画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 電圧 -定格 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | 頻度 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | フェットタイプ | 現在の評価( amp) | 現在 -テスト | 電力 -出力 | 得 | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | ノイズ図 | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 電圧 -テスト | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 抵抗 -ベース(r1) | 抵抗 -エミッターベース(r2) | ノイズフィギュア(DBタイプ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RN2107MFV 、L3F | - | ![]() | 3225 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | SOT-723 | RN2107 | 150 MW | vesm | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | pnp-前バイアス | 300MV @ 250µA 、5MA | 80 @ 10ma 、5v | 10 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | TPN30008NH lq | 0.9000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | u-mosviii-h | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-POWERVDFN | TPN30008 | モスフェット(金属酸化物) | 8-TSON ADVANCE (3.3x3.3) | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 80 v | 9.6a(tc) | 10V | 30mohm @ 4.8a 、10V | 4V @ 100µA | 11 NC @ 10 V | ±20V | 920 pf @ 40 v | - | 700MW | |||||||||||||||||||||
![]() | TPC8134 | 0.7300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | u-mosvi | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | TPC8134 | モスフェット(金属酸化物) | 8ソップ | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | pチャネル | 40 v | 5a(ta) | 4.5V 、10V | 52mohm @ 2.5a 、10V | 2V @ 100µA | 20 NC @ 10 V | +20V、-25V | 890 PF @ 10 V | - | 1W | |||||||||||||||||||||
![]() | 3SK291 | - | ![]() | 4341 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 12.5 v | 表面マウント | SC-61AA | 3SK291 | 800MHz | モスフェット | SMQ | - | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | nチャネルデュアルゲート | 30ma | 10 Ma | - | 22.5dB | 2.5dB | 6 v | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SSM3J372R 、LF | 0.4400 | ![]() | 334 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | u-mosvi | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C | 表面マウント | SOT-23-3フラットリード | SSM3J372 | モスフェット(金属酸化物) | SOT-23F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 30 V | 6a(ta) | 1.8V 、10V | 42mohm @ 5a、10V | 1.2V @ 1MA | 8.2 NC @ 4.5 v | +12V、-6V | 560 PF @ 15 V | - | 1W | |||||||||||||||||||||
![]() | RN2902 、LF | - | ![]() | 7224 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 | RN2902 | 200mw | US6 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | 500na | 2 pnp- バイアス(デュアル) | 300MV @ 250µA 、5MA | 50 @ 10ma 、5v | 200MHz | 10kohms | 10kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | TK380P65Y 、RQ | 1.7300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | DTMOSV | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | to-252-3 | TK380P65 | モスフェット(金属酸化物) | dpak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | nチャネル | 650 V | 9.7a(tc) | 10V | 380mohm @ 4.9a 、10V | 4V @ 360µA | 20 NC @ 10 V | ±30V | 590 pf @ 300 v | - | 80W | |||||||||||||||||||||
![]() | RN1101 | 0.3300 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | RN1101 | 100 MW | SSM | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | npn-バイアス化 | 300MV @ 250µA 、5MA | 30 @ 10ma 、5v | 250 MHz | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | TPCC8A01-H (TE12LQM | - | ![]() | 4142 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | u-mosv-h | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | TPCC8A01 | モスフェット(金属酸化物) | 8-TSON ADVANCE (3.3x3.3) | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 30 V | 21a(ta) | 4.5V 、10V | 9.9mohm @ 10.5a 、10V | 2.3V @ 1MA | 20 NC @ 10 V | ±20V | 1900 pf @ 10 v | - | 700MW | ||||||||||||||||||||||
![]() | TPCA8A02-H (TE12LQM | - | ![]() | 8734 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | u-mosv-h | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-POWERVDFN | TPCA8A02 | モスフェット(金属酸化物) | 8 ソップアドバンス(5x5) | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 30 V | 34a(ta) | 4.5V 、10V | 5.3mohm @ 17a 、10V | 2.3V @ 1MA | 36 NC @ 10 V | ±20V | 3430 PF @ 10 V | - | 1.6W | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK3700 | 2.5200 | ![]() | 100 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-3p-3、SC-65-3 | 2SK3700 | モスフェット(金属酸化物) | to-3p | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 900 V | 5a(ta) | 2.5OHM @ 3A 、10V | 4V @ 1MA | 28 NC @ 10 V | 1150 PF @ 25 V | - | 150W | |||||||||||||||||||||||
![]() | RFM04U6P (TE12L | 1.5493 | ![]() | 7126 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 16 v | 表面マウント | TO-243AA | RFM04U6 | 470MHz | モスフェット | pw-mini | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 2a | 500 Ma | 4.3W | 13.3db | - | 6 v | ||||||||||||||||||||||||
![]() | rn4906、lf | 0.2800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 | RN4906 | 200mw | US6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | 500na | 1 npn、1 pnp- バイアス前(デュアル) | 300MV @ 250µA 、5MA | 80 @ 10ma 、5v | 200MHz | 4.7kohms | 47kohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | ssm6k781g、lf | 0.5100 | ![]() | 850 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | u-mosvii-h | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 6-ufbga、wlcsp | SSM6K781 | モスフェット(金属酸化物) | 6-wcspc(1.5x1.0 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 12 v | 7a(ta) | 1.5V 、4.5V | 18mohm @ 1.5a 、4.5V | 1V @ 250µA | 5.4 NC @ 4.5 v | ±8V | 600 pf @ 6 v | - | 1.6W | |||||||||||||||||||||
TPCA8009-H (TE12L、Q | - | ![]() | 7100 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-POWERVDFN | TPCA8009 | モスフェット(金属酸化物) | 8 ソップアドバンス(5x5) | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 150 v | 7a(ta) | 10V | 350mohm @ 3.5a 、10V | 4V @ 1MA | 10 NC @ 10 V | ±20V | 600 PF @ 10 V | - | 1.6W | |||||||||||||||||||||||
![]() | RN1306 、LXHF | 0.3900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | RN1306 | 100 MW | SC-70 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | npn-バイアス化 | 300MV @ 250µA 、5MA | 80 @ 10ma 、5v | 200 MHz | 4.7 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2sc5065-y(te85l | 0.4100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 125°C (TJ) | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | 2SC5065 | 100MW | SC-70 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 12db〜17db | 12V | 30ma | npn | 120 @ 10MA 、5V | 7GHz | 1.1DB @ 1GHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | TPC8207 | - | ![]() | 8561 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-SOIC (0.173 "、幅4.40mm) | TPC8207 | モスフェット(金属酸化物) | 450MW | 8 ソップ(5.5x6.0 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 nチャンネル(デュアル) | 20V | 6a | 20mohm @ 4.8a 、4v | 1.2V @ 200µA | 22NC @ 5V | 2010pf @ 10V | ロジックレベルゲート | ||||||||||||||||||||||||
![]() | TK290A60Y 、S4x | 1.7600 | ![]() | 4892 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | DTMOSV | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3フルパック | TK290A60 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220SIS | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 600 V | 11.5a | 10V | 290mohm @ 5.8a 、10V | 4V @ 450µA | 25 NC @ 10 V | ±30V | 730 pf @ 300 v | - | 35W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | TK290A65Y 、S4x | 1.9600 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | DTMOSV | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3フルパック | TK290A65 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220SIS | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 650 V | 11.5a | 10V | 290mohm @ 5.8a 、10V | 4V @ 450µA | 25 NC @ 10 V | ±30V | 730 pf @ 300 v | - | 35W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | SSM3K344R 、LF | 0.4400 | ![]() | 32 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | u-mosvii-h | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOT-23-3フラットリード | SSM3K344 | モスフェット(金属酸化物) | SOT-23F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 20 v | 3a(ta) | 1.5V 、4.5V | 71mohm @ 3a 、4.5V | 1V @ 1MA | 2 NC @ 4 V | ±8V | 153 PF @ 10 V | - | 1W | |||||||||||||||||||||
![]() | SSM3K35AFS 、LF | 0.2500 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | u-mosiii | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | SSM3K35 | モスフェット(金属酸化物) | SSM | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | nチャネル | 20 v | 250ma(ta) | 1.2V 、4.5V | 1.1OHM @ 150MA 、4.5V | 1V @ 100µA | 0.34 NC @ 4.5 v | ±10V | 36 pf @ 10 v | - | 500MW | |||||||||||||||||||||
![]() | SSM6J801R 、LF | 0.4300 | ![]() | 124 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | u-mosvi | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 6-SMD 、フラットリード | SSM6J801 | モスフェット(金属酸化物) | 6-tsop-f | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 20 v | 6a(ta) | 1.5V 、4.5V | 32.5mohm @ 3a 、4.5V | 1V @ 1MA | 12.8 NC @ 4.5 v | +6V、 -8V | 840 PF @ 10 V | - | 1.5W | |||||||||||||||||||||
![]() | TK14G65W、RQ | 2.4800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | dtmosiv | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-263-3 | TK14G65 | モスフェット(金属酸化物) | d2pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 650 V | 13.7a | 10V | 250mohm @ 6.9a 、10V | 3.5V @ 690µA | 35 NC @ 10 V | ±30V | 1300 pf @ 300 v | - | 130W | |||||||||||||||||||||
![]() | TK14G65W5、RQ | 1.5362 | ![]() | 7882 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | dtmosiv | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-263-3 | TK14G65 | モスフェット(金属酸化物) | d2pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 650 V | 13.7a | 10V | 300mohm @ 6.9a 、10V | 4.5V @ 690µA | 40 NC @ 10 V | ±30V | 1300 pf @ 300 v | - | 130W | |||||||||||||||||||||
![]() | TK25E60X、S1x | 4.4100 | ![]() | 13 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | dtmosiv-h | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | TK25E60 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 600 V | 25a(ta) | 10V | 125mohm @ 7.5a 、10V | 3.5V @ 1.2MA | 40 NC @ 10 V | ±30V | 2400 pf @ 300 v | - | 180W | |||||||||||||||||||||
![]() | TK28N65W、S1F | 6.3000 | ![]() | 30 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | dtmosiv | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-247-3 | TK28N65 | モスフェット(金属酸化物) | TO-247 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | nチャネル | 650 V | 27.6a(ta) | 10V | 110mohm @ 13.8a 、10V | 3.5V @ 1.6ma | 75 NC @ 10 V | ±30V | 3000 pf @ 300 v | - | 230W | |||||||||||||||||||||
![]() | TK25A60X5 | 4.6100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | dtmosiv-h | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3フルパック | TK25A60 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220SIS | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 600 V | 25a(ta) | 10V | 140mohm @ 7.5a 、10V | 4.5V @ 1.2MA | 60 NC @ 10 V | ±30V | 2400 pf @ 300 v | - | 45W | |||||||||||||||||||||
![]() | SSM3J338R 、LF | 0.3700 | ![]() | 121 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | u-mosvii | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOT-23-3フラットリード | SSM3J338 | モスフェット(金属酸化物) | SOT-23F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 12 v | 6a(ta) | 1.8V 、8V | 17.6mohm @ 6a 、8v | 1V @ 1MA | 19.5 NC @ 4.5 v | ±10V | 1400 pf @ 6 v | - | 1W | |||||||||||||||||||||
![]() | ssm3k72ctc、l3f | 0.3000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | u-mosvii-h | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-101 、SOT-883 | SSM3K72 | モスフェット(金属酸化物) | CST3C | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 10,000 | nチャネル | 60 V | 150ma(ta) | 4.5V 、10V | 3.9OHM @ 100MA 、10V | 2.1V @ 250µA | 0.35 NC @ 4.5 V | ±20V | 17 pf @ 10 v | - | 500MW |
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