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トランジスタ（2488）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2） ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
TK17N65W,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK17N65W、S1F 3.8600
RFQ
 ECAD 7047 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-247-3 TK17N65 モスフェット（金属酸化物） TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 650 V 17.3a（ta） 10V 200mohm @ 8.7a、10V 3.5V @ 900µA 45 NC @ 10 V ±30V 1800 pf @ 300 v - 165W
TPCA8010-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8010-H （TE12L、Q -
RFQ
 ECAD 9297 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosv テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPCA8010 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 200 v 5.5a（ta） 10V 450mohm @ 2.7a 、10V 4V @ 1MA 10 NC @ 10 V ±20V 600 PF @ 10 V - 1.6W
RN4991(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4991 0.0394
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4991 200mw US6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100µa（icbo） 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250MHz 、200MHz 10kohms -
SSM6N7002BFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N7002BFU 、LF -
RFQ
 ECAD 3756 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 SSM6N7002 モスフェット（金属酸化物） 300MW US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 60V 200mA 2.1OHM @ 500MA 、10V 3.1V @ 250µA - 17pf @ 25V ロジックレベルゲート
TK16N60W,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage TK16N60W、S1VF 4.1900
RFQ
 ECAD 7281 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-247-3 TK16N60 モスフェット（金属酸化物） TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 600 V 15.8a 10V 190mohm @ 7.9a 、10V 3.7V @ 790µA 38 NC @ 10 V ±30V 1350 pf @ 300 v - 130W
TPH7R204PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH7R204PL 、LQ 0.6500
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPH7R204 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 40 v 48a 4.5V 、10V 9.7mohm @ 15a 、4.5V 2.4V @ 200µA 24 NC @ 10 V ±20V 2040 PF @ 20 V - 69W （TC）
SSM6N67NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N67NU 、LF 0.5000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-wdfn露出パッド SSM6N67 モスフェット（金属酸化物） 2W （TA） 6-µDFN （2x2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 30V 4a（ta） 39.1mohm @ 2a 、4.5V 1V @ 1MA 3.2NC @ 4.5V 310pf @ 15V ロジックレベルゲート、 1.8Vドライブ
SSM3K316T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage ssm3k316t -
RFQ
 ECAD 3620 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 SSM3K316 モスフェット（金属酸化物） TSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 30 V 4a（ta） 1.8V 、10V 53mohm @ 3a、10V 1V @ 1MA 4.3 NC @ 4 V ±12V 270 pf @ 10 v - 700MW
2SC2229-O(SHP1,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-O -
RFQ
 ECAD 9880 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC2229 800 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 150 v 50 Ma 100na（icbo） npn 500MV @ 1MA 、10ma 70 @ 10ma 、5v 120MHz
RN4908(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4908 -
RFQ
 ECAD 6703 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4908 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 22kohms 47kohms
2SC4935-Y,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage 2sc4935-y、q（j -
RFQ
 ECAD 8469 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SC4935 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 50 v 3 a 1µa（icbo） npn 600mv @ 200ma 、2a 70 @ 500MA 、2V 80MHz
2SA1428-O,T2WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1428-O -
RFQ
 ECAD 6056 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して SC-71 2SA1428 900 MW MSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µa（icbo） PNP 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
TPCF8B01(TE85L,F,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8B01 （TE85L -
RFQ
 ECAD 5121 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiii テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SMD 、フラットリード TPCF8B01 モスフェット（金属酸化物） vs-8（2.9x1.5 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 pチャネル 20 v 2.7a（ta） 1.8V 、4.5V 110mohm @ 1.4a 、4.5V 1.2V @ 200µA 6 NC @ 5 V ±8V 470 PF @ 10 V ショットキーダイオード（分離） 330MW
2SA1162S-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162S-Y 、LF -
RFQ
 ECAD 9269 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 2SA1162 150 MW s-mini ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 Ma 100na（icbo） PNP 300MV @ 10MA 、100mA 70 @ 2MA 、6V 80MHz
RN4603(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4603 0.3800
RFQ
 ECAD 7481 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-74、SOT-457 RN4603 300MW SM6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 200MHz 、250MHz 22kohms 22kohms
RN2911FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn2911fe 0.3500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN2911 100MW ES6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200MHz 10kohms -
SSM6N7002BFU(T5L,F Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N7002BFU -
RFQ
 ECAD 3812 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - カットテープ（CT） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 SSM6N7002 モスフェット（金属酸化物） 300MW US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 60V 200mA 2.1OHM @ 500MA 、10V 3.1V @ 250µA - 17pf @ 25V ロジックレベルゲート
2SD2695(T6CANO,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2695 -
RFQ
 ECAD 9371 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SD2695 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 60 V 2 a 10µa（icbo） npn 1.5V @ 1MA、1a 2000 @ 1a 、2V 100MHz
2SA1931,SINFQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1931 -
RFQ
 ECAD 1785 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SA1931 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 50 v 5 a 1µa（icbo） PNP 400mv @ 200ma 、2a 100 @ 1a、1V 60MHz
RN4904,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4904 0.4400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4904 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 、250MHz 47kohms 47kohms
RN4902FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn4902fe -
RFQ
 ECAD 4313 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN4902 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 200MHz 10kohms 10kohms
TK5A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK5A65W、S5x 1.6000
RFQ
 ECAD 1655 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK5A65 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 650 V 5.2a（ta） 10V 1.2OHM @ 2.6A 、10V 3.5V @ 170µA 10.5 NC @ 10 V ±30V 380 pf @ 300 v - 30W （TC）
2SC6139,T2F(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6139 -
RFQ
 ECAD 7133 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して SC-71 2SC6139 1 W MSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 160 v 1.5 a 100na（icbo） npn 500MV @ 50MA 、500MA 140 @ 100MA 、5V 100MHz
RN2306,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2306 、LF 0.1900
RFQ
 ECAD 2146 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN2306 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200 MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
SSM3J144TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J144TU 、LF 0.4100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 3-SMD 、フラットリード SSM3J144 モスフェット（金属酸化物） UFM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 20 v 3.2a（ta） 1.5V 、4.5V 93mohm @ 1.5a 、4.5V 1V @ 1MA 4.7 NC @ 4.5 v +6V、 -8V 290 PF @ 10 V - 500MW
MT3S20TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage MT3S20TU （TE85L） -
RFQ
 ECAD 2541 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 3-SMD 、フラットリード MT3S20 900MW UFM - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 12db 12V 80ma npn 100 @ 50ma 、5v 7GHz 1.45db @ 20ma 、5v
RN1118(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage rn1118 -
RFQ
 ECAD 3198 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-75、SOT-416 RN1118 100 MW SSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 250 MHz 47 Kohms 10 Kohms
2SC5930(T2MITUM,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5930 -
RFQ
 ECAD 5521 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して SC-71 2SC5930 1 W MSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 1 600 V 1 a 100µa（icbo） npn 1V @ 75MA 、600mA 40 @ 200ma 、5v -
RN1103,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1103 0.2000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN1103 100 MW SSM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 250 MHz 22 Kohms 22 Kohms
RN4910,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN4910 、LF 0.2800
RFQ
 ECAD 7429 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4910 200mw US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200MHz 4.7kohms -
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    毎日の平均RFQボリューム

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    標準製品ユニット

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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