SIC
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トランジスタ（2488）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在の - ドレイン（IDSS @ vds（vgs = 0） 電圧-Cutoff（ VGSオフ） @ id 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1）
TK055U60Z1,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK055U60Z1、RQ 5.5900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 8-POWERSFN モスフェット（金属酸化物） 通行料金 - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 600 V 40a（ta） 10V 55mohm @ 15a 、10V 4V @ 1.69ma 65 NC @ 10 V ±30V 3680 PF @ 300 v - 270W
SSM6N55NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage ssm6n55nu、lf 0.4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 6-wdfn露出パッド SSM6N55 モスフェット（金属酸化物） 1W 6-µDFN （2x2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 30V 4a 46mohm @ 4a 、10V 2.5V @ 100µA 2.5NC @ 4.5V 280pf @ 15V ロジックレベルゲート
TK4K1A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK4K1A60F、S4x 0.8300
RFQ
 ECAD 8560 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-220-3フルパック TK4K1A60 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 2a（ta） 10V 4.1OHM @ 1A 、10V 4V @ 190µA 8 NC @ 10 V ±30V 270 pf @ 300 v - 30W （TC）
TK22A65X,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK22A65X、S5x 3.8400
RFQ
 ECAD 188 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-220-3フルパック TK22A65 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 650 V 22a（ta） 10V 150mohm @ 11a 、10V 3.5V @ 1.1MA 50 NC @ 10 V ±30V 2400 pf @ 300 v - 45W
TK380A65Y,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK380A65Y 、S4x 1.8300
RFQ
 ECAD 95 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-220-3フルパック TK380A65 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 650 V 9.7a（tc） 10V 380mohm @ 4.9a 、10V 4V @ 360µA 20 NC @ 10 V ±30V 590 pf @ 300 v - 30W （TC）
TPN5R203PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN5R203PL 、LQ 0.6400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERVDFN TPN5R203 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.1x3.1） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 38a（tc） 4.5V 、10V 5.2mohm @ 19a 、10V 2.1V @ 200µA 22 NC @ 10 V ±20V 1975 pf @ 15 v - 610MW
TK28N65W5,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK28N65W5、S1F 6.6700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-247-3 TK28N65 モスフェット（金属酸化物） TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 650 V 27.6a（ta） 10V 130mohm @ 13.8a 、10V 4.5V @ 1.6ma 90 NC @ 10 V ±30V 3000 pf @ 300 v - 230W
TPH1R405PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R405PL 、L1Q 1.5800
RFQ
 ECAD 9110 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERVDFN TPH1R405 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 45 v 120a（tc） 4.5V 、10V 1.4mohm @ 50a、10V 2.4V @ 500µA 74 NC @ 10 V ±20V 6300 PF @ 22.5 v - 960MW
TPWR6003PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPWR6003PL 、L1Q 3.0600
RFQ
 ECAD 458 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERWDFN TPWR6003 モスフェット（金属酸化物） 8-DSOP Advance ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 30 V 150a 4.5V 、10V 0.6mohm @ 50a 、10V 2.1V @ 1MA 110 NC @ 10 V ±20V 10000 PF @ 15 V - 960MW
TPH3R70APL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R70APL 、L1Q 1.6400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERVDFN TPH3R70 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 100 V 90a 4.5V 、10V 3.7mohm @ 45a 、10V 2.5V @ 1MA 67 NC @ 10 V ±20V 6300 PF @ 50 V - 960MW
TPH1R306PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R306PL 、L1Q 2.0800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERVDFN TPH1R306 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 60 V 100a（tc） 4.5V 、10V 1.34mohm @ 50a 、10V 2.5V @ 1MA 91 NC @ 10 V ±20V 8100 PF @ 30 V - 960MW
TK10A50W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK10A50W、S5X 1.9200
RFQ
 ECAD 144 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-220-3フルパック TK10A50 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 500 V 9.7a（ta） 10V 380mohm @ 4.9a 、10V 3.7V @ 500µA 20 NC @ 10 V ±30V 700 pf @ 300 v - 30W （TC）
TK28V65W5,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK28V65W5 5.5700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 4-VSFN露出パッド TK28V65 モスフェット（金属酸化物） 4-dfn-ep（8x8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 650 V 27.6a（ta） 10V 140mohm @ 13.8a 、10V 4.5V @ 1.6ma 90 NC @ 10 V ±30V 3000 pf @ 300 v - 240W
XPH6R30ANB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPH6R30ANB 、L1XHQ 1.8400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-SOIC （0.197 "、幅5.00mm） XPH6R30 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） - 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 100 V 45a（ta） 6V 、10V 6.3mohm @ 22.5a 、10V 3.5V @ 500µA 52 NC @ 10 V ±20V 3240 PF @ 10 V - 960MW
TDTC124E,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTC124E、LM 0.1800
RFQ
 ECAD 4840 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 TDTC124 320 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 500µA 、10mA 49 @ 5MA 、5V 250 MHz 22 Kohms
TW030Z120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW030Z120C、S1F 30.4100
RFQ
 ECAD 120 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 175°C 穴を通して TO-247-4 sic （シリコンカーバイドジャンクショントランジスタ） TO-247-4L - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 1200 v 60a（tc） 18V 41mohm @ 30a、18V 5V @ 13MA 82 NC @ 18 V +25V、-10V 2925 PF @ 800 V - 249W
SSM3K35MFV(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K35MFV -
RFQ
 ECAD 8872 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-723 SSM3K35 モスフェット（金属酸化物） vesm ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 nチャネル 20 v 180ma（ta） 1.2V 、4V 3OHM @ 50MA 、4V 1V @ 1MA ±10V 9.5 PF @ 3 V - 150MW
TK40E10N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK40E10N1、S1x 1.9900
RFQ
 ECAD 3520 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 TK40E10 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 100 V 90a 10V 8.2mohm @ 20a 、10V 4V @ 500µA 49 NC @ 10 V ±20V 3000 pf @ 50 V - 126W
SSM3J307T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J307T （TE85L -
RFQ
 ECAD 9193 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosv テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 SSM3J307 モスフェット（金属酸化物） TSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 20 v 5a（ta） 1.5V 、4.5V 31mohm @ 4a 、4.5V 1V @ 1MA 19 NC @ 4.5 v ±8V 1170 PF @ 10 V - 700MW
2SA1931,NSEIKIQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1931 -
RFQ
 ECAD 5094 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SA1931 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 50 v 5 a 1µa（icbo） PNP 400mv @ 200ma 、2a 100 @ 1a、1V 60MHz
TPC8134,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8134 0.7300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） TPC8134 モスフェット（金属酸化物） 8ソップ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 pチャネル 40 v 5a（ta） 4.5V 、10V 52mohm @ 2.5a 、10V 2V @ 100µA 20 NC @ 10 V +20V、-25V 890 PF @ 10 V - 1W
TPHR9203PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPHR9203PL 、L1Q 1.6300
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPHR9203 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 30 V 150a 4.5V 、10V 2.1V @ 500µA 80 NC @ 10 V ±20V 7540 PF @ 15 V - 132W
SSM3K7002KFU,LXH Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K7002KFU 、LXH 0.4000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SC-70、SOT-323 モスフェット（金属酸化物） USM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 60 V 400ma（ta） 4.5V 、10V 1.5OHM @ 100MA 、10V 2.1V @ 250µA 0.6 NC @ 4.5 v ±20V 40 pf @ 10 v - 150MW
SSM6N62TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N62TU 、LXHF 0.4600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6N62 モスフェット（金属酸化物） 500MW UF6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 20V 800ma（ta） 85mohm @ 800ma 、4.5v 1V @ 1MA 2NC @ 4.5V 177pf @ 10V ロジックレベルゲート、1.2Vドライブ
SSM6K781G,LF Toshiba Semiconductor and Storage ssm6k781g、lf 0.5100
RFQ
 ECAD 850 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 6-ufbga、wlcsp SSM6K781 モスフェット（金属酸化物） 6-wcspc（1.5x1.0 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 12 v 7a（ta） 1.5V 、4.5V 18mohm @ 1.5a 、4.5V 1V @ 250µA 5.4 NC @ 4.5 v ±8V 600 pf @ 6 v - 1.6W
2SK2145-BL(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2145-BL （TE85L f 0.6800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント SC-74A 、SOT-753 2SK2145 300 MW SMV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 13pf @ 10V 6 ma @ 10 v 200 mV @ 100 Na
2SK2989,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2989 -
RFQ
 ECAD 7347 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 穴を通して TO-226-3 2SK2989 to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 1 5a（tj）
SSM6J503NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J503NU 、LF 0.4600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 6-wdfn露出パッド SSM6J503 モスフェット（金属酸化物） 6-udfnb （2x2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 20 v 6a（ta） 1.5V 、4.5V 32.4mohm @ 3a 、4.5V 1V @ 1MA 12.8 NC @ 10 V ±8V 840 PF @ 10 V - 1W
XPW6R30ANB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPW6R30ANB 、L1XHQ 1.9800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERVDFN XPW6R30 モスフェット（金属酸化物） 8-DSOP Advance ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 100 V 45a（ta） 6V 、10V 6.3mohm @ 22.5a 、10V 3.5V @ 500µA 52 NC @ 10 V ±20V 3240 PF @ 10 V - 960MW
TPCP8203(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8203 -
RFQ
 ECAD 5326 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SMD 、フラットリード TPCP8203 モスフェット（金属酸化物） 360MW PS-8（2.9x2.4） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 40V 4.7a - 2.5V @ 1MA - - -
  • Daily average RFQ Volume

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    標準製品ユニット

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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