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トランジスタ（2488）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在の - ドレイン（IDSS @ vds（vgs = 0） 電圧-Cutoff（ VGSオフ） @ id 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
RN1101,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1101 0.3300
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN1101 100 MW SSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 250 MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
TK62N60X,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK62N60X、S1F 11.2600
RFQ
 ECAD 108 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv-h チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-247-3 TK62N60 モスフェット（金属酸化物） TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 600 V 61.8a 10V 40mohm @ 21a 、10V 3.5V @ 3.1MA 135 NC @ 10 V ±30V 6500 PF @ 300 V - 400W （TC）
RN1108,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn1108 0.2000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN1108 100 MW SSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250 MHz 22 Kohms 47 Kohms
TK31Z60X,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK31Z60X s1f 12.4300
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-247-4 TK31Z60 モスフェット（金属酸化物） TO-247-4L ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 25 nチャネル 600 V 30.8a 10V 88mohm @ 9.4a 、10V 3.5V @ 1.5MA 65 NC @ 10 V ±30V 3000 pf @ 300 v - 230W
2SK3320-BL(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3320-BR （TE85L f 0.7500
RFQ
 ECAD 72 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント 5-TSSOP 、SC-70-5 、SOT-353 2SK3320 200 MW USV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 13pf @ 10V 6 ma @ 10 v 200 mV @ 100 Na
RN2311(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2311 0.2700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN2311 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200 MHz 10 Kohms
HN1C03F-B(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage hn1c03f-b（TE85L 0.1485
RFQ
 ECAD 6796 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SC-74、SOT-457 HN1C03 300MW SM6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 20V 300mA 100na（icbo） 2 NPN （デュアル） 100MV @ 3MA 、30MA 350 @ 4MA 、2V 30MHz
TPN14006NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN14006nh l1q 0.3533
RFQ
 ECAD 4019 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPN14006 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.1x3.1） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 60 V 13a（ta） 6.5V 、10V 14mohm @ 6.5a 、10V 4V @ 200µA 15 NC @ 10 V ±20V 1300 PF @ 30 V - 700MW
2SA1315-Y,HOF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1315-Y 、HOF（m -
RFQ
 ECAD 8164 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SA1315 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 1 80 v 2 a 1µa（icbo） PNP 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 80MHz
TPC6012(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC6012 -
RFQ
 ECAD 5714 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiv テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 TPC6012 モスフェット（金属酸化物） vs-6（2.9x2.8 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 20 v 6a（ta） 2.5V 、4.5V 20mohm @ 3a 、4.5v 1.2V @ 200µA 9 NC @ 5 V ±12V 630 PF @ 10 V - 700MW
TK42A12N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK42A12N1、S4x 1.4900
RFQ
 ECAD 210 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK42A12 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 120 v 42a 10V 9.4mohm @ 21a 、10V 4V @ 1MA 52 NC @ 10 V ±20V 3100 PF @ 60 V - 35W （TC）
RN2404,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2404 、LXHF 0.0645
RFQ
 ECAD 7148 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN2404 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200 MHz 47 Kohms 47 Kohms
RN2101,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2101 0.3300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN2101 100 MW SSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 200 MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
TPH1R306PL1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R306PL1、LQ 2.4200
RFQ
 ECAD 9668 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-powertdfn モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5.75） - 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 60 V 100a（tc） 4.5V 、10V 1.34mohm @ 50a 、10V 2.5V @ 1MA 91 NC @ 10 V ±20V 8100 PF @ 30 V - 960MW
2SC3324GRTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3324GRTE85LF -
RFQ
 ECAD 3943 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 125°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 2SC3324 150 MW TO-236 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 120 v 100 Ma 100na（icbo） npn 300MV @ 1MA 、10ma 200 @ 2MA 、6V 100MHz
RN1909(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1909 0.3400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN1909 200mw US6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 250MHz 47kohms 22kohms
RN1409,LF Toshiba Semiconductor and Storage rn1409、lf 0.1900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN1409 200 MW s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 250 MHz 47 Kohms 22 Kohms
TJ20S04M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ20S04M3L 、LXHQ 0.9400
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント to-252-3 TJ20S04 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 pチャネル 40 v 20a（ta） 6V 、10V 22.2mohm @ 10a 、10V 3V @ 1MA 37 NC @ 10 V +10V、-20V 1850 pf @ 10 v - 41W
XPN7R104NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPN7R104NC 、L1XHQ 1.2500
RFQ
 ECAD 9396 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiii テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERVDFN XPN7R104 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE-WF（3.1x3.1 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 40 v 20a（ta） 4.5V 、10V 7.1mohm @ 10a 、10v 2.5V @ 200µA 21 NC @ 10 V ±20V 1290 PF @ 10 V - 840MW
TK110A65Z,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK110A65Z、S4x 4.2300
RFQ
 ECAD 51 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosvi チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-220-3フルパック TK110A65 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 650 V 24a（ta） 10V 110mohm @ 12a 、10V 4V @ 1.02MA 40 NC @ 10 V ±30V 2250 pf @ 300 v - 45W
SSM3J325F,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J325F 、LF 0.4100
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 SSM3J325 モスフェット（金属酸化物） s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 20 v 2a（ta） 1.5V 、4.5V 150mohm @ 1a 、4.5V - 4.6 NC @ 4.5 v ±8V 270 pf @ 10 v - 600MW
2SC6000(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6000 （TE16L1 -
RFQ
 ECAD 4731 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 2SC6000 20 W pw-mold - 264-2SC6000 ear99 8541.29.0095 2,000 50 v 7 a 100na（icbo） npn 180mv @ 83ma 、2.5a 250 @ 2.5a 、2V -
TK17A80W,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK17A80W、S4x 3.8400
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-220-3フルパック TK17A80 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 800 V 17a（ta） 10V 290mohm @ 8.5a 、10V 4V @ 850µA 32 NC @ 10 V ±20V 2050 PF @ 300 v - 45W
TK16G60W5,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK16G60W5、RVQ 3.2100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 600 V 15.8a 10V 230mohm @ 7.9a 、10V 4.5V @ 790µA 43 NC @ 10 V ±30V 1350 pf @ 300 v - 130W
TK34A10N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK34A10N1、S4x 1.5500
RFQ
 ECAD 9909 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK34A10 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 100 V 34a（tc） 10V 9.5mohm @ 17a 、10V 4V @ 500µA 38 NC @ 10 V ±20V 2600 PF @ 50 V - 35W （TC）
TPH9R00CQ5,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH9R00CQ5、LQ 2.5500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosx-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERVDFN モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） - ROHS3準拠 1 （無制限） 5,000 nチャネル 150 v 108a 8V 、10V 9mohm @ 32a 、10V 4.5V @ 1MA 44 NC @ 10 V ±20V 5400 PF @ 75 v - 3W （TA）、210W（TC）
SSM6N67NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N67NU 、LF 0.5000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-wdfn露出パッド SSM6N67 モスフェット（金属酸化物） 2W （TA） 6-µDFN （2x2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 30V 4a（ta） 39.1mohm @ 2a 、4.5V 1V @ 1MA 3.2NC @ 4.5V 310pf @ 15V ロジックレベルゲート、 1.8Vドライブ
SSM3K316T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage ssm3k316t -
RFQ
 ECAD 3620 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 SSM3K316 モスフェット（金属酸化物） TSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 30 V 4a（ta） 1.8V 、10V 53mohm @ 3a、10V 1V @ 1MA 4.3 NC @ 4 V ±12V 270 pf @ 10 v - 700MW
TK5A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK5A65W、S5x 1.6000
RFQ
 ECAD 1655 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK5A65 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 650 V 5.2a（ta） 10V 1.2OHM @ 2.6A 、10V 3.5V @ 170µA 10.5 NC @ 10 V ±30V 380 pf @ 300 v - 30W （TC）
TPH1110FNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1110FNH 、L1Q 1.8400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPH1110 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 250 v 10a（ta） 10V 112mohm @ 5a 、10V 4V @ 300µA 11 NC @ 10 V ±20V 1100 PF @ 100 V - 1.6W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

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    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

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    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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