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トランジスタ（2488）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ テスト条件 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え TD （オン/オフ） @ 25°C 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2） ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
2SC4915-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4915-Y 、LF 0.4400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント SC-75、SOT-416 2SC4915 100MW SSM ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 17db〜23db 30V 20ma npn 100 @ 1MA 、6V 550MHz 2.3DB〜5DB @ 100MHz
2SC5096-R,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5096-r 、LF -
RFQ
 ECAD 8066 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 125°C （TJ） 表面マウント SC-75、SOT-416 2SC5096 100MW SSM - 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 1.4db 10V 15ma npn 50 @ 7MA 、6V 10GHz 1.4db @ 1GHz
2SC2229-Y(T6MIT1FM Toshiba Semiconductor and Storage 2sc2229-y（t6mit1fm -
RFQ
 ECAD 1667 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC2229 800 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） 2SC2229YT6MIT1FM ear99 8541.21.0075 1 150 v 50 Ma 100na（icbo） npn 500MV @ 1MA 、10ma 70 @ 10ma 、5v 120MHz
2SK2847(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2847 -
RFQ
 ECAD 1737 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 2SK2847 モスフェット（金属酸化物） to-3p ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 900 V 8a（ta） 10V 1.4OHM @ 4A 、10V 4V @ 1MA 58 NC @ 10 V ±30V 2040 PF @ 25 V - 85W
GT40WR21,Q Toshiba Semiconductor and Storage gt40wr21、q 11.0200
RFQ
 ECAD 7358 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - トレイ アクティブ 175°C （TJ） 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 標準 375 w to-3p ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 100 - - 1350 v 40 a 80 a 5.9V @ 15V 、40a - -
2SC5171(LBS2MATQ,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5171 （LBS2MATQ、 m -
RFQ
 ECAD 8910 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SC5171 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 180 v 2 a 5µa（icbo） npn 1V @ 100MA、1a 100 @ 100MA 、5V 200MHz
2SC4793,YHF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793 -
RFQ
 ECAD 4612 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SC4793 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 230 v 1 a 1µa（icbo） npn 1.5V @ 50ma 、500ma 100 @ 100MA 、5V 100MHz
TK17A80W,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK17A80W、S4x 3.8400
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-220-3フルパック TK17A80 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 800 V 17a（ta） 10V 290mohm @ 8.5a 、10V 4V @ 850µA 32 NC @ 10 V ±20V 2050 PF @ 300 v - 45W
RN1971TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1971TE85LF 0.0618
RFQ
 ECAD 6883 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN1971 200mw US6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250MHz 10kohms -
TPN6R003NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN6R003NL 、LQ 0.8800
RFQ
 ECAD 9982 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPN6R003 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.1x3.1） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 27a（tc） 4.5V 、10V 6mohm @ 13.5a 、10V 2.3V @ 200µA 17 NC @ 10 V ±20V 1400 PF @ 15 V - 700MW
RN1911(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1911 -
RFQ
 ECAD 2298 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN1911 100MW US6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250MHz 4.7kohms -
T2N7002BK,LM Toshiba Semiconductor and Storage T2N7002BK 、LM 0.1700
RFQ
 ECAD 187 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 T2N7002 モスフェット（金属酸化物） SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 60 V 400ma（ta） 4.5V 、10V 1.5OHM @ 100MA 、10V 2.1V @ 250µA 0.6 NC @ 4.5 v ±20V 40 pf @ 10 v - 320MW
TK16G60W5,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK16G60W5、RVQ 3.2100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 600 V 15.8a 10V 230mohm @ 7.9a 、10V 4.5V @ 790µA 43 NC @ 10 V ±30V 1350 pf @ 300 v - 130W
RN1417(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1417 0.3500
RFQ
 ECAD 384 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN1417 200 MW s-mini ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 250 MHz 10 Kohms 4.7 Kohms
SSM3K7002KF,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K7002KF 、LXHF 0.4000
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント TO-236-3 モスフェット（金属酸化物） s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 60 V 400ma（ta） 4.5V 、10V 1.5OHM @ 100MA 、10V 2.1V @ 250µA 0.6 NC @ 4.5 v ±20V 40 pf @ 10 v - 270MW
TK12A60U(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK12A60U -
RFQ
 ECAD 2935 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosii チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK12A60 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 12a（ta） 10V 400mohm @ 6a 、10V 5V @ 1MA 14 NC @ 10 V ±30V 720 PF @ 10 V - 35W （TC）
RN2911FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn2911fe 0.3500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN2911 100MW ES6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200MHz 10kohms -
SSM6N7002BFU(T5L,F Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N7002BFU -
RFQ
 ECAD 3812 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - カットテープ（CT） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 SSM6N7002 モスフェット（金属酸化物） 300MW US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 60V 200mA 2.1OHM @ 500MA 、10V 3.1V @ 250µA - 17pf @ 25V ロジックレベルゲート
RN4603(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4603 0.3800
RFQ
 ECAD 7481 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-74、SOT-457 RN4603 300MW SM6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 200MHz 、250MHz 22kohms 22kohms
ULN2803AFWG,C,EL Toshiba Semiconductor and Storage ULN2803AFWG -
RFQ
 ECAD 4777 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 18-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） ULN2803 1.31W 18ソップ ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1,000 50V 500mA - 8 npnダーリントン 1.6V @ 500µA、350MA 1000 @ 350MA 、2V -
SSM3K35CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage ssm3k35ctc、l3f 0.3200
RFQ
 ECAD 109 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiii テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SC-101 、SOT-883 SSM3K35 モスフェット（金属酸化物） CST3C ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 nチャネル 20 v 250ma（ta） 1.2V 、4.5V 1.1OHM @ 150MA 、4.5V 1V @ 100µA 0.34 NC @ 4.5 v ±10V 36 pf @ 10 v - 500MW
TK46A08N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK46A08N1、S4X 1.0700
RFQ
 ECAD 7780 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK46A08 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 80 v 46a（tc） 10V 8.4mohm @ 23a 、10V 4V @ 500µA 37 NC @ 10 V ±20V 2500 PF @ 40 V - 35W （TC）
RN1416,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1416 、LXHF 0.3400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN1416 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 250 MHz 4.7 Kohms 10 Kohms
RN1102ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage rn1102act（tpl3） -
RFQ
 ECAD 6140 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-101 、SOT-883 RN1102 100 MW CST3 - 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 50 v 80 Ma 500na npn-バイアス化 150MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 10 Kohms 10 Kohms
TPC8207(TE12L) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8207 -
RFQ
 ECAD 4725 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - Digi-Reel® 廃止 表面マウント 8-SOIC （0.173 "、幅4.40mm） TPC8207 モスフェット（金属酸化物） 750MW 8 ソップ（5.5x6.0 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 20V 6a 20mohm @ 4.8a 、4v 1.2V @ 200µA 22NC @ 5V 2010pf @ 10V ロジックレベルゲート
2SD1223(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD1223 0.9000
RFQ
 ECAD 1484 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 2SD1223 1 W pw-mold ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 80 v 4 a 20µa（icbo） npn-ダーリントン 1.5V @ 6MA、3a 1000 @ 3a 、2V -
2SC5171(ONK,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5171 -
RFQ
 ECAD 9307 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SC5171 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 180 v 2 a 5µa（icbo） npn 1V @ 100MA、1a 100 @ 100MA 、5V 200MHz
2SA1020-Y(T6TR1,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y（T6TR1、AF -
RFQ
 ECAD 8896 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SA1020 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µa（icbo） PNP 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
2SA1020-O(F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-O -
RFQ
 ECAD 4526 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SA1020 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µa（icbo） PNP 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
2SC3225,T6ALPSF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3225、T6ALPSF（M -
RFQ
 ECAD 8797 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC3225 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 40 v 2 a 10µa（icbo） npn 500MV @ 1MA 、300MA 500 @ 400MA、1V 220MHz
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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