SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ フェットタイプ 電源( VDSS )への排水 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C ドライブ電圧(最大rds onmin rds on rds on max) @ id vgs vgs ゲートチャージ( QG VGS (最大) ciss )( max @ vds フェット機能 電力散逸(最大) 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) 現在 -コレクター(IC )(最大) 現在 -コレクターカットオフ(最大) トランジスタタイプ vce 飽和(max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース(r1) 抵抗 -エミッターベース(r2) ノイズフィギュア(DBタイプ @ f)
2SA1020-O(F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-O -
RFQ
ECAD 4526 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C (TJ) 穴を通して TO-226-3 2SA1020 900 MW to-92mod ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µa(icbo) PNP 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
RN1673(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1673 -
RFQ
ECAD 6017 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN1673 300MW US6 - 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na(icbo) 2 npn- バイアス(デュアル) 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V - 47kohms -
HN1C01F-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage hn1c01f-gr -
RFQ
ECAD 7146 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - カットテープ(CT) アクティブ 125°C (TJ) 表面マウント SC-74、SOT-457 HN1C01 300MW SM6 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0075 3,000 50V 150ma 100na(icbo) 2 NPN (デュアル) 250MV @ 10MA 、100mA 120 @ 2MA 、6V 800MHz
2SC5200-O(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5200-O 3.0600
RFQ
ECAD 2325 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 150°C (TJ) 穴を通して to-3pl 2SC5200 150 W to-3p ダウンロード ROHS3準拠 適用できない ear99 8541.29.0075 100 230 v 15 a 5µa(icbo) npn 3V @ 800MA 、8a 80 @ 1a 、5V 30MHz
TK3R1P04PL,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK3R1P04PL 、RQ 1.1600
RFQ
ECAD 14 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ&リール( tr) アクティブ 175°C 表面マウント to-252-3 TK3R1P04 モスフェット(金属酸化物) dpak ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 40 v 58a 4.5V 、10V 3.1mohm @ 29a 、10V 2.4V @ 500µA 60 NC @ 10 V ±20V 4670 PF @ 20 V - 87W
2SC2655-Y,T6KEHF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2sc2655-y、t6kehf( m -
RFQ
ECAD 1327 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C (TJ) 穴を通して TO-226-3 2SC2655 900 MW to-92mod ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µa(icbo) npn 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
RN2905,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2905 0.2600
RFQ
ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN2905 200mw US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na(icbo) 2 pnp- バ​​イアス(デュアル) 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 2.2kohms 47kohms
2SA2154CT-Y(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2154CT-Y -
RFQ
ECAD 5156 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 廃止 150°C (TJ) 表面マウント SC-101 、SOT-883 2SA2154 100 MW CST3 ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 10,000 50 v 100 Ma 100na(icbo) PNP 300MV @ 10MA 、100mA 120 @ 2MA 、6V 80MHz
2SC2714-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2sc2714-y(te85l 0.4400
RFQ
ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 125°C (TJ) 表面マウント TO-236-3 2SC2714 100MW s-mini ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 23dB 30V 20ma npn 100 @ 1MA 、6V 550MHz 2.5db @ 100MHz
2SC2655-Y(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-Y (TE6 -
RFQ
ECAD 1528 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C (TJ) 穴を通して TO-226-3 2SC2655 900 MW to-92mod ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µa(icbo) npn 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
2SB1375,CLARIONF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SB1375 -
RFQ
ECAD 5769 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C (TJ) 穴を通して TO-220-3フルパック 2SB1375 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 1 60 V 3 a 10µa(icbo) PNP 1.5V @ 200MA 、2a 100 @ 500MA 、5V 9MHz
RN2311(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2311 0.2700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN2311 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na(icbo) pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200 MHz 10 Kohms
RN2971FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn2971fe -
RFQ
ECAD 5969 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN2971 100MW ES6 ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na(icbo) 2 pnp- バ​​イアス(デュアル) 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200MHz 10kohms -
RN2103CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage rn2103ct(tpl3) -
RFQ
ECAD 1846年年 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント SC-101 、SOT-883 RN2103 50 MW CST3 ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 10,000 20 v 50 Ma 500na pnp-前バイアス 150MV @ 250µA 、5MA 100 @ 10ma 、5v 22 Kohms 22 Kohms
TPN1110ENH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage tpn1110enh l1q 1.6800
RFQ
ECAD 1291 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ&リール( tr) アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント 8-POWERVDFN TPN1110 モスフェット(金属酸化物) 8-TSON ADVANCE (3.1x3.1) ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 200 v 7.2a(ta) 10V 114mohm @ 3.6a 、10V 4V @ 200µA 7 NC @ 10 V ±20V 600 PF @ 100 V - 700MW
2SA1930(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1930 -
RFQ
ECAD 3597 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C (TJ) 穴を通して TO-220-3フルパック 2SA1930 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.29.0075 500 180 v 2 a 5µa(icbo) PNP 1V @ 100MA、1a 100 @ 100MA 、5V 200MHz
2SA1931,BOSCHQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1931 -
RFQ
ECAD 2292 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C (TJ) 穴を通して TO-220-3フルパック 2SA1931 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.29.0075 1 50 v 5 a 1µa(icbo) PNP 400mv @ 200ma 、2a 100 @ 1a、1V 60MHz
RN1610(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1610 0.4800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SC-74、SOT-457 RN1610 300MW SM6 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na(icbo) 2 npn- バイアス(デュアル) 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250MHz 4.7kohms -
RN1103ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1103ACT -
RFQ
ECAD 8929 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント SC-101 、SOT-883 RN1103 100 MW CST3 ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 10,000 50 v 80 Ma 500na npn-バイアス化 150MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 22 Kohms 22 Kohms
SSM6K217FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K217FE 、LF 0.3700
RFQ
ECAD 37 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii-h テープ&リール( tr) アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント SOT-563、SOT-666 SSM6K217 モスフェット(金属酸化物) ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 4,000 nチャネル 40 v 1.8a(ta) 1.8V 、8V 195mohm @ 1a 、8v 1.2V @ 1MA 1.1 NC @ 4.2 v ±12V 130 pf @ 10 v - 500MW
RN2101ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2101ACT -
RFQ
ECAD 7160 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント SC-101 、SOT-883 RN2101 100 MW CST3 - 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 10,000 50 v 80 Ma 500na pnp-前バイアス 150MV @ 500µA、5MA 30 @ 10ma 、5v 4.7 Kohms 4.7 Kohms
2SC2383-O(T6OMI,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2383-O -
RFQ
ECAD 4250 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C (TJ) 穴を通して TO-226-3 2SC2383 900 MW to-92mod ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.21.0075 1 160 v 1 a 1µa(icbo) npn 1.5V @ 50ma 、500ma 60 @ 200ma 、5v 100MHz
RN2307(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2307 -
RFQ
ECAD 3221 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN2307 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200 MHz 10 Kohms 47 Kohms
RN2109CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage rn2109ct(tpl3) -
RFQ
ECAD 8190 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント SC-101 、SOT-883 RN2109 50 MW CST3 ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 10,000 20 v 50 Ma 500na pnp-前バイアス 150MV @ 250µA 、5MA 100 @ 10ma 、5v 47 Kohms 22 Kohms
RN1402,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1402 、LF 0.2200
RFQ
ECAD 1364 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN1402 200 MW s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 250 MHz 10 Kohms 10 Kohms
RN1101CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1101CT (TPL3) -
RFQ
ECAD 2343 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント SC-101 、SOT-883 RN1101 50 MW CST3 ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 10,000 20 v 50 Ma 500na npn-バイアス化 150MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 4.7 Kohms 4.7 Kohms
TPC8092,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8092 -
RFQ
ECAD 8376 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii テープ&リール( tr) 廃止 150°C (TJ) 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) TPC8092 モスフェット(金属酸化物) 8ソップ ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 30 V 15a(ta) 4.5V 、10V 9mohm @ 7.5a 、10V 2.3V @ 200µA 25 NC @ 10 V ±20V 1800 pf @ 10 v - 1W
TK25E06K3,S1X(S Toshiba Semiconductor and Storage TK25E06K3 -
RFQ
ECAD 4655 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiv チューブ 廃止 150°C (TJ) 穴を通して TO-220-3 TK25E06 モスフェット(金属酸化物) TO-220-3 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 60 V 25a(ta) 18mohm @ 12.5a 、10V - 29 NC @ 10 V - 60W (TC)
TJ15P04M3,RQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TJ15P04M3 0.8700
RFQ
ECAD 878 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ&リール( tr) アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント to-252-3 TJ15P04 モスフェット(金属酸化物) dpak ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 2,000 pチャネル 40 v 15a(ta) 4.5V 、10V 36mohm @ 7.5a 、10V 2V @ 100µA 26 NC @ 10 V ±20V 1100 PF @ 10 V - 29W
2SC4883A Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4883A -
RFQ
ECAD 7097 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * チューブ アクティブ 2SC4883 - ROHS準拠 1 (無制限) 2SC4883ats 0000.00.0000 50
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫