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トランジスタ（2488）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移
TPCA8012-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8012-H （TE12LQM -
RFQ
 ECAD 9067 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPCA8012 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 40a（ta） 4.5V 、10V 4.9mohm @ 20a 、10V 2.5V @ 1MA 42 NC @ 10 V ±20V 3713 PF @ 10 V - -
TPCA8018-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8018-H （TE12LQM -
RFQ
 ECAD 8893 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPCA8018 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 30a（ta） 4.5V 、10V 6.2mohm @ 15a 、10V 2.5V @ 1MA 34 NC @ 10 V ±20V 2846 PF @ 10 V - 1.6W
TPCA8021-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8021-H （TE12LQM -
RFQ
 ECAD 9896 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPCA8021 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 27a（ta） 4.5V 、10V 9mohm @ 14a 、10V 2.3V @ 1MA 23 NC @ 10 V ±20V 1395 PF @ 10 V - 1.6W
TPCA8102(TE12L,Q,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8102（TE12L -
RFQ
 ECAD 9323 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPCA8102 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 30 V 40a（ta） 4V 、10V 6mohm @ 20a 、10V 2V @ 1MA 109 NC @ 10 V ±20V 4600 PF @ 10 V - 1.6W
TPC8212-H(TE12LQ,M Toshiba Semiconductor and Storage TPC8212-H -
RFQ
 ECAD 9667 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SOIC （0.173 "、幅4.40mm） TPC8212 モスフェット（金属酸化物） 450MW 8 ソップ（5.5x6.0 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 30V 6a 21mohm @ 3a 、10V 2.3V @ 1MA 16NC @ 10V 840pf @ 10V ロジックレベルゲート
SSM3K36FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K36FS 、LF 0.2900
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiii テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SC-75、SOT-416 SSM3K36 モスフェット（金属酸化物） SSM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 20 v 500ma（ta） 1.5V 、5V 630mohm @ 200ma 、5v 1V @ 1MA 1.23 NC @ 4 V ±10V 46 PF @ 10 V - 150MW
TK7P50D(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK7P50D （T6RSS-Q 1.4300
RFQ
 ECAD 9717 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK7P50 モスフェット（金属酸化物） d-pak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 500 V 7a（ta） 10V 1.22OHM @ 3.5a 、10V 4.4V @ 1MA 12 NC @ 10 V ±30V 600 PF @ 25 V - 100W （TC）
TK8A50DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK8A50DA 1.6000
RFQ
 ECAD 2557 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK8A50 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 500 V 7.5a（ta） 10V 1.04OHM @ 3.8A 、10V 4.4V @ 1MA 16 NC @ 10 V ±30V 700 PF @ 25 V - 35W （TC）
TK8S06K3L(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage TK8S06K3L 1.2600
RFQ
 ECAD 4739 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK8S06 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 60 V 8a（ta） 6V 、10V 54mohm @ 4a 、10V 3V @ 1MA 10 NC @ 10 V ±20V 400 pf @ 10 V - 25W （TC）
TK9A55DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK9A55DA 2.0200
RFQ
 ECAD 9871 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK9A55 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 550 V 8.5a（ta） 10V 860mohm @ 4.3a 、10V 4V @ 1MA 20 NC @ 10 V ±30V 1050 PF @ 25 V - 40W （TC）
TPC6009-H(TE85L,FM Toshiba Semiconductor and Storage TPC6009-H -
RFQ
 ECAD 2245 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi-h テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 TPC6009 モスフェット（金属酸化物） vs-6（2.9x2.8 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 40 v 5.3a（ta） 4.5V 、10V 81mohm @ 2.7a 、10V 2.3V @ 100µA 4.7 NC @ 10 V ±20V 290 PF @ 10 V - 700MW
TPC6010-H(TE85L,FM Toshiba Semiconductor and Storage TPC6010-H （TE85L 、FM -
RFQ
 ECAD 7814 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi-h テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 TPC6010 モスフェット（金属酸化物） vs-6（2.9x2.8 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 60 V 6.1a（ta） 4.5V 、10V 59mohm @ 3.1a 、10V 2.3V @ 100µA 12 NC @ 10 V ±20V 830 PF @ 10 V - 700MW
TPC6110(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC6110 -
RFQ
 ECAD 4645 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 TPC6110 モスフェット（金属酸化物） vs-6（2.9x2.8 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 30 V 4.5a（ta） 56mohm @ 2.2a 、10V 2V @ 100µA 14 NC @ 10 V 510 pf @ 10 v - 700MW
TPC8066-H,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8066-H -
RFQ
 ECAD 9428 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii-h テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） TPC8066 モスフェット（金属酸化物） 8ソップ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 30 V 11a（ta） 4.5V 、10V 16mohm @ 5.5a 、10V 2.3V @ 100µA 15 NC @ 10 V ±20V 1100 PF @ 10 V - 1W
TPC8126,LQ(CM Toshiba Semiconductor and Storage TPC8126 -
RFQ
 ECAD 6338 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SOIC （0.173 "、幅4.40mm） TPC8126 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップ（5.5x6.0 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 30 V 11a（ta） 4.5V 、10V 10mohm @ 5.5a 、10V 2V @ 500µA 56 NC @ 10 V +20V、-25V 2400 PF @ 10 V - 1W
TPC8132,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8132 0.9600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） TPC8132 モスフェット（金属酸化物） 8ソップ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 pチャネル 40 v 7a（ta） 4.5V 、10V 25mohm @ 3.5a 、10V 2V @ 200µA 34 NC @ 10 V +20V、-25V 1580 PF @ 10 V - 1W
TPC8133,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8133 1.2800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） TPC8133 モスフェット（金属酸化物） 8ソップ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 pチャネル 40 v 9a（ta） 4.5V 、10V 15mohm @ 4.5a 、10V 2V @ 500µA 64 NC @ 10 V +20V、-25V 2900 PF @ 10 V - 1W
TPC8407,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8407 -
RFQ
 ECAD 5590 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） TPC8407 モスフェット（金属酸化物） 450MW 8ソップ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 2,500 nおよびpチャネル 30V 9a 、7.4a 17mohm @ 4.5a 、10V 2.3V @ 100µA 17NC @ 10V 1190pf @ 10V ロジックレベルゲート
TPCC8009,LQ(O Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8009 -
RFQ
 ECAD 6494 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiv テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPCC8009 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.1x3.1） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 24a（ta） 7mohm @ 12a 、10V 3V @ 200µA 26 NC @ 10 V 1270 PF @ 10 V - -
TPCL4201(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TPCL4201 -
RFQ
 ECAD 1167 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 4-xflga TPCL4201 モスフェット（金属酸化物） 500MW 4-Chip LGA （1.59x1.59） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 2 nチャンネル（ハーフブリッジ） - - - 1.2V @ 200µA - 720pf @ 10V -
TPCL4203(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TPCL4203 -
RFQ
 ECAD 2304 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 4-xflga TPCL4203 モスフェット（金属酸化物） 500MW 4-Chip LGA （1.59x1.59） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 2 nチャンネル（ハーフブリッジ） - - - 1.2V @ 200µA - 685pf @ 10V -
TTC012(Q) Toshiba Semiconductor and Storage TTC012 -
RFQ
 ECAD 1714 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して to-251-3 TTC012 1.1 w pw-mold2 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） TTC012Q ear99 8541.29.0095 200 375 v 2 a 10µa（icbo） npn 1V @ 62.5MA 、500mA 100 @ 300MA 、5V -
TJ10S04M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ10S04M3L 1.3300
RFQ
 ECAD 8845 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TJ10S04 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 pチャネル 40 v 10a（ta） 6V 、10V 44mohm @ 5a、10v 3V @ 1MA 19 NC @ 10 V +10V、-20V 930 pf @ 10 v - 27W （TC）
TJ60S04M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ60S04M3L 1.4000
RFQ
 ECAD 6560 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TJ60S04 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 pチャネル 40 v 60a（ta） 6V 、10V 6.3mohm @ 30a 、10V 3V @ 1MA 125 NC @ 10 V +10V、-20V 6510 PF @ 10 V - 90W
TK10A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK10A50D 1.9000
RFQ
 ECAD 5682 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK10A50 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 500 V 10a（ta） 10V 720mohm @ 5a 、10V 4V @ 1MA 20 NC @ 10 V ±30V 1050 PF @ 25 V - 45W
TK11A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK11A50D 2.1600
RFQ
 ECAD 3743 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK11A50 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 500 V 11a（ta） 10V 600mohm @ 5.5a 、10V 4V @ 1MA 24 NC @ 10 V ±30V 1200 PF @ 25 V - 45W
TK11A55D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK11A55D 2.5900
RFQ
 ECAD 5991 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK11A55 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 550 V 11a（ta） 10V 630mohm @ 5.5a 、10V 4V @ 1MA 25 NC @ 10 V ±30V 1350 PF @ 25 V - 45W
TK11A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK11A60D -
RFQ
 ECAD 6517 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK11A60 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 11a（ta） 10V 650mohm @ 5.5a 、10V 4V @ 1MA 28 NC @ 10 V ±30V 1550 PF @ 25 V - 45W
TK12A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK12A50D 2.4700
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK12A50 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 500 V 12a（ta） 10V 520mohm @ 6a 、10V 4V @ 1MA 25 NC @ 10 V ±30V 1350 PF @ 25 V - 45W
TK16A55D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK16A55D -
RFQ
 ECAD 3760 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK16A55 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 550 V 16a（ta） 330mohm @ 8a 、10V 4V @ 1MA 45 NC @ 10 V 2600 PF @ 25 V - -
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196-LFBGA露出パッド

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