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トランジスタ（2488）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
TK7R4A10PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK7R4A10PL 、S4x 1.4100
RFQ
 ECAD 1092 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 175°C 穴を通して TO-220-3フルパック TK7R4A10 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 100 V 50a（tc） 4.5V 、10V 7.4mohm @ 25a 、10V 2.5V @ 500µA 44 NC @ 10 V ±20V 2800 PF @ 50 V - 42W
HN1A01FE-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage hn1a01fe-y、lf 0.3300
RFQ
 ECAD 1298 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-563、SOT-666 HN1A01 100MW ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 150ma 100na（icbo） 2 PNP （デュアル） 300MV @ 10MA 、100mA 120 @ 2MA 、6V 80MHz
TK4A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK4A50D 0.9300
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK4A50 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 500 V 4a（ta） 10V 2OHM @ 2A 、10V 4.4V @ 1MA 9 NC @ 10 V ±30V 380 PF @ 25 V - 30W （TC）
TPCL4201(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TPCL4201 -
RFQ
 ECAD 1167 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 4-xflga TPCL4201 モスフェット（金属酸化物） 500MW 4-Chip LGA （1.59x1.59） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 2 nチャンネル（ハーフブリッジ） - - - 1.2V @ 200µA - 720pf @ 10V -
SSM6P36TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P36TU 、LF 0.3800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6p36 モスフェット（金属酸化物） 500MW UF6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 2 P-Channel （デュアル） 20V 330ma（ta） 1.31OHM @ 100MA 、4.5V 1V @ 1MA 1.2NC @ 4V 43pf @ 10V ロジックレベルゲート、1.5Vドライブ
TTA1713-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage TTA1713-Y 、LF 0.3100
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 TTA1713 200 MW s-mini ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 45 v 500 Ma 100na（icbo） PNP 400mv @ 50ma 、500ma 120 @ 100MA、1V 80MHz
TK1K7A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK1K7A60F、S4x 0.9000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-220-3フルパック TK1K7A60 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 4a（ta） 10V 1.7OHM @ 2A 、10V 4V @ 460µA 16 NC @ 10 V ±30V 560 PF @ 300 V - 35W （TC）
RN2712JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn2712je（TE85L 0.4700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-553 RN2712 100MW ESV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル）（エミッタ結合） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200MHz 22kohms -
RN1404,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1404 、LF 0.2200
RFQ
 ECAD 5315 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN1404 200 MW s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250 MHz 47 Kohms 47 Kohms
RN2709JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn2709je（TE85L 0.4700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-553 RN2709 100MW ESV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル）（エミッタ結合） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 200MHz 47kohms 22kohms
TDTA114E,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTA114E、LM 0.1800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 TDTA114 320 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 500µA 、10mA 30 @ 5MA 、5V 250 MHz 10 Kohms
TK40P04M1(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK40P04M1 -
RFQ
 ECAD 8145 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi-h テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK40P04 モスフェット（金属酸化物） d-pak ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 40 v 40a（ta） 4.5V 、10V 11mohm @ 20a 、10V 2.3V @ 200µA 29 NC @ 10 V ±20V 1920 pf @ 10 v - 47W （TC）
SSM3K48FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K48FU 、LF 0.3700
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiii テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SC-70、SOT-323 SSM3K48 モスフェット（金属酸化物） USM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 30 V 100ma（ta） 2.5V 、4V 3.2OHM @ 10MA 、4V 1.5V @ 100µA ±20V 15.1 pf @ 3 v - 150MW
RN2101MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2101Mfv 0.3400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN2101 150 MW vesm ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300mv @ 500µa 、5ma 30 @ 10ma 、5v 250 MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
TPCA8008-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8008-H （TE12LQM -
RFQ
 ECAD 6237 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPCA8008 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 250 v 4a（ta） 10V 580mohm @ 2a 、10V 4V @ 1MA 10 NC @ 10 V ±20V 600 PF @ 10 V - 1.6W
RN1103,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1103 0.3300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN1103 100 MW SSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 250 MHz 22 Kohms 22 Kohms
TPC8048-H(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8048-H -
RFQ
 ECAD 7690 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi-h カットテープ（CT） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SOIC （0.173 "、幅4.40mm） TPC8048 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップ（5.5x6.0 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 60 V 16a（ta） 4.5V 、10V 6.9mohm @ 8a 、10v 2.3V @ 1MA 87 NC @ 10 V ±20V 7540 PF @ 10 V - 1W
RN4983FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn4983fe 0.3800
RFQ
 ECAD 1250 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN4983 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 250MHz 、200MHz 22kohms 22kohms
TTC014,L1NV Toshiba Semiconductor and Storage TTC014、L1NV 0.9900
RFQ
 ECAD 8196 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 1 W pw-mold ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 800 V 1 a 100na（icbo） npn 1V @ 50ma 、500ma 100 @ 100MA 、5V -
SSM3J09FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J09FU 、LF 0.4100
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SC-70、SOT-323 SSM3J09 モスフェット（金属酸化物） USM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 30 V 200ma（ta） 3.3V 、10V 2.7OHM @ 100MA 、10V 1.8V @ 100µA ±20V 22 pf @ 5 v - 150MW
RN1310,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1310 、LF 0.1800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN1310 100 MW SC-70 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250 MHz 4.7 Kohms
TK72E12N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK72E12N1、S1x 2.5300
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 TK72E12 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 120 v 72a（ta） 10V 4.4mohm @ 36a 、10V 4V @ 1MA 130 NC @ 10 V ±20V 8100 pf @ 60 v - 255W
TPC8126,LQ(CM Toshiba Semiconductor and Storage TPC8126 -
RFQ
 ECAD 6338 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SOIC （0.173 "、幅4.40mm） TPC8126 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップ（5.5x6.0 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 30 V 11a（ta） 4.5V 、10V 10mohm @ 5.5a 、10V 2V @ 500µA 56 NC @ 10 V +20V、-25V 2400 PF @ 10 V - 1W
TK31V60W,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK31V60W 、LVQ 7.8500
RFQ
 ECAD 3694 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 4-VSFN露出パッド TK31V60 モスフェット（金属酸化物） 4-dfn-ep（8x8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 600 V 30.8a 10V 98mohm @ 15.4a 、10V 3.7V @ 1.5MA 86 NC @ 10 V ±30V 3000 pf @ 300 v - 240W
TK16J60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK16J60W、S1VQ -
RFQ
 ECAD 8499 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 TK16J60 モスフェット（金属酸化物） to-3p ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 25 nチャネル 600 V 15.8a 10V 190mohm @ 7.9a 、10V 3.7V @ 790µA 38 NC @ 10 V ±30V 1350 pf @ 300 v - 130W
RN2909,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2909 0.4400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN2909 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500na 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 200MHz 47kohms 22kohms
TK10P50W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK10P50W、RQ 1.7600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 500 V 9.7a（ta） 10V 430mohm @ 4.9a 、10V 3.7V @ 500µA 20 NC @ 10 V ±30V 700 pf @ 300 v - 80W
TK10E80W,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK10E80W、S1x 3.6500
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 800 V 9.5a（ta） 10V 550mohm @ 4.8a 、10V 4V @ 450µA 19 NC @ 10 V ±20V 1150 pf @ 300 v - 130W
TPCA8065-H,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8065-H -
RFQ
 ECAD 3579 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii-h テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPCA8065 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 16a（ta） 4.5V 、10V 11.4mohm @ 8a 、10v 2.3V @ 200µA 20 NC @ 10 V ±20V 1600 pf @ 10 v - 1.6W （TA ）、25W（TC）
SSM3J374R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J374R 、LXHF 0.4000
RFQ
 ECAD 9279 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 自動車、aec-q101 、u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SOT-23-3フラットリード モスフェット（金属酸化物） SOT-23F ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 30 V 4a（ta） 4V 、10V 71mohm @ 3a 、10V 2V @ 100µA 5.9 NC @ 10 V +10V、-20V 280 PF @ 15 V - 1W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

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    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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