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トランジスタ（2488）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ テスト条件 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 逆回復時間（ trr） 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え TD （オン/オフ） @ 25°C 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移
TPH5900CNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH5900CNH 、L1Q 1.0100
RFQ
 ECAD 3577 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPH5900 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 150 v 9a（ta） 10V 59mohm @ 4.5a 、10V 4V @ 200µA 7 NC @ 10 V ±20V 600 pf @ 75 v - 1.6W
TJ15S06M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ15S06M3L 、LXHQ 0.9500
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント to-252-3 TJ15S06 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 pチャネル 60 V 15a（ta） 6V 、10V 50mohm @ 7.5a 、10V 3V @ 1MA 36 NC @ 10 V +10V、-20V 1770 pf @ 10 v - 41W
XK1R9F10QB,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage XK1R9F10QB 、LXGQ 3.9000
RFQ
 ECAD 4008 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosx-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント TO-263-3 XK1R9F10 モスフェット（金属酸化物） TO-220SM ダウンロード 3 （168 時間） ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 100 V 160a（ta） 6V 、10V 1.92mohm @ 80a 、10V 3.5V @ 1MA 184 NC @ 10 V ±20V 11500 PF @ 10 V - 375W
TJ200F04M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ200F04M3L 、LXHQ 3.1700
RFQ
 ECAD 3367 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント TO-263-3 TJ200F04 モスフェット（金属酸化物） TO-220SM ダウンロード 3 （168 時間） ear99 8541.21.0095 1,000 pチャネル 40 v 200a（ta） 6V 、10V 1.8mohm @ 100a 、10V 3V @ 1MA 460 NC @ 10 V +10V、-20V 1280 PF @ 10 V - 375W
TPHR7904PB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage TPHR7904PB、L1XHQ 2.8200
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-SOIC （0.197 "、幅5.00mm） TPHR7904 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 5,000 nチャネル 40 v 150a（ta） 6V 、10V 0.79mohm @ 75a 、10V 3V @ 1MA 85 NC @ 10 V ±20V 6650 PF @ 10 V - 960MW
TK1R4S04PB,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK1R4S04PB、LXHQ 1.9500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント to-252-3 TK1R4S04 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 40 v 120a（ta） 6V 、10V 1.9mohm @ 60a 、6V 3V @ 500µA 103 NC @ 10 V ±20V 5500 PF @ 10 V - 180W
TJ90S04M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ90S04M3L 、LXHQ 1.6300
RFQ
 ECAD 3061 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント to-252-3 TJ90S04 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 pチャネル 40 v 90a（ta） 4.5V 、10V 4.3mohm @ 45a 、10V 2V @ 1MA 172 NC @ 10 V +10V、-20V 7700 PF @ 10 V - 180W
TPH1R104PB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R104PB、L1XHQ 2.0900
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-SOIC （0.197 "、幅5.00mm） TPH1R104 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 5,000 nチャネル 40 v 120a（ta） 6V 、10V 1.14mohm @ 60a 、10V 3V @ 500µA 55 NC @ 10 V ±20V 4560 PF @ 10 V - 960MW
TK25S06N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK25S06N1L 、LXHQ 0.9300
RFQ
 ECAD 3804 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント to-252-3 TK25S06 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 60 V 25a（ta） 4.5V 、10V 36.8mohm @ 12.5a 、4.5V 2.5V @ 100µA 15 NC @ 10 V ±20V 855 PF @ 10 V - 57W
XPH4R714MC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPH4R714MC、L1XHQ 1.7700
RFQ
 ECAD 53 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-SOIC （0.197 "、幅5.00mm） XPH4R714 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 pチャネル 40 v 60a（ta） 4.5V 、10V 4.7mohm @ 30a 、10V 2.1V @ 1MA 160 NC @ 10 V +10V、-20V 5640 PF @ 10 V - 960MW
TPW1R104PB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage TPW1R104PB、L1XHQ 2.2600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERVDFN TPW1R104 モスフェット（金属酸化物） 8-DSOP Advance ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 40 v 120a（ta） 6V 、10V 1.14mohm @ 60a 、10V 3V @ 500µA 55 NC @ 10 V ±20V 4560 PF @ 10 V - 960MW
TK33S10N1Z,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK33S10N1Z、LXHQ 1.4200
RFQ
 ECAD 8142 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント to-252-3 TK33S10 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 100 V 33a（ta） 10V 9.7mohm @ 16.5a 、10V 4V @ 500µA 28 NC @ 10 V ±20V 2050 PF @ 10 V - 125W
GT30J341,Q Toshiba Semiconductor and Storage GT30J341 3.4000
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - トレイ アクティブ 175°C （TJ） 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 GT30J341 標準 230 W to-3p ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 264-GT30J341Q ear99 8541.29.0095 100 300V、30A 、24OHM15V 50 ns 600 V 59 a 120 a 2V @ 15V、30A 800µj（オン）、600µj（オフ） 80ns/280ns
TPCC8104,L1Q(CM Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8104、L1Q（CM -
RFQ
 ECAD 2662 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 8-POWERVDFN TPCC8104 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.1x3.1） - 1 （無制限） 264-TPCC8104L1Q（CMTR ear99 8541.29.0095 5,000 pチャネル 30 V 20a（ta） 4.5V 、10V 8.8mohm @ 10a 、10V 2V @ 500µA 58 NC @ 10 V +20V、-25V 2260 PF @ 10 V - 700MW
TK33S10N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK33S10N1L 、LQ 1.9000
RFQ
 ECAD 7785 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント to-252-3 TK33S10 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 264-TK33S10N1LLQCT ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 100 V 33a（ta） 4.5V 、10V 9.7mohm @ 16.5a 、10V 2.5V @ 500µA 33 NC @ 10 V ±20V 2250 PF @ 10 V - 125W
TPH3R506PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R506PL 、LQ 0.5263
RFQ
 ECAD 4366 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERVDFN TPH3R506 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） - 1 （無制限） 264-TPH3R506PLLQTR ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 60 V 94a（tc） 4.5V 、10V 3.5mohm @ 47a 、10V 2.5V @ 500µA 55 NC @ 10 V ±20V 4420 PF @ 30 V - 830MW
TK40J20D,S1F(O Toshiba Semiconductor and Storage TK40J20D -
RFQ
 ECAD 6850 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosviii トレイ アクティブ 150°C 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 TK40J20 モスフェット（金属酸化物） to-3p - 1 （無制限） 264-TK40J20DS1F （O ear99 8541.29.0095 100 nチャネル 200 v 40a（ta） 10V 44mohm @ 20a 、10v 3.5V @ 1MA 100 NC @ 10 V ±20V 4300 PF @ 100 V - 260W
TPCC8104,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8104、L1Q -
RFQ
 ECAD 5190 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 8-POWERVDFN TPCC8104 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.1x3.1） - 1 （無制限） 264-TPCC8104L1QTR ear99 8541.29.0095 5,000 pチャネル 30 V 20a（ta） 4.5V 、10V 8.8mohm @ 10a 、10V 2V @ 500µA 58 NC @ 10 V +20V、-25V 2260 PF @ 10 V - 700MW
TK40S06N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK40S06N1L 、LQ 0.9100
RFQ
 ECAD 7800 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント to-252-3 TK40S06 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 60 V 40a（ta） 4.5V 、10V 10.5mohm @ 20a 、10V 2.5V @ 200µA 26 NC @ 10 V ±20V 1650 PF @ 10 V - 88.2W
TPCP8107,LF Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8107 0.7200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-SMD 、フラットリード TPCP8107 モスフェット（金属酸化物） PS-8 - 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 40 v 8a（ta） 6V 、10V 18mohm @ 4a 、10V 3V @ 1MA 44.6 NC @ 10 V +10V、-20V 2160 PF @ 10 V - 1W
TPCA8128,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8128、L1Q -
RFQ
 ECAD 9059 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 8-POWERVDFN TPCA8128 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） - 1 （無制限） 264-TPCA8128L1QTR ear99 8541.29.0095 5,000 pチャネル 30 V 34a（ta） 4.5V 、10V 4.8mohm @ 17a 、10V 2V @ 500µA 115 NC @ 10 V +20V、-25V 4800 PF @ 10 V - 1.6W
TW070J120B,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TW070J120B 、S1Q 32.4200
RFQ
 ECAD 104 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 TW070J120 sicfet （炭化シリコン） to-3p ダウンロード 1 （無制限） 264-TW070J120BS1Q ear99 8541.29.0095 25 nチャネル 1200 v 36a（tc） 20V 90mohm @ 18a 、20V 5.8V @ 20MA 67 NC @ 20 V ±25V、 -10V 1680 pf @ 800 v 標準 272W
SSM6N951L,EFF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N951L eff 0.9900
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 表面マウント 6-SMD 、リードなし SSM6N951 モスフェット（金属酸化物） - 6-TCSPA （2.14x1.67） - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 10,000 2 nチャネル（デュアル）共通ドレイン 12V 8a 5.1mohm @ 8a 、4.5V - - - -
SSM3J374R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J374R 、LXHF 0.4000
RFQ
 ECAD 9279 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 自動車、aec-q101 、u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SOT-23-3フラットリード モスフェット（金属酸化物） SOT-23F ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 30 V 4a（ta） 4V 、10V 71mohm @ 3a 、10V 2V @ 100µA 5.9 NC @ 10 V +10V、-20V 280 PF @ 15 V - 1W
SSM3K376R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K376R 、LXHF 0.4000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SOT-23-3フラットリード モスフェット（金属酸化物） SOT-23F ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 4a（ta） 1.8V 、4.5V 56mohm @ 2a 、4.5v 1V @ 1MA 2.2 NC @ 4.5 v +12V、-8V 200 pf @ 10 v - 1W
SSM6J422TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J422TU 、LXHF 0.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 自動車、aec-q101 、u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード モスフェット（金属酸化物） UF6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 20 v 4a（ta） 1.5V 、4.5V 42.7mohm @ 3a 、4.5V 1V @ 1MA 12.8 NC @ 4.5 v +6V、 -8V 840 PF @ 10 V - 1W
SSM3J145TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J145TU 、LXHF 0.3700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 自動車、aec-q101 、u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 3-SMD 、フラットリード モスフェット（金属酸化物） UFM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 20 v 3a（ta） 1.5V 、4.5V 103mohm @ 1a 、4.5V 1V @ 1MA 4.6 NC @ 4.5 v +6V、 -8V 270 pf @ 10 v - 500MW
SSM3K62TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K62TU 、LXHF 0.4000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 自動車、aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 3-SMD 、フラットリード モスフェット（金属酸化物） UFM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 20 v 800ma（ta） 1.2V 、4.5V 57mohm @ 800ma 、4.5v 1V @ 1MA 2 NC @ 4.5 v ±8V 177 pf @ 10 v - 500MW
SSM3J168F,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J168F 、LXHF 0.4300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 自動車、aec-q101 、u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント TO-236-3 モスフェット（金属酸化物） s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 60 V 400ma（ta） 4V 、10V 1.55OHM @ 200MA 、10V 2V @ 1MA 3 NC @ 10 V +10V、-20V 82 PF @ 10 V - 600MW
2SA2060(TE12L,ZF) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2060 -
RFQ
 ECAD 9451 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - 箱 アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-243AA 1 W pw-mini ダウンロード ear99 8541.29.0095 1 50 v 2 a 100na（icbo） PNP 200mV @ 33MA、1a 200 @ 300MA 、2V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

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