（ta） 1.5V 、4V 3OHM @ 10MA 、4V 1.1V @ 100µA ±10V 9.3 PF @ 3 V - 100MW
RN4609(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4609 0.4800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-74、SOT-457 RN4609 300MW SM6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 200MHz 47kohms 22kohms
RN4902FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn4902fe -
RFQ
 ECAD 4313 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN4902 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 200MHz 10kohms 10kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

RFQリスト（0アイテム）
カートリスト（0アイテム）
Wishlistウィッシュリスト（0アイテム）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

リストを比較する（0アイテム）
Enterを押して検索するか、ESCを閉じます