SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 電源( VDSS )への排水 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C ドライブ電圧(最大rds onmin rds on rds on max) @ id vgs vgs ゲートチャージ( QG VGS (最大) ciss )( max @ vds フェット機能 電力散逸(最大) 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) 現在 -コレクター(IC )(最大) 現在 -コレクターカットオフ(最大) トランジスタタイプ vce 飽和(max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース(r1) 抵抗 -エミッターベース(r2)
TK160F10N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK160F10N1L 、LQ 2.8400
RFQ
ECAD 1592 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ&リール( tr) アクティブ 175°C 表面マウント TO-263-3 TK160F10 モスフェット(金属酸化物) TO-220SM ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 100 V 160a(ta) 6V 、10V 2.4mohm @ 80a 、10V 3.5V @ 1MA 122 NC @ 10 V ±20V 10100 PF @ 10 V - 375W
2SC5201,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5201 -
RFQ
ECAD 4968 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C (TJ) 穴を通して TO-226-3 2SC5201 900 MW to-92mod ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 1 600 V 50 Ma 1µa(icbo) npn 1V @ 500MA 、20MA 100 @ 20ma 、5v -
2SC2229-Y(T6MIT1FM Toshiba Semiconductor and Storage 2sc2229-y(t6mit1fm -
RFQ
ECAD 1667 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C (TJ) 穴を通して TO-226-3 2SC2229 800 MW to-92mod ダウンロード 1 (無制限) 2SC2229YT6MIT1FM ear99 8541.21.0075 1 150 v 50 Ma 100na(icbo) npn 500MV @ 1MA 、10ma 70 @ 10ma 、5v 120MHz
RN2103(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2103 0.2800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN2103 100 MW SSM ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 200 MHz 22 Kohms 22 Kohms
2SC4793,YHF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793 -
RFQ
ECAD 4612 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C (TJ) 穴を通して TO-220-3フルパック 2SC4793 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.29.0075 1 230 v 1 a 1µa(icbo) npn 1.5V @ 50ma 、500ma 100 @ 100MA 、5V 100MHz
RN2308(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2308 (TE85L 0.2700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN2308 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200 MHz 22 Kohms 47 Kohms
SSM6P54TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P54TU 、LF 0.4100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 150°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6P54 モスフェット(金属酸化物) 500MW UF6 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 2 P-Channel (デュアル) 20V 1.2a(ta) 228mohm @ 600ma 、2.5V 1V @ 1MA 7.7NC @ 4V 331pf @ 10V ロジックレベルゲート、1.5Vドライブ
TK5A55D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK5A55D 1.3900
RFQ
ECAD 50 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C (TJ) 穴を通して TO-220-3フルパック TK5A55 モスフェット(金属酸化物) TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 550 V 5a(ta) 10V 1.7OHM @ 2.5A 、10V 4.4V @ 1MA 11 NC @ 10 V ±30V 540 PF @ 25 V - 35W (TC)
2SC6076(TE16L1,NV) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6076 (TE16L1 0.6300
RFQ
ECAD 7769 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント to-252-3 2SC6076 10 W pw-mold ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.29.0075 2,000 80 v 3 a 1µa(icbo) npn 500MV @ 100MA、1a 180 @ 500MA 、2V 150MHz
RN1110,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1110 0.3300
RFQ
ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN1110 100 MW SSM ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 100na(icbo) npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250 MHz 4.7 Kohms
2SC2235-Y(T6CN,A,F Toshiba Semiconductor and Storage 2sc2235-y(t6cn、a f -
RFQ
ECAD 3118 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C (TJ) 穴を通して TO-226-3 2SC2235 900 MW to-92mod ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 Ma 100na(icbo) npn 1V @ 50ma 、500ma 80 @ 100MA 、5V 120MHz
RN1117MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage rn1117mfv、l3f 0.1800
RFQ
ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SOT-723 RN1117 150 MW vesm ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0075 8,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300mv @ 500µa 、5ma 30 @ 10ma 、5v 250 MHz 10 Kohms 4.7 Kohms
2SC2235-O,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-O -
RFQ
ECAD 8839 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C (TJ) 穴を通して TO-226-3 2SC2235 900 MW to-92mod ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 Ma 100na(icbo) npn 1V @ 50ma 、500ma 80 @ 100MA 、5V 120MHz
SSM3J307T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J307T (TE85L -
RFQ
ECAD 9193 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosv テープ&リール( tr) 廃止 150°C (TJ) 表面マウント TO-236-3 SSM3J307 モスフェット(金属酸化物) TSM ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 20 v 5a(ta) 1.5V 、4.5V 31mohm @ 4a 、4.5V 1V @ 1MA 19 NC @ 4.5 v ±8V 1170 PF @ 10 V - 700MW
RN1309,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1309 、LXHF 0.3900
RFQ
ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN1309 100 MW SC-70 ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 5MA 、5V 250 MHz 47 Kohms 22 Kohms
RN1131MFV(TL3,T) Toshiba Semiconductor and Storage rn1131mfv 0.2100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SOT-723 RN1131 150 MW vesm ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 100na(icbo) npn-バイアス化 300mv @ 500µa 、5ma 120 @ 1MA 、5V 100 Kohms
RN2103CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage rn2103ct(tpl3) -
RFQ
ECAD 1846年年 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント SC-101 、SOT-883 RN2103 50 MW CST3 ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 10,000 20 v 50 Ma 500na pnp-前バイアス 150MV @ 250µA 、5MA 100 @ 10ma 、5v 22 Kohms 22 Kohms
HN1C01F-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage hn1c01f-gr -
RFQ
ECAD 7146 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - カットテープ(CT) アクティブ 125°C (TJ) 表面マウント SC-74、SOT-457 HN1C01 300MW SM6 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0075 3,000 50V 150ma 100na(icbo) 2 NPN (デュアル) 250MV @ 10MA 、100mA 120 @ 2MA 、6V 800MHz
RN2708JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn2708je 0.4800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SOT-553 RN2708 100MW ESV ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na(icbo) 2 pnp- バ​​イアス(デュアル) 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 22kohms 47kohms
RN1130MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1130MFV 、L3F 0.1000
RFQ
ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SOT-723 RN1130 150 MW vesm ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0075 8,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300mv @ 500µa 、5ma 100 @ 10ma 、5v 250 MHz 100 Kohms 100 Kohms
2SB1457(T6DW,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SB1457 -
RFQ
ECAD 5222 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C (TJ) 穴を通して TO-226-3 2SB1457 900 MW to-92mod ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 1 100 V 2 a 10µa(icbo) PNP 1.5V @ 1MA、1a 2000 @ 1a 、2V 50MHz
RN1309(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1309 0.2700
RFQ
ECAD 895 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN1309 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 250 MHz 47 Kohms 22 Kohms
RN49A1FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn49a1fe -
RFQ
ECAD 2089 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN49A1 100MW ES6 - 1 (無制限) ear99 8541.21.0075 4,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前(デュアル) 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 、250MHz 2.2KOHMS 、22kohms 47kohms
TK6A53D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK6A53D 1.5000
RFQ
ECAD 2959 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C (TJ) 穴を通して TO-220-3フルパック TK6A53 モスフェット(金属酸化物) TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 525 v 6a(ta) 10V 1.3OHM @ 3A 、10V 4.4V @ 1MA 12 NC @ 10 V ±30V 600 PF @ 25 V - 35W (TC)
TK31N60X,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK31N60X s1f 5.9700
RFQ
ECAD 9517 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv-h チューブ アクティブ 150°C (TJ) 穴を通して TO-247-3 TK31N60 モスフェット(金属酸化物) TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 600 V 30.8a 10V 88mohm @ 9.4a 、10V 3.5V @ 1.5MA 65 NC @ 10 V ±30V 3000 pf @ 300 v - 230W
RN4986(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage rn4986 0.3000
RFQ
ECAD 483 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4986 200mw US6 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100µa(icbo) 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前(デュアル) 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 、200MHz 4.7kohms 47kohms
TK14A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK14A65W、S5x 2.8200
RFQ
ECAD 21 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C (TJ) 穴を通して TO-220-3フルパック TK14A65 モスフェット(金属酸化物) TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 650 V 13.7a 10V 250mohm @ 6.9a 、10V 3.5V @ 690µA 35 NC @ 10 V ±30V 1300 pf @ 300 v - 40W (TC)
RN2610(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2610 0.4800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SC-74、SOT-457 RN2610 300MW SM6 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na(icbo) 2 pnp- バ​​イアス(デュアル) 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200MHz 4.7kohms -
RN1911(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1911 -
RFQ
ECAD 2298 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN1911 100MW US6 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na(icbo) 2 npn- バイアス(デュアル) 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250MHz 4.7kohms -
TPH1R405PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R405PL 、L1Q 1.5800
RFQ
ECAD 9110 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ&リール( tr) アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERVDFN TPH1R405 モスフェット(金属酸化物) 8 ソップアドバンス(5x5) ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 45 v 120a(tc) 4.5V 、10V 1.4mohm @ 50a、10V 2.4V @ 500µA 74 NC @ 10 V ±20V 6300 PF @ 22.5 v - 960MW
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫