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トランジスタ（2488）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ECCN htsus 標準パッケージ フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
RN2707JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn2707je 0.4800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-553 RN2707 100MW ESV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 10kohms 47kohms
RN4907(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4907 -
RFQ
 ECAD 8660 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4907 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 10kohms 47kohms
HN1B01FU-Y(L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage hn1b01fu-y -
RFQ
 ECAD 9540 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 HN1B01 200mw US6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 150ma 100na（icbo） NPN、PNP 300MV @ 10MA 、100mA 120 @ 2MA 、6V 120MHz
TK65S04N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK65S04N1L lq 2.0100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK65S04 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 40 v 65a（ta） 10V 4.3mohm @ 32.5a 、10V 2.5V @ 300µA 39 NC @ 10 V ±20V 2550 PF @ 10 V - 107W （TC）
RN1968(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1968 0.4700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN1968 200mw US6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 22kohms 47kohms
HN1B04F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage hn1b04f（TE85L -
RFQ
 ECAD 3334 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント SC-74、SOT-457 HN1B04 300MW SM6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 30V 500mA 100na（icbo） NPN、PNP 250MV @ 10MA 、100mA 70 @ 100MA、1V 200MHz
RN4902,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn4902 0.2800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4902 200mw US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 200MHz 10kohms 10kohms
RN2708JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn2708je 0.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-553 RN2708 100MW ESV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 22kohms 47kohms
RN2107MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2107MFV 0.1800
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN2107 150 MW vesm ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300mv @ 500µa 、5ma 80 @ 10ma 、5v 10 Kohms 47 Kohms
RN4607(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4607 0.4700
RFQ
 ECAD 795 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-74、SOT-457 RN4607 300MW SM6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 10kohms 47kohms
2SD2257(CANO,A,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2257 -
RFQ
 ECAD 7754 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SD2257 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 1 100 V 3 a 10µa（icbo） npn 1.5V @ 1.5MA、1.5a 2000 @ 2a 、2V -
RN1131MFV(TL3,T) Toshiba Semiconductor and Storage rn1131mfv 0.2100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN1131 150 MW vesm ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300mv @ 500µa 、5ma 120 @ 1MA 、5V 100 Kohms
2SC4207-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4207-GR （TE85L f 0.3500
RFQ
 ECAD 41 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント SC-74A 、SOT-753 2SC4207 300MW SMV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 150ma 100na（icbo） 2 npn （デュアル）共通エミッター 250MV @ 10MA 、100mA 200 @ 2MA 、6V 80MHz
2SC3665-Y,T2YNSF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2sc3665-y、t2ynsf（j -
RFQ
 ECAD 2332 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して SC-71 2SC3665 1 W MSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 120 v 800 Ma 100na（icbo） npn 1V @ 50ma 、500ma 80 @ 100MA 、5V 120MHz
2SA1425-Y,T2F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1425-Y 、T2F （J -
RFQ
 ECAD 5109 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して SC-71 2SA1425 1 W MSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 120 v 800 Ma 100na（icbo） PNP 1V @ 50ma 、500ma 80 @ 100MA 、5V 120MHz
2SA1721OTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1721OTE85LF 0.1207
RFQ
 ECAD 5444 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 2SA1721 150 MW s-mini ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 300 V 100 Ma 100na（icbo） PNP 500MV @ 2MA 、20MA 30 @ 20ma 、10V 50MHz
2SC3668-Y,T2F(M Toshiba Semiconductor and Storage 2sc3668-y、t2f（m -
RFQ
 ECAD 8734 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して SC-71 2SC3668 1 W MSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 50 v 2 a 1µa（icbo） npn 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
2SC4793,YHF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793 -
RFQ
 ECAD 9650 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SC4793 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 230 v 1 a 1µa（icbo） npn 1.5V @ 50ma 、500ma 100 @ 100MA 、5V 100MHz
RN2314(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2314 0.2800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN2314 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 200 MHz 1 KOHMS 10 Kohms
RN1906FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1906fe 0.2400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN1906 100MW ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 4.7kohms 47kohms
RN4984,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4984 0.3500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4984 200mw US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 、200MHz 47kohms 47kohms
RN4986(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage rn4986 0.3000
RFQ
 ECAD 483 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4986 200mw US6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100µa（icbo） 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 、200MHz 4.7kohms 47kohms
RN1421TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1421TE85LF 0.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN1421 200 MW s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 800 Ma 500na npn-バイアス化 250MV @ 2MA 、50mA 60 @ 100MA、1V 300 MHz 1 KOHMS 1 KOHMS
2SC3324GRTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3324GRTE85LF -
RFQ
 ECAD 3943 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 125°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 2SC3324 150 MW TO-236 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 120 v 100 Ma 100na（icbo） npn 300MV @ 1MA 、10ma 200 @ 2MA 、6V 100MHz
2SC2655-O(ND2,AF) Toshiba Semiconductor and Storage 2sc2655-o -
RFQ
 ECAD 9458 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC2655 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µa（icbo） npn 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
RN1101,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1101 0.2000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN1101 100 MW SSM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 250 MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
RN2412TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2412TE85LF 0.2900
RFQ
 ECAD 6971 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN2412 200 MW s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200 MHz 22 Kohms
2SC2235-Y(T6CN,A,F Toshiba Semiconductor and Storage 2sc2235-y（t6cn、a f -
RFQ
 ECAD 3118 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC2235 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 Ma 100na（icbo） npn 1V @ 50ma 、500ma 80 @ 100MA 、5V 120MHz
RN1117(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1117 -
RFQ
 ECAD 6824 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました 表面マウント SC-75、SOT-416 RN1117 100 MW SSM ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 250 MHz 10 Kohms 4.7 Kohms
2SC6026CT-Y(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6026CT-Y -
RFQ
 ECAD 7438 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SC-101 、SOT-883 2SC6026 100 MW CST3 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn 250MV @ 10MA 、100mA 120 @ 2MA 、6V 60MHz
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    毎日の平均RFQボリューム

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    標準製品ユニット

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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