画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | フェットタイプ | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 抵抗 -ベース(r1) | 抵抗 -エミッターベース(r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TK160F10N1L 、LQ | 2.8400 | ![]() | 1592 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | u-mosviii-h | テープ&リール( tr) | アクティブ | 175°C | 表面マウント | TO-263-3 | TK160F10 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220SM | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 100 V | 160a(ta) | 6V 、10V | 2.4mohm @ 80a 、10V | 3.5V @ 1MA | 122 NC @ 10 V | ±20V | 10100 PF @ 10 V | - | 375W | |||||||||||||
![]() | 2SC5201 | - | ![]() | 4968 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | 2SC5201 | 900 MW | to-92mod | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 600 V | 50 Ma | 1µa(icbo) | npn | 1V @ 500MA 、20MA | 100 @ 20ma 、5v | - | ||||||||||||||||||
![]() | 2sc2229-y(t6mit1fm | - | ![]() | 1667 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | 2SC2229 | 800 MW | to-92mod | ダウンロード | 1 (無制限) | 2SC2229YT6MIT1FM | ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 150 v | 50 Ma | 100na(icbo) | npn | 500MV @ 1MA 、10ma | 70 @ 10ma 、5v | 120MHz | |||||||||||||||||
![]() | RN2103 | 0.2800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | RN2103 | 100 MW | SSM | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | pnp-前バイアス | 300MV @ 250µA 、5MA | 70 @ 10ma 、5v | 200 MHz | 22 Kohms | 22 Kohms | ||||||||||||||||
![]() | 2SC4793 | - | ![]() | 4612 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3フルパック | 2SC4793 | 2 W | TO-220NIS | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 230 v | 1 a | 1µa(icbo) | npn | 1.5V @ 50ma 、500ma | 100 @ 100MA 、5V | 100MHz | ||||||||||||||||||
![]() | RN2308 (TE85L | 0.2700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | RN2308 | 100 MW | SC-70 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | pnp-前バイアス | 300MV @ 250µA 、5MA | 80 @ 10ma 、5v | 200 MHz | 22 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||
![]() | SSM6P54TU 、LF | 0.4100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C | 表面マウント | 6-SMD 、フラットリード | SSM6P54 | モスフェット(金属酸化物) | 500MW | UF6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 P-Channel (デュアル) | 20V | 1.2a(ta) | 228mohm @ 600ma 、2.5V | 1V @ 1MA | 7.7NC @ 4V | 331pf @ 10V | ロジックレベルゲート、1.5Vドライブ | |||||||||||||||
![]() | TK5A55D | 1.3900 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | πmosvii | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3フルパック | TK5A55 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220SIS | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 550 V | 5a(ta) | 10V | 1.7OHM @ 2.5A 、10V | 4.4V @ 1MA | 11 NC @ 10 V | ±30V | 540 PF @ 25 V | - | 35W (TC) | |||||||||||||
![]() | 2SC6076 (TE16L1 | 0.6300 | ![]() | 7769 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | to-252-3 | 2SC6076 | 10 W | pw-mold | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0075 | 2,000 | 80 v | 3 a | 1µa(icbo) | npn | 500MV @ 100MA、1a | 180 @ 500MA 、2V | 150MHz | |||||||||||||||||
![]() | RN1110 | 0.3300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | RN1110 | 100 MW | SSM | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 100na(icbo) | npn-バイアス化 | 300MV @ 250µA 、5MA | 120 @ 1MA 、5V | 250 MHz | 4.7 Kohms | ||||||||||||||||||
![]() | 2sc2235-y(t6cn、a f | - | ![]() | 3118 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | 2SC2235 | 900 MW | to-92mod | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 120 v | 800 Ma | 100na(icbo) | npn | 1V @ 50ma 、500ma | 80 @ 100MA 、5V | 120MHz | ||||||||||||||||||
![]() | rn1117mfv、l3f | 0.1800 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOT-723 | RN1117 | 150 MW | vesm | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | npn-バイアス化 | 300mv @ 500µa 、5ma | 30 @ 10ma 、5v | 250 MHz | 10 Kohms | 4.7 Kohms | ||||||||||||||||
![]() | 2SC2235-O | - | ![]() | 8839 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | 2SC2235 | 900 MW | to-92mod | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 120 v | 800 Ma | 100na(icbo) | npn | 1V @ 50ma 、500ma | 80 @ 100MA 、5V | 120MHz | ||||||||||||||||||
![]() | SSM3J307T (TE85L | - | ![]() | 9193 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | u-mosv | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | SSM3J307 | モスフェット(金属酸化物) | TSM | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | pチャネル | 20 v | 5a(ta) | 1.5V 、4.5V | 31mohm @ 4a 、4.5V | 1V @ 1MA | 19 NC @ 4.5 v | ±8V | 1170 PF @ 10 V | - | 700MW | ||||||||||||||
![]() | RN1309 、LXHF | 0.3900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | RN1309 | 100 MW | SC-70 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | npn-バイアス化 | 300MV @ 250µA 、5MA | 70 @ 5MA 、5V | 250 MHz | 47 Kohms | 22 Kohms | |||||||||||||||||
![]() | rn1131mfv | 0.2100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOT-723 | RN1131 | 150 MW | vesm | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 50 v | 100 Ma | 100na(icbo) | npn-バイアス化 | 300mv @ 500µa 、5ma | 120 @ 1MA 、5V | 100 Kohms | ||||||||||||||||||
![]() | rn2103ct(tpl3) | - | ![]() | 1846年年 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | SC-101 、SOT-883 | RN2103 | 50 MW | CST3 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 20 v | 50 Ma | 500na | pnp-前バイアス | 150MV @ 250µA 、5MA | 100 @ 10ma 、5v | 22 Kohms | 22 Kohms | ||||||||||||||||||
![]() | hn1c01f-gr | - | ![]() | 7146 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | カットテープ(CT) | アクティブ | 125°C (TJ) | 表面マウント | SC-74、SOT-457 | HN1C01 | 300MW | SM6 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 150ma | 100na(icbo) | 2 NPN (デュアル) | 250MV @ 10MA 、100mA | 120 @ 2MA 、6V | 800MHz | |||||||||||||||||
![]() | rn2708je | 0.4800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOT-553 | RN2708 | 100MW | ESV | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 50V | 100mA | 100na(icbo) | 2 pnp- バイアス(デュアル) | 300MV @ 250µA 、5MA | 80 @ 10ma 、5v | 200MHz | 22kohms | 47kohms | ||||||||||||||||
![]() | RN1130MFV 、L3F | 0.1000 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOT-723 | RN1130 | 150 MW | vesm | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | npn-バイアス化 | 300mv @ 500µa 、5ma | 100 @ 10ma 、5v | 250 MHz | 100 Kohms | 100 Kohms | ||||||||||||||||
![]() | 2SB1457 | - | ![]() | 5222 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | 2SB1457 | 900 MW | to-92mod | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 100 V | 2 a | 10µa(icbo) | PNP | 1.5V @ 1MA、1a | 2000 @ 1a 、2V | 50MHz | ||||||||||||||||||
![]() | RN1309 | 0.2700 | ![]() | 895 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | RN1309 | 100 MW | SC-70 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | npn-バイアス化 | 300MV @ 250µA 、5MA | 70 @ 10ma 、5v | 250 MHz | 47 Kohms | 22 Kohms | ||||||||||||||||
![]() | rn49a1fe | - | ![]() | 2089 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | SOT-563、SOT-666 | RN49A1 | 100MW | ES6 | - | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 4,000 | 50V | 100mA | 500na | 1 npn、1 pnp- バイアス前(デュアル) | 300MV @ 250µA 、5MA | 80 @ 10ma 、5v | 200MHz 、250MHz | 2.2KOHMS 、22kohms | 47kohms | |||||||||||||||||
![]() | TK6A53D | 1.5000 | ![]() | 2959 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | πmosvii | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3フルパック | TK6A53 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220SIS | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 525 v | 6a(ta) | 10V | 1.3OHM @ 3A 、10V | 4.4V @ 1MA | 12 NC @ 10 V | ±30V | 600 PF @ 25 V | - | 35W (TC) | |||||||||||||
![]() | TK31N60X s1f | 5.9700 | ![]() | 9517 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | dtmosiv-h | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-247-3 | TK31N60 | モスフェット(金属酸化物) | TO-247 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | nチャネル | 600 V | 30.8a | 10V | 88mohm @ 9.4a 、10V | 3.5V @ 1.5MA | 65 NC @ 10 V | ±30V | 3000 pf @ 300 v | - | 230W | |||||||||||||
![]() | rn4986 | 0.3000 | ![]() | 483 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 | RN4986 | 200mw | US6 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | 100µa(icbo) | 1 npn、1 pnp- バイアス前(デュアル) | 300MV @ 250µA 、5MA | 80 @ 10ma 、5v | 250MHz 、200MHz | 4.7kohms | 47kohms | ||||||||||||||||
![]() | TK14A65W、S5x | 2.8200 | ![]() | 21 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | dtmosiv | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3フルパック | TK14A65 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220SIS | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 650 V | 13.7a | 10V | 250mohm @ 6.9a 、10V | 3.5V @ 690µA | 35 NC @ 10 V | ±30V | 1300 pf @ 300 v | - | 40W (TC) | |||||||||||||
![]() | RN2610 | 0.4800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-74、SOT-457 | RN2610 | 300MW | SM6 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | 100na(icbo) | 2 pnp- バイアス(デュアル) | 300MV @ 250µA 、5MA | 120 @ 1MA 、5V | 200MHz | 4.7kohms | - | ||||||||||||||||
![]() | RN1911 | - | ![]() | 2298 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 | RN1911 | 100MW | US6 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | 100na(icbo) | 2 npn- バイアス(デュアル) | 300MV @ 250µA 、5MA | 120 @ 1MA 、5V | 250MHz | 4.7kohms | - | ||||||||||||||||
![]() | TPH1R405PL 、L1Q | 1.5800 | ![]() | 9110 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | u-mosix-h | テープ&リール( tr) | アクティブ | 175°C | 表面マウント | 8-POWERVDFN | TPH1R405 | モスフェット(金属酸化物) | 8 ソップアドバンス(5x5) | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | nチャネル | 45 v | 120a(tc) | 4.5V 、10V | 1.4mohm @ 50a、10V | 2.4V @ 500µA | 74 NC @ 10 V | ±20V | 6300 PF @ 22.5 v | - | 960MW |
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