画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | フェットタイプ | 得 | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 抵抗 -ベース(r1) | 抵抗 -エミッターベース(r2) | ノイズフィギュア(DBタイプ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2SA1020-O | - | ![]() | 4526 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | 2SA1020 | 900 MW | to-92mod | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 v | 2 a | 1µa(icbo) | PNP | 500mv @ 50ma、1a | 70 @ 500MA 、2V | 100MHz | |||||||||||||||||||
![]() | RN1673 | - | ![]() | 6017 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 | RN1673 | 300MW | US6 | - | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | 100na(icbo) | 2 npn- バイアス(デュアル) | 300MV @ 250µA 、5MA | 120 @ 1MA 、5V | - | 47kohms | - | ||||||||||||||||||
![]() | hn1c01f-gr | - | ![]() | 7146 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | カットテープ(CT) | アクティブ | 125°C (TJ) | 表面マウント | SC-74、SOT-457 | HN1C01 | 300MW | SM6 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 150ma | 100na(icbo) | 2 NPN (デュアル) | 250MV @ 10MA 、100mA | 120 @ 2MA 、6V | 800MHz | ||||||||||||||||||
![]() | 2SC5200-O | 3.0600 | ![]() | 2325 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-3pl | 2SC5200 | 150 W | to-3p | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | ear99 | 8541.29.0075 | 100 | 230 v | 15 a | 5µa(icbo) | npn | 3V @ 800MA 、8a | 80 @ 1a 、5V | 30MHz | ||||||||||||||||||
![]() | TK3R1P04PL 、RQ | 1.1600 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | u-mosix-h | テープ&リール( tr) | アクティブ | 175°C | 表面マウント | to-252-3 | TK3R1P04 | モスフェット(金属酸化物) | dpak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 40 v | 58a | 4.5V 、10V | 3.1mohm @ 29a 、10V | 2.4V @ 500µA | 60 NC @ 10 V | ±20V | 4670 PF @ 20 V | - | 87W | ||||||||||||||
![]() | 2sc2655-y、t6kehf( m | - | ![]() | 1327 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | 2SC2655 | 900 MW | to-92mod | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 v | 2 a | 1µa(icbo) | npn | 500mv @ 50ma、1a | 70 @ 500MA 、2V | 100MHz | |||||||||||||||||||
![]() | RN2905 | 0.2600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 | RN2905 | 200mw | US6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | 100na(icbo) | 2 pnp- バイアス(デュアル) | 300MV @ 250µA 、5MA | 80 @ 10ma 、5v | 200MHz | 2.2kohms | 47kohms | |||||||||||||||||
![]() | 2SA2154CT-Y | - | ![]() | 5156 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-101 、SOT-883 | 2SA2154 | 100 MW | CST3 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 50 v | 100 Ma | 100na(icbo) | PNP | 300MV @ 10MA 、100mA | 120 @ 2MA 、6V | 80MHz | |||||||||||||||||||
![]() | 2sc2714-y(te85l | 0.4400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 125°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | 2SC2714 | 100MW | s-mini | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 23dB | 30V | 20ma | npn | 100 @ 1MA 、6V | 550MHz | 2.5db @ 100MHz | ||||||||||||||||||
![]() | 2SC2655-Y (TE6 | - | ![]() | 1528 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | 2SC2655 | 900 MW | to-92mod | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 v | 2 a | 1µa(icbo) | npn | 500mv @ 50ma、1a | 70 @ 500MA 、2V | 100MHz | |||||||||||||||||||
![]() | 2SB1375 | - | ![]() | 5769 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3フルパック | 2SB1375 | 2 W | TO-220NIS | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 V | 3 a | 10µa(icbo) | PNP | 1.5V @ 200MA 、2a | 100 @ 500MA 、5V | 9MHz | |||||||||||||||||||
![]() | RN2311 | 0.2700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | RN2311 | 100 MW | SC-70 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 100na(icbo) | pnp-前バイアス | 300MV @ 250µA 、5MA | 120 @ 1MA 、5V | 200 MHz | 10 Kohms | ||||||||||||||||||
![]() | rn2971fe | - | ![]() | 5969 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | SOT-563、SOT-666 | RN2971 | 100MW | ES6 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 50V | 100mA | 100na(icbo) | 2 pnp- バイアス(デュアル) | 300MV @ 250µA 、5MA | 120 @ 1MA 、5V | 200MHz | 10kohms | - | ||||||||||||||||||
![]() | rn2103ct(tpl3) | - | ![]() | 1846年年 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | SC-101 、SOT-883 | RN2103 | 50 MW | CST3 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 20 v | 50 Ma | 500na | pnp-前バイアス | 150MV @ 250µA 、5MA | 100 @ 10ma 、5v | 22 Kohms | 22 Kohms | |||||||||||||||||||
![]() | tpn1110enh l1q | 1.6800 | ![]() | 1291 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | u-mosviii-h | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-POWERVDFN | TPN1110 | モスフェット(金属酸化物) | 8-TSON ADVANCE (3.1x3.1) | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | nチャネル | 200 v | 7.2a(ta) | 10V | 114mohm @ 3.6a 、10V | 4V @ 200µA | 7 NC @ 10 V | ±20V | 600 PF @ 100 V | - | 700MW | ||||||||||||||
![]() | 2SA1930 | - | ![]() | 3597 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3フルパック | 2SA1930 | 2 W | TO-220NIS | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0075 | 500 | 180 v | 2 a | 5µa(icbo) | PNP | 1V @ 100MA、1a | 100 @ 100MA 、5V | 200MHz | |||||||||||||||||||
![]() | 2SA1931 | - | ![]() | 2292 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3フルパック | 2SA1931 | 2 W | TO-220NIS | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 50 v | 5 a | 1µa(icbo) | PNP | 400mv @ 200ma 、2a | 100 @ 1a、1V | 60MHz | |||||||||||||||||||
![]() | RN1610 | 0.4800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-74、SOT-457 | RN1610 | 300MW | SM6 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | 100na(icbo) | 2 npn- バイアス(デュアル) | 300MV @ 250µA 、5MA | 120 @ 1MA 、5V | 250MHz | 4.7kohms | - | |||||||||||||||||
![]() | RN1103ACT | - | ![]() | 8929 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | SC-101 、SOT-883 | RN1103 | 100 MW | CST3 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 50 v | 80 Ma | 500na | npn-バイアス化 | 150MV @ 250µA 、5MA | 70 @ 10ma 、5v | 22 Kohms | 22 Kohms | |||||||||||||||||||
![]() | SSM6K217FE 、LF | 0.3700 | ![]() | 37 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | u-mosvii-h | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOT-563、SOT-666 | SSM6K217 | モスフェット(金属酸化物) | ES6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 4,000 | nチャネル | 40 v | 1.8a(ta) | 1.8V 、8V | 195mohm @ 1a 、8v | 1.2V @ 1MA | 1.1 NC @ 4.2 v | ±12V | 130 pf @ 10 v | - | 500MW | ||||||||||||||
![]() | RN2101ACT | - | ![]() | 7160 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | SC-101 、SOT-883 | RN2101 | 100 MW | CST3 | - | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 50 v | 80 Ma | 500na | pnp-前バイアス | 150MV @ 500µA、5MA | 30 @ 10ma 、5v | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | |||||||||||||||||||
![]() | 2SC2383-O | - | ![]() | 4250 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | 2SC2383 | 900 MW | to-92mod | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 160 v | 1 a | 1µa(icbo) | npn | 1.5V @ 50ma 、500ma | 60 @ 200ma 、5v | 100MHz | |||||||||||||||||||
![]() | RN2307 | - | ![]() | 3221 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | RN2307 | 100 MW | SC-70 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | pnp-前バイアス | 300MV @ 250µA 、5MA | 80 @ 10ma 、5v | 200 MHz | 10 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||
![]() | rn2109ct(tpl3) | - | ![]() | 8190 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | SC-101 、SOT-883 | RN2109 | 50 MW | CST3 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 20 v | 50 Ma | 500na | pnp-前バイアス | 150MV @ 250µA 、5MA | 100 @ 10ma 、5v | 47 Kohms | 22 Kohms | |||||||||||||||||||
![]() | RN1402 、LF | 0.2200 | ![]() | 1364 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | RN1402 | 200 MW | s-mini | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | npn-バイアス化 | 300MV @ 250µA 、5MA | 50 @ 10ma 、5v | 250 MHz | 10 Kohms | 10 Kohms | |||||||||||||||||
![]() | RN1101CT (TPL3) | - | ![]() | 2343 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | SC-101 、SOT-883 | RN1101 | 50 MW | CST3 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 20 v | 50 Ma | 500na | npn-バイアス化 | 150MV @ 250µA 、5MA | 30 @ 10ma 、5v | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | |||||||||||||||||||
![]() | TPC8092 | - | ![]() | 8376 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | u-mosvii | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | TPC8092 | モスフェット(金属酸化物) | 8ソップ | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 30 V | 15a(ta) | 4.5V 、10V | 9mohm @ 7.5a 、10V | 2.3V @ 200µA | 25 NC @ 10 V | ±20V | 1800 pf @ 10 v | - | 1W | ||||||||||||||
![]() | TK25E06K3 | - | ![]() | 4655 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | u-mosiv | チューブ | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | TK25E06 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 60 V | 25a(ta) | 18mohm @ 12.5a 、10V | - | 29 NC @ 10 V | - | 60W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | TJ15P04M3 | 0.8700 | ![]() | 878 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | u-mosvi | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | to-252-3 | TJ15P04 | モスフェット(金属酸化物) | dpak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | pチャネル | 40 v | 15a(ta) | 4.5V 、10V | 36mohm @ 7.5a 、10V | 2V @ 100µA | 26 NC @ 10 V | ±20V | 1100 PF @ 10 V | - | 29W | ||||||||||||||
![]() | 2SC4883A | - | ![]() | 7097 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | * | チューブ | アクティブ | 2SC4883 | - | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 2SC4883ats | 0000.00.0000 | 50 |
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