SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 電源( VDSS )への排水 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C ドライブ電圧(最大rds onmin rds on rds on max) @ id vgs vgs ゲートチャージ( QG VGS (最大) ciss )( max @ vds フェット機能 電力散逸(最大) 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) 現在 -コレクター(IC )(最大) 電圧 -破壊( V 現在の - ドレイン(IDSS @ vds(vgs = 0) 電圧-Cutoff( VGSオフ) @ id 現在 -コレクターカットオフ(最大) トランジスタタイプ vce 飽和(max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース(r1) 抵抗 -エミッターベース(r2) 電流排水( id) -最大
2SK208-GR(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK208-GR (TE85L 0.4900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 125°C (TJ) 表面マウント TO-236-3 2SK208 100 MW SC-59 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 8.2pf @ 10V 50 v 2.6 mA @ 10 v 400 mV @ 100 na 6.5 Ma
2SK208-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK208-O (TE85L 0.4900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 125°C (TJ) 表面マウント TO-236-3 2SK208 100 MW SC-59 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 8.2pf @ 10V 50 v 600 µA @ 10 V 400 mV @ 100 na 6.5 Ma
2SK209-BL(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK209-BL (TE85L 0.4400
RFQ
ECAD 1670 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 125°C (TJ) 表面マウント TO-236-3 2SK209 150 MW SC-59 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 13pf @ 10V 50 v 14 mA @ 10 v 1.5 V @ 100 Na 14 Ma
2SK209-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK209-Y (TE85L 0.4700
RFQ
ECAD 19 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 125°C (TJ) 表面マウント TO-236-3 2SK209 150 MW SC-59 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 13pf @ 10V 50 v 14 mA @ 10 v 1.5 V @ 100 Na 14 Ma
RN1602(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1602 (TE85L 0.3800
RFQ
ECAD 75 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SC-74、SOT-457 RN1602 300MW SM6 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na(icbo) 2 npn- バイアス(デュアル) 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 250MHz 10kohms 10kohms
RN1962FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn1962fe 0.1500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN1962 100MW ES6 ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na(icbo) 2 npn- バイアス(デュアル) 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 250MHz 10kohms 10kohms
RN1964FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn1964fe 0.1000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN1964 100MW ES6 ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na(icbo) 2 npn- バイアス(デュアル) 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 47kohms 47kohms
RN4985,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4985 0.2700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4985 200mw US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100µa(icbo) 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前(デュアル) 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 、200MHz 2.2kohms 47kohms
SSM3J16CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage ssm3j16ct(tpl3) -
RFQ
ECAD 2106 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvi テープ&リール( tr) アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント SC-101 、SOT-883 SSM3J16 モスフェット(金属酸化物) CST3 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 10,000 pチャネル 20 v 100ma(ta) 1.5V 、4V 8OHM @ 10MA 、4V 1.1V @ 100µA ±10V 11 pf @ 3 v - 100MW
SSM3J56MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J56MFV、L3F 0.4500
RFQ
ECAD 490 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ&リール( tr) アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント SOT-723 SSM3J56 モスフェット(金属酸化物) vesm ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 8,000 pチャネル 20 v 800ma(ta) 1.2V 、4.5V 390mohm @ 800ma 、4.5v - ±8V 100 pf @ 10 v - 150MW
SSM3K302T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K302T (TE85L -
RFQ
ECAD 9175 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 廃止 150°C (TJ) 表面マウント TO-236-3 SSM3K302 モスフェット(金属酸化物) TSM ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 30 V 3a(ta) 1.8V 、4V 71mohm @ 2a 、4v - 4.3 NC @ 4 V ±12V 270 pf @ 10 v - 700MW
SSM5N15FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM5N15FU 、LF 0.4300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvi テープ&リール( tr) アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント 5-TSSOP 、SC-70-5 、SOT-353 SSM5N15 モスフェット(金属酸化物) 5スソップ ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 30 V 100ma(ta) 2.5V 、4V 4OHM @ 10MA 、4V - ±20V 7.8 PF @ 3 V - 200MW
2SC2712-OTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2712-TOTE85LF 0.2000
RFQ
ECAD 23 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 125°C (TJ) 表面マウント TO-236-3 2SC2712 150 MW TO-236 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 Ma 100na(icbo) npn 250MV @ 10MA 、100mA 70 @ 2MA 、6V 80MHz
2SC4116-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2sc4116-bl、lf 0.1800
RFQ
ECAD 982 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 125°C (TJ) 表面マウント SC-70、SOT-323 2SC4116 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 Ma 100na(icbo) npn 250MV @ 10MA 、100mA 350 @ 2MA 、6V 80MHz
2SJ168TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ168TE85LF 0.9000
RFQ
ECAD 17 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント TO-236-3 2SJ168 モスフェット(金属酸化物) SC-59 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 60 V 200ma(ta) 10V 2OHM @ 50MA 、10V - ±20V 85 pf @ 10 v - 200MW
2SK2034TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2034TE85LF -
RFQ
ECAD 5859 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 廃止 150°C (TJ) 表面マウント SC-70、SOT-323 2SK2034 モスフェット(金属酸化物) SC-70 - 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 20 v 100ma(ta) 2.5V 12OHM @ 10MA 、2.5V - 10V 8.5 PF @ 3 V - 100MW
2SK880GRTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SK880GRTE85LF 0.5900
RFQ
ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 125°C (TJ) 表面マウント SC-70、SOT-323 2SK880 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 13pf @ 10V 50 v 2.6 mA @ 10 v 1.5 V @ 100 Na
RN1605TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1605TE85LF 0.3500
RFQ
ECAD 79 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SC-74、SOT-457 RN1605 300MW SM6 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na(icbo) 2 npn- バイアス(デュアル) 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 2.2kohms 47kohms
SSM6L09FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L09FUTE85LF 0.4900
RFQ
ECAD 17 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 新しいデザインではありません 150°C (TJ) 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 SSM6L09 モスフェット(金属酸化物) 300MW US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 nおよびpチャネル 30V 400MA 、200mA 700mohm @ 200ma 、10V 1.8V @ 100µA - 20pf @ 5V ロジックレベルゲート
2SA1832-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1832-Y 、LF 0.2000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 125°C (TJ) 表面マウント SC-75、SOT-416 2SA1832 100 MW SSM ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 Ma 100na(icbo) PNP 300MV @ 10MA 、100mA 120 @ 2MA 、6V 80MHz
TK20V60W,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK20V60W 、LVQ 2.8963
RFQ
ECAD 5645 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv テープ&リール( tr) アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント 4-VSFN露出パッド TK20V60 モスフェット(金属酸化物) 4-dfn-ep(8x8) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 600 V 20a(ta) 10V 170mohm @ 10a 、10V 3.7V @ 1MA 48 NC @ 10 V ±30V 1680 pf @ 300 v - 156W
TK20E60W,S1VX Toshiba Semiconductor and Storage TK20E60W、S1VX 5.3700
RFQ
ECAD 1878年年 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C (TJ) 穴を通して TO-220-3 TK20E60 モスフェット(金属酸化物) TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 20a(ta) 10V 155mohm @ 10a 、10V 3.7V @ 1MA 48 NC @ 10 V ±30V 1680 pf @ 300 v - 165W
TK7Q60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK7Q60W、S1VQ 2.1200
RFQ
ECAD 4963 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C (TJ) 穴を通して TO-251-3 スタブリード、IPAK TK7Q60 モスフェット(金属酸化物) i-pak ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 75 nチャネル 600 V 7a(ta) 10V 600mohm @ 3.5a 、10V 3.7V @ 350µA 15 NC @ 10 V ±30V 490 PF @ 300 v - 60W (TC)
2SA1588-O,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1588-O 、LF 0.0478
RFQ
ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 125°C (TJ) 表面マウント SC-70、SOT-323 2SA1588 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0075 3,000 30 V 500 Ma 100na(icbo) PNP 250MV @ 10MA 、100mA 70 @ 100MA、1V 200MHz
HN2C01FU-GR(T5L,F) Toshiba Semiconductor and Storage hn2c01fu-gr 0.0865
RFQ
ECAD 5142 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 125°C (TJ) 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 HN2C01 200mw US6 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 50V 150ma 100na(icbo) 2 NPN (デュアル) 250MV @ 10MA 、100mA 200 @ 2MA 、6V 80MHz
RN1503(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1503 0.4500
RFQ
ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - カットテープ(CT) アクティブ 表面マウント SC-74A 、SOT-753 RN1503 300MW SMV ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na(icbo) 2 npn- バイアス(デュアル)(エミッタ結合) 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 250MHz 22kohms 22kohms
RN1704JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn1704je 0.4700
RFQ
ECAD 116 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SOT-553 RN1704 100MW ESV ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na(icbo) 2 npn- バイアス(デュアル)(エミッタ結合) 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 47kohms 47kohms
RN2709JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn2709je(TE85L 0.4700
RFQ
ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SOT-553 RN2709 100MW ESV ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na(icbo) 2 pnp- バ​​イアス(デュアル)(エミッタ結合) 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 200MHz 47kohms 22kohms
RN2510(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2510 0.4700
RFQ
ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SC-74A 、SOT-753 RN2510 300MW SMV ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na(icbo) 2 pnp- バ​​イアス(デュアル)(エミッタ結合) 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200MHz 4.7kohms -
RN1601(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1601 0.4700
RFQ
ECAD 6159 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SC-74、SOT-457 RN1601 300MW SM6 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na(icbo) 2 npn- バイアス(デュアル) 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 250MHz 4.7kohms 4.7kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫