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トランジスタ（2488）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
RN4906,LF Toshiba Semiconductor and Storage rn4906、lf 0.2800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4906 200mw US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 4.7kohms 47kohms
2SC4793,HFEF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793 -
RFQ
 ECAD 4903 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SC4793 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 230 v 1 a 1µa（icbo） npn 1.5V @ 50ma 、500ma 100 @ 100MA 、5V 100MHz
TK15A60U(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK15A60U -
RFQ
 ECAD 1261 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosii チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK15A60 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 15a（ta） 10V 300mohm @ 7.5a 、10V 5V @ 1MA 17 NC @ 10 V ±30V 950 PF @ 10 V - 40W （TC）
SSM3J143TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J143TU 、LXHF 0.4600
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 自動車、aec-q101 、u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 3-SMD 、フラットリード モスフェット（金属酸化物） UFM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 20 v 5.5a（ta） 1.5V 、4.5V 29.8mohm @ 3a 、4.5V 1V @ 1MA 12.8 NC @ 4.5 v +6V、 -8V 840 PF @ 10 V - 500MW
SSM3J375F,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J375F 、LF 0.4100
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント TO-236-3 SSM3J375 モスフェット（金属酸化物） s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 20 v 2a（ta） 1.5V 、4.5V 150mohm @ 1a 、4.5V 1V @ 1MA 4.6 NC @ 4.5 v +6V、 -8V 270 pf @ 10 v - 600MW
RN2408,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2408 、LXHF 0.3400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN2408 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200 MHz 22 Kohms 47 Kohms
TPCP8203(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8203 -
RFQ
 ECAD 5326 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SMD 、フラットリード TPCP8203 モスフェット（金属酸化物） 360MW PS-8（2.9x2.4） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 40V 4.7a - 2.5V @ 1MA - - -
2SJ668(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ668 （TE16L1 -
RFQ
 ECAD 3389 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiii テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C 表面マウント to-252-3 2SJ668 モスフェット（金属酸化物） pw-mold ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 2SJ668（TE16L1NQ ear99 8541.29.0095 2,000 pチャネル 60 V 5a（ta） 4V 、10V 170mohm @ 2.5a 、10V 2V @ 1MA 15 NC @ 10 V ±20V 700 pf @ 10 V - 20W （TC）
TK28V65W5,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK28V65W5 5.5700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 4-VSFN露出パッド TK28V65 モスフェット（金属酸化物） 4-dfn-ep（8x8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 650 V 27.6a（ta） 10V 140mohm @ 13.8a 、10V 4.5V @ 1.6ma 90 NC @ 10 V ±30V 3000 pf @ 300 v - 240W
TK17A80W,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK17A80W、S4x 3.8400
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-220-3フルパック TK17A80 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 800 V 17a（ta） 10V 290mohm @ 8.5a 、10V 4V @ 850µA 32 NC @ 10 V ±20V 2050 PF @ 300 v - 45W
2SA1832-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1832-Y 、LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 690 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ - 表面マウント SC-75、SOT-416 120 MW SSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 Ma 100na（icbo） PNP 300MV @ 10MA 、100mA 120 @ 2MA 、6V 80MHz
SSM3J353F,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J353F 、LF 0.4900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント TO-236-3 SSM3J353 モスフェット（金属酸化物） s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 30 V 2a（ta） 4V 、10V 150mohm @ 2a 、10V 2.2V @ 250µA 3.4 NC @ 4.5 v +20V、-25V 159 PF @ 15 V - 600MW
TPC8110(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8110 -
RFQ
 ECAD 6368 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiii テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SOIC （0.173 "、幅4.40mm） TPC8110 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップ（5.5x6.0 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 40 v 8a（ta） 4V 、10V 25mohm @ 4a 、10V 2V @ 1MA 48 NC @ 10 V ±20V 2180 PF @ 10 V - 1W
TK100E08N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK100E08N1、S1X 3.9800
RFQ
 ECAD 7657 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 TK100E08 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 80 v 100a（ta） 10V 3.2mohm @ 50a 、10V 4V @ 1MA 130 NC @ 10 V ±20V 9000 pf @ 40 v - 255W
RN1101MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1101MFV 、L3F 0.0261
RFQ
 ECAD 9895 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません 表面マウント SOT-723 RN1101 150 MW vesm ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300mv @ 500µa 、5ma 30 @ 10ma 、5v 4.7 Kohms 4.7 Kohms
TK28V65W,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK28V65W 、LQ 5.2600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 4-VSFN露出パッド TK28V65 モスフェット（金属酸化物） 4-dfn-ep（8x8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 650 V 27.6a（ta） 10V 120mohm @ 13.8a 、10V 3.5V @ 1.6ma 75 NC @ 10 V ±30V 3000 pf @ 300 v - 240W
SSM3J331R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J331R 、LF 0.4500
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-23-3フラットリード SSM3J331 モスフェット（金属酸化物） SOT-23F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 20 v 4a（ta） 1.5V 、4.5V 55mohm @ 3a 、4.5V 1V @ 1MA 10.4 NC @ 4.5 v ±8V 630 PF @ 10 V - 1W
2SC2229-O(SHP1,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-O -
RFQ
 ECAD 9880 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC2229 800 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 150 v 50 Ma 100na（icbo） npn 500MV @ 1MA 、10ma 70 @ 10ma 、5v 120MHz
TTC5460B,Q(S Toshiba Semiconductor and Storage TTC5460B -
RFQ
 ECAD 9144 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * チューブ アクティブ TTC5460 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 250
RN2118(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2118 -
RFQ
 ECAD 7756 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-75、SOT-416 RN2118 100 MW SSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 200 MHz 47 Kohms 10 Kohms
2SC5171(LBS2MATQ,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5171 （LBS2MATQ、 m -
RFQ
 ECAD 8910 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SC5171 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 180 v 2 a 5µa（icbo） npn 1V @ 100MA、1a 100 @ 100MA 、5V 200MHz
TPC8207(TE12L) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8207 -
RFQ
 ECAD 4725 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - Digi-Reel® 廃止 表面マウント 8-SOIC （0.173 "、幅4.40mm） TPC8207 モスフェット（金属酸化物） 750MW 8 ソップ（5.5x6.0 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 20V 6a 20mohm @ 4.8a 、4v 1.2V @ 200µA 22NC @ 5V 2010pf @ 10V ロジックレベルゲート
RN1409,LF Toshiba Semiconductor and Storage rn1409、lf 0.1900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN1409 200 MW s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 250 MHz 47 Kohms 22 Kohms
SSM6N357R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N357R 、LF 0.4100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6N357 モスフェット（金属酸化物） 1.5W 6-tsop-f ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 60V 650ma（ta） 1.8OHM @ 150MA 、5V 2V @ 1MA 1.5NC @ 5V 60pf @ 12v -
HN1A01FE-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage hn1a01fe-gr、lxhf 0.4500
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-563、SOT-666 HN1A01 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 150ma 100na（icbo） 2 PNP （デュアル） 300MV @ 10MA 、100mA 200 @ 2MA 、6V 80MHz
TK14A65W5,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK14A65W5、S5x 2.8900
RFQ
 ECAD 4496 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK14A65 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 650 V 13.7a 10V 300mohm @ 6.9a 、10V 4.5V @ 690µA 40 NC @ 10 V ±30V 1300 pf @ 300 v - 40W （TC）
SSM3K44MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K44MFV、L3F 0.2500
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SOT-723 SSM3K44 モスフェット（金属酸化物） vesm ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 nチャネル 30 V 100ma（ta） 2.5V 、4V 4OHM @ 10MA 、4V 1.5V @ 100µA ±20V 8.5 PF @ 3 V - 150MW
2SC2229-Y(T6MIT1FM Toshiba Semiconductor and Storage 2sc2229-y（t6mit1fm -
RFQ
 ECAD 1667 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC2229 800 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） 2SC2229YT6MIT1FM ear99 8541.21.0075 1 150 v 50 Ma 100na（icbo） npn 500MV @ 1MA 、10ma 70 @ 10ma 、5v 120MHz
RN4902,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN4902 、LF -
RFQ
 ECAD 2510 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4902 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 200MHz 10kohms 10kohms
TPCA8045-H(T2L1,VM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8045-H （T2L1後VM -
RFQ
 ECAD 3369 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi-h テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPCA8045 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 40 v 46a（ta） 4.5V 、10V 3.6mohm @ 23a 、10V 2.3V @ 1MA 90 NC @ 10 V ±20V 7540 PF @ 10 V - 1.6W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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