SIC
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トランジスタ（2488）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
SSM3K123TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K123TU 、LF 0.4900
RFQ
 ECAD 397 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiii テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 3-SMD 、フラットリード SSM3K123 モスフェット（金属酸化物） UFM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 20 v 4.2a（ta） 1.5V 、4V 28mohm @ 3a 、4V 1V @ 1MA 13.6 NC @ 4 V ±10V 1010 pf @ 10 v - 500MW
SSM3K7002BSU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K7002BSU 、LF -
RFQ
 ECAD 7505 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました 150°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 SSM3K7002 モスフェット（金属酸化物） USM ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 60 V 200ma（ta） 4.5V 、10V 2.1OHM @ 500MA 、10V 3.1V @ 250µA ±20V 17 pf @ 25 v - 150MW
SSM3K337R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K337R 、LF 0.4600
RFQ
 ECAD 8818 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-23-3フラットリード SSM3K337 モスフェット（金属酸化物） SOT-23F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 38 v 2a（ta） 4V 、10V 150mohm @ 2a 、10V 1.7V @ 1MA 3 NC @ 10 V ±20V 120 PF @ 10 V - 1W
RN1902,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1902 0.3500
RFQ
 ECAD 3188 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN1902 200mw US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 250MHz 10kohms 10kohms
RN2902FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn2902fe 0.2600
RFQ
 ECAD 9652 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN2902 200mw ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 200MHz 10kohms 10kohms
RN2906,LF Toshiba Semiconductor and Storage rn2906 lf 0.2800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN2906 200mw US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 4.7kohms 47kohms
TPN11006NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN11006NL 、LQ 0.9400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPN11006 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.1x3.1） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 60 V 17a（tc） 4.5V 、10V 11.4mohm @ 8.5a 、10V 2.5V @ 200µA 23 NC @ 10 V ±20V 2000 PF @ 30 V - 700MW
TPCP8901(TE85L,F,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8901 -
RFQ
 ECAD 7302 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SMD 、フラットリード TPCP8901 1.48W PS-8 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） TPCP8901（TE85LFM ear99 8541.29.0075 3,000 50V 1a 、800ma 100na（icbo） NPN、PNP 170MV @ 6MA、300MA / 200mV @ 10MA、300MA 400 @ 100MA 、2V / 200 @ 100MA 、2V -
TPH4R10ANL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R10ANL 、L1Q 1.6500
RFQ
 ECAD 7346 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 8-POWERVDFN TPH4R10 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 100 V 92a 4.5V 、10V 4.1mohm @ 35a 、10V 2.5V @ 1MA 75 NC @ 10 V ±20V 6300 PF @ 50 V - 2.5W
RN1113MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage rn1113mfv、l3f 0.1800
RFQ
 ECAD 7550 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN1113 150 MW vesm ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300mv @ 500µa 、5ma 120 @ 1MA 、5V 47 Kohms
RN1118MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage rn1118mfv、l3f 0.1800
RFQ
 ECAD 6563 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN1118 150 MW vesm ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 8,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 250 MHz 47 Kohms 10 Kohms
RN1119MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage rn1119mfv、l3f 0.1800
RFQ
 ECAD 6434 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN1119 150 MW vesm ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300mv @ 500µa 、5ma 120 @ 1MA 、5V 1 KOHMS
RN1404,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1404 、LF 0.2200
RFQ
 ECAD 5315 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN1404 200 MW s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250 MHz 47 Kohms 47 Kohms
RN2105MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2105MFV、L3F -
RFQ
 ECAD 8823 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN2105 150 MW vesm ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） RN2105MFVL3F ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） pnp-前バイアス 300mv @ 500µa 、5ma 80 @ 10ma 、5v 2.2 KOHMS 47 Kohms
RN2405,LF Toshiba Semiconductor and Storage rn2405、lf 0.2200
RFQ
 ECAD 1371 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN2405 200 MW s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200 MHz 2.2 KOHMS 47 Kohms
SSM3J35CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J35CT 、L3F 0.3400
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SC-101 、SOT-883 SSM3J35 モスフェット（金属酸化物） CST3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 pチャネル 20 v 100ma（ta） 1.2V 、4V 8OHM @ 50MA 、4V 1V @ 1MA ±10V 12.2 pf @ 3 v - 100MW
SSM3K16CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage ssm3k16ctc、l3f 0.3200
RFQ
 ECAD 4158 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SC-101 、SOT-883 SSM3K16 モスフェット（金属酸化物） CST3C ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 nチャネル 20 v 200ma（ta） 1.5V 、4.5V 2.2OHM @ 100MA 、4.5V 1V @ 1MA ±10V 12 pf @ 10 v - 500MW
SSM3K347R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K347R 、LF 0.4700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SOT-23-3フラットリード SSM3K347 モスフェット（金属酸化物） SOT-23F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 38 v 2a（ta） 4V 、10V 340mohm @ 1a 、10V 2.4V @ 1MA 2.5 NC @ 10 V ±20V 86 PF @ 10 V - 2W （TA）
SSM3K361TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K361TU 、LF 0.4700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 3-SMD 、フラットリード SSM3K361 モスフェット（金属酸化物） UFM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 100 V 3.5a（ta） 4.5V 、10V 69mohm @ 2a 、10V 2.5V @ 100µA 3.2 NC @ 4.5 v ±20V 430 PF @ 15 V - 1W
SSM3K72KFS,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K72KFS 、LF 0.2100
RFQ
 ECAD 162 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SC-75、SOT-416 SSM3K72 モスフェット（金属酸化物） SSM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 60 V 300ma（ta） 4.5V 、10V 1.5OHM @ 100MA 、10V 2.1V @ 250µA 0.6 NC @ 4.5 v ±20V 40 pf @ 10 v - 150MW
SSM3J352F,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J352F 、LF 0.4900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント TO-236-3 SSM3J352 モスフェット（金属酸化物） s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 20 v 2a（ta） 1.8V 、10V 110mohm @ 2a 、10V 1.2V @ 1MA 5.1 NC @ 4.5 v ±12V 210 PF @ 10 V - 1.2W
SSM3J143TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J143TU 、LF 0.4500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 3-SMD 、フラットリード SSM3J143 モスフェット（金属酸化物） UFM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 20 v 5.5a（ta） 1.5V 、4.5V 29.8mohm @ 3a 、4.5V 1V @ 1MA 12.8 NC @ 4.5 v +6V、 -8V 840 PF @ 10 V - 500MW
SSM3J371R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J371R 、LF 0.4700
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SOT-23-3フラットリード SSM3J371 モスフェット（金属酸化物） SOT-23F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 20 v 4a（ta） 1.5V 、4.5V 55mohm @ 3a 、4.5V 1V @ 1MA 10.4 NC @ 4.5 v +6V、 -8V 630 PF @ 10 V - 1W
SSM3J64CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J64CTC、L3F 0.3900
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SC-101 、SOT-883 SSM3J64 モスフェット（金属酸化物） CST3C ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 pチャネル 12 v 1a（ta） 1.2V 、4.5V 370mohm @ 600ma 、4.5V 1V @ 1MA ±10V 50 pf @ 10 v - 500MW
TK2P60D(TE16L1,NV) Toshiba Semiconductor and Storage TK2P60D （TE16L1 -
RFQ
 ECAD 2534 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント to-252-3 TK2P60 モスフェット（金属酸化物） pw-mold ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） TK2P60D （TE16L1NV ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 600 V 2a（ta） 10V 4.3OHM @ 1A 、10V 4.4V @ 1MA 7 NC @ 10 V ±30V 280 pf @ 25 v - 60W （TC）
SSM6N68NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N68NU 、LF 0.4600
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-wdfn露出パッド SSM6N68 モスフェット（金属酸化物） 2W （TA） 6-µDFN （2x2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 30V 4a（ta） 84mohm @ 2a 、4.5v 1V @ 1MA 1.8NC @ 4.5V 129pf @ 15V ロジックレベルゲート、 1.8Vドライブ
SSM3J36TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J36TU 、LF 0.3800
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 3-SMD 、フラットリード SSM3J36 モスフェット（金属酸化物） UFM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 20 v 330ma（ta） 1.5V 、4.5V 1.31OHM @ 100MA 、4.5V 1V @ 1MA 1.2 NC @ 4 V ±8V 43 PF @ 10 V - 800MW
SSM3K36TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K36TU 、LF 0.3600
RFQ
 ECAD 2021 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 3-SMD 、フラットリード SSM3K36 モスフェット（金属酸化物） UFM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 20 v 500ma（ta） 1.5V 、5V 630mohm @ 200ma 、5v 1V @ 1MA 1.23 NC @ 4 V ±10V 46 PF @ 10 V - 800MW
TDTC114E,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTC114E 、LM 0.1800
RFQ
 ECAD 5134 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 TDTC114 320 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 500µA 、10mA 30 @ 5MA 、5V 250 MHz 10 Kohms 10 Kohms
SSM6N36TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N36TU 、LF 0.3800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6N36 モスフェット（金属酸化物） 500MW UF6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 20V 500ma（ta） 630mohm @ 200ma 、5v 1V @ 1MA 1.23NC @ 4V 46pf @ 10V ロジックレベルゲート、1.5Vドライブ
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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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