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トランジスタ（2488）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 電圧 -破壊（ V 現在の - ドレイン（IDSS @ vds（vgs = 0） 電圧-Cutoff（ VGSオフ） @ id 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2） 電流排水（ id） -最大
RN1107MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1107MFV 0.1800
RFQ
 ECAD 4060 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN1107 150 MW vesm ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300mv @ 500µa 、5ma 80 @ 10ma 、5v 10 Kohms 47 Kohms
RN2307,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2307 、LF 0.1800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN2307 100 MW SC-70 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200 MHz 10 Kohms 47 Kohms
RN2119MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage rn2119mfv、l3f 0.1800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN2119 150 MW vesm ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） pnp-前バイアス 300mv @ 500µa 、5ma 120 @ 1MA 、5V 1 KOHMS
RN1708JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn1708je 0.4000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-553 RN1708 100MW ESV ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 4,000 50V 100mA 500na 2 npn- バイアス（デュアル）（エミッタ結合） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 22kohms 47kohms
RN1410,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1410 、LF 0.1900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN1410 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250 MHz 4.7 Kohms
RN1106MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1106MFV 0.1800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN1106 150 MW vesm ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300mv @ 500µa 、5ma 80 @ 1MA 、5V 4.7 Kohms 47 Kohms
RN1710JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1710JE （TE85L 0.4000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-553 RN1710 100MW ESV ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル）（エミッタ結合） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250MHz 4.7kohms -
TPH2R408QM,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R408QM、L1Q 1.7000
RFQ
 ECAD 3476 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosx-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERVDFN TPH2R408 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 80 v 120a（tc） 6V 、10V 2.43mohm @ 50a 、10V 3.5V @ 1MA 87 NC @ 10 V ±20V 8300 PF @ 40 V - 3W （TA）、210W（TC）
2SJ168TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ168TE85LF 0.9000
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 2SJ168 モスフェット（金属酸化物） SC-59 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 60 V 200ma（ta） 10V 2OHM @ 50MA 、10V - ±20V 85 pf @ 10 v - 200MW
2SK2034TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2034TE85LF -
RFQ
 ECAD 5859 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 2SK2034 モスフェット（金属酸化物） SC-70 - 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 20 v 100ma（ta） 2.5V 12OHM @ 10MA 、2.5V - 10V 8.5 PF @ 3 V - 100MW
2SK880GRTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SK880GRTE85LF 0.5900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 2SK880 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 13pf @ 10V 50 v 2.6 mA @ 10 v 1.5 V @ 100 Na
RN1605TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1605TE85LF 0.3500
RFQ
 ECAD 79 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-74、SOT-457 RN1605 300MW SM6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 2.2kohms 47kohms
SSM6L09FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L09FUTE85LF 0.4900
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません 150°C （TJ） 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 SSM6L09 モスフェット（金属酸化物） 300MW US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nおよびpチャネル 30V 400MA 、200mA 700mohm @ 200ma 、10V 1.8V @ 100µA - 20pf @ 5V ロジックレベルゲート
2SC4944-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4944-GR （TE85L f 0.3500
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント 5-TSSOP 、SC-70-5 、SOT-353 2SC4944 200 MW USV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 Ma 100na（icbo） npn 250MV @ 10MA 、100mA 200 @ 2MA 、6V 80MHz
2SK208-GR(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK208-GR （TE85L 0.4900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 2SK208 100 MW SC-59 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 8.2pf @ 10V 50 v 2.6 mA @ 10 v 400 mV @ 100 na 6.5 Ma
2SK208-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK208-O （TE85L 0.4900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 2SK208 100 MW SC-59 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 8.2pf @ 10V 50 v 600 µA @ 10 V 400 mV @ 100 na 6.5 Ma
2SK209-BL(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK209-BL （TE85L 0.4400
RFQ
 ECAD 1670 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 2SK209 150 MW SC-59 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 13pf @ 10V 50 v 14 mA @ 10 v 1.5 V @ 100 Na 14 Ma
2SK209-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK209-Y （TE85L 0.4700
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 2SK209 150 MW SC-59 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 13pf @ 10V 50 v 14 mA @ 10 v 1.5 V @ 100 Na 14 Ma
RN1602(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1602 （TE85L 0.3800
RFQ
 ECAD 75 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-74、SOT-457 RN1602 300MW SM6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 250MHz 10kohms 10kohms
RN1962FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn1962fe 0.1500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN1962 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 250MHz 10kohms 10kohms
RN1964FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn1964fe 0.1000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN1964 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 47kohms 47kohms
RN4985,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4985 0.2700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4985 200mw US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100µa（icbo） 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 、200MHz 2.2kohms 47kohms
2SC2712-OTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2712-TOTE85LF 0.2000
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 2SC2712 150 MW TO-236 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 Ma 100na（icbo） npn 250MV @ 10MA 、100mA 70 @ 2MA 、6V 80MHz
2SC4116-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2sc4116-bl、lf 0.1800
RFQ
 ECAD 982 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 2SC4116 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 Ma 100na（icbo） npn 250MV @ 10MA 、100mA 350 @ 2MA 、6V 80MHz
SSM3J16CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage ssm3j16ct（tpl3） -
RFQ
 ECAD 2106 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SC-101 、SOT-883 SSM3J16 モスフェット（金属酸化物） CST3 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 pチャネル 20 v 100ma（ta） 1.5V 、4V 8OHM @ 10MA 、4V 1.1V @ 100µA ±10V 11 pf @ 3 v - 100MW
SSM3J56MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J56MFV、L3F 0.4500
RFQ
 ECAD 490 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-723 SSM3J56 モスフェット（金属酸化物） vesm ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 pチャネル 20 v 800ma（ta） 1.2V 、4.5V 390mohm @ 800ma 、4.5v - ±8V 100 pf @ 10 v - 150MW
SSM3K302T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K302T （TE85L -
RFQ
 ECAD 9175 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 SSM3K302 モスフェット（金属酸化物） TSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 30 V 3a（ta） 1.8V 、4V 71mohm @ 2a 、4v - 4.3 NC @ 4 V ±12V 270 pf @ 10 v - 700MW
SSM5N15FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM5N15FU 、LF 0.4300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 5-TSSOP 、SC-70-5 、SOT-353 SSM5N15 モスフェット（金属酸化物） 5スソップ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 30 V 100ma（ta） 2.5V 、4V 4OHM @ 10MA 、4V - ±20V 7.8 PF @ 3 V - 200MW
TK20V60W,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK20V60W 、LVQ 2.8963
RFQ
 ECAD 5645 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 4-VSFN露出パッド TK20V60 モスフェット（金属酸化物） 4-dfn-ep（8x8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 600 V 20a（ta） 10V 170mohm @ 10a 、10V 3.7V @ 1MA 48 NC @ 10 V ±30V 1680 pf @ 300 v - 156W
TK20E60W,S1VX Toshiba Semiconductor and Storage TK20E60W、S1VX 5.3700
RFQ
 ECAD 1878年年 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 TK20E60 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 20a（ta） 10V 155mohm @ 10a 、10V 3.7V @ 1MA 48 NC @ 10 V ±30V 1680 pf @ 300 v - 165W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

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    世界的なメーカー

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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