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トランジスタ（2488）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ フェットタイプ テスト条件 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 逆回復時間（ trr） IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え TD （オン/オフ） @ 25°C 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
RN2906,LF Toshiba Semiconductor and Storage rn2906 lf 0.2800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN2906 200mw US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 4.7kohms 47kohms
RN1902,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1902 0.3500
RFQ
 ECAD 3188 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN1902 200mw US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 250MHz 10kohms 10kohms
RN2902FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn2902fe 0.2600
RFQ
 ECAD 9652 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN2902 200mw ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 200MHz 10kohms 10kohms
SSM3K337R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K337R 、LF 0.4600
RFQ
 ECAD 8818 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-23-3フラットリード SSM3K337 モスフェット（金属酸化物） SOT-23F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 38 v 2a（ta） 4V 、10V 150mohm @ 2a 、10V 1.7V @ 1MA 3 NC @ 10 V ±20V 120 PF @ 10 V - 1W
2SB906-Y(TE16L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage 2SB906-Y （TE16L1 、NQ 1.2100
RFQ
 ECAD 5609 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 2SB906 1 W pw-mold ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 60 V 3 a 100µa（icbo） PNP 1.7V @ 300MA、3a 100 @ 500MA 、5V 9MHz
2SJ304(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ304 -
RFQ
 ECAD 2391 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SJ304 モスフェット（金属酸化物） TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 pチャネル 60 V 14a（ta） 4V 、10V 120mohm @ 7a、10V 2V @ 1MA 45 NC @ 10 V ±20V 1200 pf @ 10 v - 40W （TC）
2SK1119(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK1119 -
RFQ
 ECAD 6890 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 2SK1119 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 1000 V 4a（ta） 10V 3.8OHM @ 2A 、10V 3.5V @ 1MA 60 NC @ 10 V ±20V 700 PF @ 25 V - 100W （TC）
2SK2507(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2507 -
RFQ
 ECAD 5339 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SK2507 モスフェット（金属酸化物） TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 50 v 25a（ta） 4V 、10V 46mohm @ 12a 、10V 2V @ 1MA 25 NC @ 10 V ±20V 900 PF @ 10 V - 30W （TC）
2SK2883(TE24L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2883 -
RFQ
 ECAD 9932 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 2SK2883 モスフェット（金属酸化物） TO-220SM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 800 V 3a（ta） 10V 3.6OHM @ 1.5A 、10V 4V @ 1MA 25 NC @ 10 V ±30V 750 PF @ 25 V - 75W
2SK3313(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3313 -
RFQ
 ECAD 1994年年 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SK3313 モスフェット（金属酸化物） TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 500 V 12a（ta） 10V 620mohm @ 6a 、10V 4V @ 1MA 45 NC @ 10 V ±30V 2040 PF @ 10 V - 40W （TC）
2SK3388(TE24L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3388 -
RFQ
 ECAD 7495 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント SC-97 2SK3388 モスフェット（金属酸化物） 4-TFP （9.2x9.2 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 1,500 nチャネル 250 v 20a（ta） 10V 105mohm @ 10a 、10V 3.5V @ 1MA 100 NC @ 10 V ±20V 4000 pf @ 10 V - 125W
2SK3403(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3403 -
RFQ
 ECAD 1637 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 、ショートタブ 2SK3403 モスフェット（金属酸化物） TO-220FL ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 450 v 13a（ta） 10V 400mohm @ 6a 、10V 5V @ 1MA 34 NC @ 10 V ±30V 1600 pf @ 25 v - 100W （TC）
GT10J312(Q) Toshiba Semiconductor and Storage GT10J312 -
RFQ
 ECAD 7639 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 GT10J312 標準 60 W TO-220SM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 300V 、10A 、100OHM15V 200 ns - 600 V 10 a 20 a 2.7V @ 15V 、10a - 400NS/400NS
GT30J121(Q) Toshiba Semiconductor and Storage GT30J121 3.3300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 GT30J121 標準 170 w to-3p ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 300V、30A 、24OHM15V - 600 V 30 a 60 a 2.45V @ 15V、30a 1mj （オン）、800µj 90ns/300ns
GT50J121(Q) Toshiba Semiconductor and Storage GT50J121 -
RFQ
 ECAD 6353 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して to-3pl GT50J121 標準 240 w to-3p - 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 100 300V、50A、13OHM、15V - 600 V 50 a 100 a 2.45V @ 15V 、50a 1.3mj（オン）、1.34MJ 90ns/300ns
TPCA8A04-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8A04-H （TE12L、Q -
RFQ
 ECAD 9760 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosv-h テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPCA8A04 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 44a（ta） 4.5V 、10V 3.2mohm @ 22a 、10V 2.3V @ 1MA 59 NC @ 10 V ±20V 5700 PF @ 10 V - -
TPCP8003-H(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8003-H （TE85L f -
RFQ
 ECAD 2466 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiii-h テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SMD 、フラットリード TPCP8003 モスフェット（金属酸化物） PS-8（2.9x2.4） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 100 V 2.2a（ta） 4.5V 、10V 180mohm @ 1.1a 、10V 2.3V @ 1MA 7.5 NC @ 10 V ±20V 360 PF @ 10 V - 840MW
TK10A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK10A60D -
RFQ
 ECAD 1128 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK10A60 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） TK10A60DSTA4QM ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 600 V 10a（ta） 10V 750mohm @ 5a 、10V 4V @ 1MA 25 NC @ 10 V ±30V 1350 PF @ 25 V - 45W
TPC8042(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8042 -
RFQ
 ECAD 6600 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiv テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SOIC （0.173 "、幅4.40mm） TPC8042 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップ（5.5x6.0 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 18a（ta） 4.5V 、10V 3.4mohm @ 9a、10v 2.5V @ 1MA 56 NC @ 10 V ±20V 2900 PF @ 10 V - 1W
TPC8048-H(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8048-H -
RFQ
 ECAD 7690 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi-h カットテープ（CT） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SOIC （0.173 "、幅4.40mm） TPC8048 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップ（5.5x6.0 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 60 V 16a（ta） 4.5V 、10V 6.9mohm @ 8a 、10v 2.3V @ 1MA 87 NC @ 10 V ±20V 7540 PF @ 10 V - 1W
2SK2719(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2719 -
RFQ
 ECAD 7516 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 2SK2719 モスフェット（金属酸化物） to-3p ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 900 V 3a（ta） 10V 4.3ohm @ 1.5a 、10V 4V @ 1MA 25 NC @ 10 V ±30V 750 PF @ 25 V - 125W
2SK3127(TE24L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3127 -
RFQ
 ECAD 2581 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 2SK3127 モスフェット（金属酸化物） TO-220SM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 45a（ta） 10V 12mohm @ 25a 、10V 3V @ 1MA 66 NC @ 10 V ±20V 2300 pf @ 10 v - 65W
2SK2376(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2376 -
RFQ
 ECAD 4520 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 、ショートタブ 2SK2376 モスフェット（金属酸化物） TO-220FL ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 60 V 45a（ta） 4V 、10V 17mohm @ 25a 、10V 2V @ 1MA 110 NC @ 10 V ±20V 3350 PF @ 10 V - 100W （TC）
TK15J60U(F) Toshiba Semiconductor and Storage TK15J60U -
RFQ
 ECAD 2207 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosii トレイ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 TK15J60 モスフェット（金属酸化物） to-3p ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 15a（ta） 10V 300mohm @ 7.5a 、10V 5V @ 1MA 17 NC @ 10 V ±30V 950 PF @ 10 V - 170W
TPC6104(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC6104 -
RFQ
 ECAD 7275 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiii テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 TPC6104 モスフェット（金属酸化物） vs-6（2.9x2.8 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 20 v 5.5a（ta） 1.8V 、4.5V 40mohm @ 2.8a 、4.5V 1.2V @ 200µA 19 NC @ 5 V ±8V 1430 pf @ 10 v - 700MW
TPC8018-H(TE12LQM) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8018-H （TE12LQM -
RFQ
 ECAD 5235 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SOIC （0.173 "、幅4.40mm） TPC8018 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップ（5.5x6.0 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 18a（ta） 4.5V 、10V 4.6mohm @ 9a、10V 2.3V @ 1MA 38 NC @ 10 V ±20V 2265 PF @ 10 V - 1W
TPC8022-H(TE12LQ,M Toshiba Semiconductor and Storage TPC8022-H （TE12LQ、M -
RFQ
 ECAD 4030 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SOIC （0.173 "、幅4.40mm） TPC8022 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップ（5.5x6.0 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 40 v 7.5a（ta） 4.5V 、10V 27mohm @ 3.8a 、10V 2.3V @ 1MA 11 NC @ 10 V ±20V 650 PF @ 10 V - 1W
TPC8032-H(TE12LQM) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8032-H （TE12LQM） -
RFQ
 ECAD 9260 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SOIC （0.173 "、幅4.40mm） TPC8032 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップ（5.5x6.0 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 15a（ta） 6.5mohm @ 7.5a 、10V 2.5V @ 1MA 33 NC @ 10 V 2846 PF @ 10 V - -
TPC8038-H(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8038-H （TE12L -
RFQ
 ECAD 2841 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosv-h テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SOIC （0.173 "、幅4.40mm） TPC8038 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップ（5.5x6.0 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 12a（ta） 11.4mohm @ 6a 、10V 2.5V @ 1MA 21 NC @ 10 V 2150 PF @ 10 V - -
TPC8113(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8113 -
RFQ
 ECAD 9646 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SOIC （0.173 "、幅4.40mm） TPC8113 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップ（5.5x6.0 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 30 V 11a（ta） 4V 、10V 10mohm @ 5.5a 、10V 2V @ 1MA 107 NC @ 10 V ±20V 4500 PF @ 10 V - 1W
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